特許ウォッチ

公開番号2024118645
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-02
出願番号2023025033
出願日2023-02-21
発明の名称基板支持体
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20240826BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】回路パターンを容易に引き剥がすことが可能な基板支持体を提供する。
【解決手段】半導体基板(回路パターン)21を貼り付ける貼り付け面26を有する基材11と、貼り付け面26の少なくとも一部の領域にドット13のパターンが形成された接着層14と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板を貼り付ける貼り付け面を有する基材と、
前記貼り付け面の少なくとも一部の領域にドットパターンが形成された接着層と、を備える基板支持体。
続きを表示（約 680 文字）【請求項２】
前記ドットパターンにおけるドットのそれぞれは、平面視において同一の面積に設けられる、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記接着層は、単位面積あたりのドット占有割合が異なる複数の領域を備える、請求項１又は請求項２に記載の基板支持体。
【請求項４】
前記ドット占有割合は、０．１３％から４０％の中から選択される、請求項３に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記貼り付け面のうち外周縁側の第１領域と、前記第１領域よりも内側の第２領域とを有する、請求項３に記載の基板支持体。
【請求項６】
前記第１領域と前記第２領域とで、単位面積あたりのドット占有割合が異なる、請求項５に記載の基板支持体。
【請求項７】
前記第２領域は、平面視における外縁が円形状又は多角形状に形成される、請求項５に記載の基板支持体。
【請求項８】
前記第１領域における前記貼り付け面からのドットの高さと、前記第２領域における前記貼り付け面からのドットの高さとが異なる、請求項５に記載の基板支持体。
【請求項９】
前記第２領域におけるドットの高さは、前記第１領域におけるドットの高さよりも高い、請求項８に記載の基板支持体。
【請求項１０】
前記第１領域における前記貼り付け面からのドットの高さと、前記第２領域における前記貼り付け面からのドットの高さとの差が±５％以内である、請求項５に記載の基板支持体。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板支持体に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体基板の回路パターン（半導体装置）が形成された面に基板支持体を貼り付けることが提案されている（例えば、特許文献１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－４２４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１には、基板支持体の上面全体に接着層が形成され、基板支持体と半導体基板とが貼り合わされた積層体が記載されている。この積層体では、基板支持体の上面全体に接着層が形成されているので、接着面積が広くなり、基板支持体と半導体基板との接着力が強くなる。このため、例えば、後工程で半導体基板の回路パターンを個別にピックアップする際、ピックアップが難しくなる場合がある。また、ピックアップする際に強い力で基板支持体から回路パターンを引き剥がすと、回路パターンの破損を招くおそれがある。
【０００５】
本発明は、回路パターンを容易に引き剥がすことが可能な基板支持体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様に係る基板支持体は、半導体基板を貼り付ける貼り付け面を有する基材と、前記貼り付け面の少なくとも一部の領域にドットパターンが形成された接着層と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の態様によれば、基材と半導体基板との間の接着層がドットパターンであるため、基板支持体の上面全体に接着剤が設けられた構成と比較して、基板支持体と半導体基板とを弱く接着することができる。その結果、例えば、回路パターンを基板支持体からピックアップする際、強い力で回路パターンを基板支持体から引き剥がす必要がない。従って、回路パターンのピックアップを高速化でき、効率よく半導体装置を製造することができる。また、基板支持体と半導体基板との接着力が弱いので、回路パターンを基板支持体から引き剥がす際に、回路パターンの破損を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態に係る基板支持体の一例を示す側面図及び一部拡大図である。
基板支持体の一部を拡大した平面図の一例であり、（Ａ）はドットパターンの一例を示す図であり、（Ｂ）は変形例１に係るドットパターンを示す図である。
基板支持体の一部を拡大した平面図の一例であり、（Ａ）は変形例２に係るドットパターンを示す図であり、（Ｂ）は変形例３に係るドットパターンを示す図である。
基板支持体の一部を拡大した平面図の一例であり、変形例４に係るドットパターンを示す図である。
第２実施形態に係る基板支持体の一例を示す平面図である。
第３実施形態に係る基板支持体の一例を示す平面図である。
（Ａ）は変形例５に係る基板支持体を示す平面図であり、（Ｂ）は変形例６に係る基板支持体を示す平面図である。
第４実施形態に係る基板支持体の一例を示す平面図である。
ドットパターンの一例を示す側面図である。
（Ａ）は変形例７に係るドットパターンを示す側面図であり、（Ｂ）は変形例８に係るドットパターンを示す側面図である。
回路パターン（半導体装置）の製造方法の一例を示し、（Ａ）は積層体を製造した状態を示す図、（Ｂ）は半導体基板を研磨した状態を示す図、（Ｃ）は半導体基板をダイシングした状態を示す図である。
回路パターン（半導体装置）の製造方法の一例を示し、（Ａ）は半導体基板に基板支持体を貼り付ける状態を示す図、（Ｂ）は第１支持体を剥離する工程を示す図、（Ｃ）は半導体基板の洗浄を示す図である。
回路パターンを基板支持体からピックアップした状態を示す図である。
実施例及び比較例に係る基板支持体の試験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施形態に限定されない。また、図面においては実施形態を説明するため、一部分を省略、又は大きく若しくは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現しており、実際の製品とは形状、寸法等が異なっている場合がある。
【００１０】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る基板支持体１０の一例を示す側面図及び一部拡大図である。図１では、基板支持体１０を積層体２０に適用した状態を示している。図１に示すように、基板支持体１０は、積層体２０において半導体基板２１（回路パターン２１Ａ）と接着することにより積層体２０を支持する。基板支持体１０は、基材１１と、貼り付け面１２と、ドット１３とを備える。基材１１は、例えば、ガラス基板、シリコンウエハが挙げられるが、シリコンウエハが望ましい。基材１１の平面視における形状は、例えば、半導体基板（半導体ウエハ）２１の形状に合わせて円形状に形成されているが、特に限定されず、四角形状、多角形状、楕円状、長円形状等であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許