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公開番号2024175511
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-18
出願番号2023093345
出願日2023-06-06
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/039 20060101AFI20241211BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】感度、ラフネス、及びエッチング耐性のいずれも良好なレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、前記樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を含む、レジスト組成物。Rは、水素原子、炭素原子数1～5のアルキル基又は炭素原子数1～5のハロゲン化アルキル基を表し;L⁰は、単結合又は2価の連結基を表し;X⁰は、酸素原子、硫黄原子、又は-N(Rx⁰)-で表される基を表し、Rx⁰は、炭素原子数1～3のアルキル基を表し;Rpgは、酸解離性基を表し;R⁰は、置換基を表し;n0は、0～4の整数を表す。
[化1]
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特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０）を含む、レジスト組成物。
TIFF
2024175511000123.tif
34
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０
は、単結合又は２価の連結基を表し；Ｘ
０
は、酸素原子、硫黄原子、又は－Ｎ（Ｒｘ
０
）－で表される基を表し、Ｒｘ
０
は、炭素原子数１～３のアルキル基を表し；Ｒｐｇは、酸解離性基を表し；Ｒ
０
は、置換基を表し；ｎ０は、０～４の整数を表す。］
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
支持体上に、請求項１に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項３】
下記一般式（ｍ０－１）で表される、化合物。
TIFF
2024175511000124.tif
34
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０
は、単結合又は２価の連結基を表し；Ｘ
０
は、酸素原子、硫黄原子、又は－Ｎ（Ｒｘ
０
）－で表される基を表し、Ｒｘ
０
は、炭素原子数１～３のアルキル基を表し；Ｒｐｇは、酸解離性基を表し；Ｒ
０１
は、塩素原子以外の置換基を表し；ｎ０は、０～４の整数を表す。］
【請求項４】
下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０）を有する、高分子化合物。
TIFF
2024175511000125.tif
34
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０
は、単結合又は２価の連結基を表し；Ｘ
０
は、酸素原子、硫黄原子、又は－Ｎ（Ｒｘ
０
）－で表される基を表し、Ｒｘ
０
は、炭素原子数１～３のアルキル基を表し；Ｒｐｇは、酸解離性基を表し；Ｒ
０
は、置換基を表し；ｎ０は、０～４の整数を表す。］

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、前記基材成分として、複数の構成単位を有する樹脂が用いられている。
例えば、特許文献１には、不飽和結合を有する酸解離性基が結合した構成単位を有する樹脂成分を含有するレジスト組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－１００１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。このようにレジストパターン寸法が小さくなるほど、感度及びラフネス等のリソグラフィー特性を各々トレードオフすることなく、改善することが求められる。
しかしながら、これらのリソグラフィー特性はトレードオフの関係にあり、これらの特性をいずれも満足させることは困難である。
さらに、微細パターンに伴うレジスト膜の薄膜化に伴い、エッチング耐性の高いレジスト膜を形成可能なレジスト組成物が求められている。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度、ラフネス、及びエッチング耐性のいずれも良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、当該レジスト組成物の製造に利用可能な高分子化合物、並びに当該高分子化合物の合成に利用可能な化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０）を含む、レジスト組成物である。
【０００９】
TIFF
2024175511000001.tif
34
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０
は、単結合又は２価の連結基を表し；Ｘ
０
は、酸素原子、硫黄原子、又は－Ｎ（Ｒｘ
０
）－で表される基を表し、Ｒｘ
０
は、炭素原子数１～３のアルキル基を表し；Ｒｐｇは、酸解離性基を表し；Ｒ
０
は、置換基を表し；ｎ０は、０～４の整数を表す。］
【００１０】
本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とする、レジストパターン形成方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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