特許ウォッチ

公開番号2025036785
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-17
出願番号2023143307
出願日2023-09-05
発明の名称露光機振動・MSDの同定方法
出願人個人
代理人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20250310BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】半導体デバイス製造に於けるデバイス及び回路パターンの転写・リソグラフィ技術において、その製造容易性を高めることを目的とする。
【解決手段】半導体素子パターニングのリソグラフィ・投影露光に於いて、その振動を定量的に同定する手法として、試験マスクパターンに密集形状及び孤立形状を同時に持つテストパターンを用いて、露光量Doseを変化させながら試験ウェハ上に順に焼き付けを行う。密集線と孤立線でのパターン消失露光量の比を求める事で、MSDひいては振動量を定量的に同定する手法を提供する事が可能となる。絶対値の校正については、現行のメカニカルな手法及びシミュレーションとの間で相互に比較する事により補償を行う。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
露光機の振動を定量的に同定する手法として、試験マスクパターンに密集形状及び孤立形状を同時に持つテストパターンを用いて、露光量Doseを変化させながら試験ウェハ上に順に焼き付けを行い、パターンの消失露光量比を求める事でMSDを定量的に同定する手法。
続きを表示（約 90 文字）【請求項２】
試験パターンの密集及び孤立形状に様々なパターンを試しながら、結像シミュレーションと実計測で相互に補償を行い計測制度を向上させる請求項１に記載の手法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
半導体デバイス製造に於けるデバイス及び回路パターンの転写・リソグラフィ技術。
続きを表示（約 1,100 文字）【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
検索に掛からず、特になし。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体デバイス製造に於けるデバイス及び回路パターンの転写・リソグラフィ技術において、その製造容易性を高めることを目的とする。具体的には露光機トータルでの振動を定量的に同定する手法を提供する事で、露光機振動要因の解析を手助けし、転写像質の急激な劣化をもたらす振動要因低減に繋げる。ひいては半導体デバイスの安定生産に寄与する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
半導体素子パターニングのリソグラフィ・投影露光に於いて、その振動を定量的に同定する手法として、試験マスクパターンに密集形状及び孤立形状を同時に持つテストパターンを用いて、露光量Doseを変化させながら試験ウェハ上に順に焼き付けを行う。Posi型のレジストを考えた場合、テストパターンの寸法に適度な値を持つと、スキャン同期露光のみならずスタティックな露光に於いても、その振動量に対応するMSD（移動平均からの乖離量）に応じて、露光量の低い側にて密集線と孤立線のパターンの消失の速さに違いが生じる事がシミュレーションにより得られた。従って、密集線と孤立線でのパターン消失露光量の比を求める事で、MSDひいては振動量を定量的に同定する手法を提供する事が可能となる。但し、本手法には化学増幅型レジストに於ける酸の拡散長も含まれて算出される。
【発明の効果】
【０００５】
露光機の振動を定量的に同定する手法を提供する事で、露光機振動要因の解析を手助けし、転写像質の急激な劣化をもたらす振動要因低減に繋げる。ひいては半導体デバイスの安定生産に寄与する事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
用いる試験マスクパターンの例
MSDも含めた結像計算例
MSDが小さい場合の結像シミュレーション、光強度分布・コントラスト計算例
MSDが中程度の場合の結像シミュレーション、光強度分布・コントラスト計算例
MSDが大きい場合の結像シミュレーション、光強度分布・コントラスト計算例
振動・MSDの悪化に伴う、パターン喪失露光量比の増加の例
【産業上の利用可能性】
【０００７】
一般的な現行露光機の機能の範囲で実施が可能なため、実試験マスクパターンさへ作成すれば、直ちに露光機製造現場及び半導体デバイス製造現場への展開が可能である。

関連特許