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公開番号2025013083
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023136671
出願日2023-07-14
発明の名称露光方法
出願人個人
代理人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20250117BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】安価で集積度が高い回路を製作する露光方法。
【解決手段】マスクをグラフェン又はグラファイト板につり下げて固定し、マスクのパターン下面をグラフェン又はグラファイトで覆って、ホトレジストも氷の層を介してグラフエンで覆うか、静電気力にてホトレジストにグラフエンを固着して覆い、マスクとホトレジストのグラフエンカバーとの間に静電反発力を働かせて、マスクとホトレジスト間を平行に微小距離離して位置合わせする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
マスクをグラフェン又はグラフアイト板の平面下につり下げて、密着露光又はプロキシミテイ露光する露光方法。
続きを表示（約 200 文字）【請求項２】
グラフェン又はグラフアイト間に少し電導性のあるパターン構造又は絶縁体の構造をはさんだマスクの両側のグラフエン又はグラフアイトに異なる電位をかけ、ホトレジスを覆うグラフエンに、相対しているマスク側のグラフエン又はグラフアイトと同じ電位をかけて、前記マスクとホトレジストを静電気力にて反発させて、マスクとホトレジストを微小距離離してマスクの位置合わせする請求項１記載の露光方法。

発明の詳細な説明【０００１】
本発明は集積回路を製造する露光方法に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
集積回路を高密度化すれば、高性能となるため、今まで高密度化の努力が続けられてきた。
【０００３】
そこで集積回路の製作の要である露光について安価でランニングコストが安く微細パターンを得る露光方法が求められていた。
【先行技術文献】
【０００４】
特開２０２３－６９９８２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
密着露光又はプロキシミテイ露光にて、マスクとホトレジストとの位置合わせ時、密着して実施すれば、マスクとホトレジスト間の圧力が大きい程、微粒子発生が増大し、又少し離して位置合わせすると、その離した距離が長い程、密着露光時位置合わせの誤差が増大する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そして本発明方法は上記目的を達成するために、マスクをグラフエン又はグラフアイ板につるして固定して、マスクとホトレジスト間の微小間隙を得るために、静電気反発力を利用している。
【発明の効果】
【０００７】
本発明露光方法は、上記のような方法をとっているので、マスクは、弾力性がありヤング率が非常に高く堅牢なグラフエン又はグラフアイトの平面方向では振動し難く、グラフェン又はグラファイト平面に垂直方向には、微小距離内では容易に移動できる。
【０００８】
又グラフエン又はグラフアイトの間にマスクパターンをはさんで、マスクパターンの両側面にあるグラフェン又はグラフアイトに異なる電位をかけ、ホトレジストを覆うグラフエンカバーには、マスクの相対するグラフェン又はグラフアイトと同じ電位をかけると、前記二者電極間の距離ｘとすると、１／ｘ
２
に比例する電気反発力が生じ、ホトレジストとマスクの距離が非常に小さく、かつほぼ一定とできる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
電子線又はＥＵＶ光露光時本発明露光方法の密着露光説明図
極短波長紫外線による露光時、本発明露光方法の露光説明図
【実施例】
【００１０】
図１に示した電子線又はＥＵＶ光露光時、電子線源側と露光部位側とをグラフエン隔壁１にて分離し、露光部位２は非常に薄い大気圧とする。露光部位２側にグラフエン又はグラフアイト板３を設置し、グラフエン又はグラフアイト上面４とグラフエン又はグラフアイト下面５の間にパターン６をはさんだマスク７を下につるす。
（【００１１】以降は省略されています）

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