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公開番号
2024171609
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-12-12
出願番号
2023088707
出願日
2023-05-30
発明の名称
半導体装置
出願人
富士電機株式会社
代理人
個人
主分類
H01L
29/78 20060101AFI20241205BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】半導体装置内で電子と正孔が再結合し発生する光により、半導体装置周辺に配置される封止樹脂が劣化することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】主電流が流れる領域である活性領域1と、活性領域1を囲むエッジ終端領域2と、エッジ終端領域2を囲む段差面51と、段差面51を囲むダイシングライン3と、を有する半導体装置において、活性領域1は、第1半導体領域20と第2半導体層42との第1のpn接合と、外周領域25と第2半導体層42と、の第2のpn接合とを有する。段差面51には活性領域内の第1および第2のpn接合に順方向電流が流れることで発生した光を遮蔽する第1の保護膜34が設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
ワイドバンドギャップ半導体からなり、第1主面と第2主面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の第1主面側からみて中央部に設けられた活性領域と、前記活性領域の周囲を囲むエッジ終端領域と、前記エッジ終端領域の周囲を囲むダイシングラインと、を有し、前記活性領域は第1導電型領域と第2導電型領域からなる異なる導電型の接合を少なくとも1つ備え、該異なる導電型の接合より前記第2主面の側となるように前記エッジ終端領域と前記ダイシングラインとの間の前記第1主面の側に設けられた段差面を備え、前記段差面は光透過率が低い第1の保護膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示(約 720 文字)
【請求項2】
前記活性領域は、絶縁ゲートを備えたMOS型半導体装置であって、前記第1導電型領域はドリフト領域であり、前記第2導電型領域はベース領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1の保護膜は、前記段差面に加えて、前記エッジ終端領域の第1主面側に設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1の保護膜は、可視光波長領域の光透過率が、5%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1の保護膜は、青色より波長が短い可視光の透過率が、5%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1の保護膜は紫外光の透過率が5%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1の保護膜は、ポリイミドによる有機膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1の保護膜はノンドープのポリシリコンまたはアモルファスシリコンによる無機膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第1の保護膜は、膜厚が10μm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記段差面において、前記半導体基板と、前記第1の保護膜との間に、第2の保護膜をさらに設けることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 970 文字)
【背景技術】
【0002】
ワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体装置において、半導体チップのpn接合で発生する光による封止樹脂の劣化を防ぐため、半導体チップと封止樹脂間に、封止樹脂を劣化させる特定の波長を有する光を遮断する機能領域を備える半導体装置が公知である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特許第6892997号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体チップ内において電子と正孔が再結合し発生する光によるチップ側端部の封止樹脂の劣化を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明に係る半導体装置は次の特徴を有する。
【0006】
ワイドバンドギャップ半導体からなり、第1主面と第2主面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の第1主面側からみて中央部に設けられた活性領域と、前記活性領域の周囲を囲むエッジ終端領域と、前記エッジ終端領域を囲むダイシングラインと、を有し、前記活性領域は第1導電型領域と第2導電型領域からなる異なる導電型の接合を少なくとも一つ備え、該異なる導電型の接合より前記第2主面の側となるように前記エッジ終端領域と前記ダイシングラインとの間の前記第1主面の側に設けられた段差面を備え、前記段差面は光透過率が低い第1の保護膜で覆われていることを特徴とする。
【0007】
前記活性領域は絶縁ゲートを備えたMOS型半導体装置であって、前記第1導電型領域はドリフト領域であり、前記第2導電型領域はベース領域である。
【0008】
前記第1の保護膜は、前記段差面に加えて、前記エッジ終端領域の第1主面側に設けられることを特徴とする。
【0009】
前記第1の保護膜は、可視光波長領域の光透過率が5%以下であることを特徴とする。
【0010】
前記第1の保護膜は、青色より波長の短い可視光の透過率が5%以下であることを特徴とする。
(【0011】以降は省略されています)
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