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公開番号2024119559
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-03
出願番号2023026551
出願日2023-02-22
発明の名称弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20240827BHJP(基本電子回路)
要約【課題】空隙を有する中間層の支持基板からの剥がれを抑制することが可能な弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、支持基板10と、支持基板上に設けられる圧電層14と、圧電層上に設けられ、複数の電極指18を備える少なくとも一対の櫛型電極20と、支持基板と圧電層との間に設けられる第1中間層28と、支持基板と第1中間層との間に設けられ、第1中間層内の空隙率より空隙率が高い第2中間層11と、支持基板と第2中間層との間に設けられ、第2中間層の空隙率より空隙率が低い第3中間層15とを備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられる圧電層と、
前記圧電層上に設けられ、複数の電極指を備える少なくとも一対の櫛型電極と、
前記支持基板と前記圧電層との間に設けられる第１中間層と、
前記支持基板と前記第１中間層との間に設けられ、前記第１中間層内の空隙率より空隙率が高い第２中間層と、
前記支持基板と前記第２中間層との間に設けられ、前記第２中間層の空隙率より空隙率が低い第３中間層と、
を備える弾性波デバイス。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記第１中間層の空隙率は３％以下であり、
前記第２中間層の空隙率は５％以上であり、
前記第３中間層の空隙率は３％以下である請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられる圧電層と、
前記圧電層上に設けられ、複数の電極指を備える少なくとも一対の櫛型電極と、
前記支持基板と前記圧電層との間に設けられる第１中間層と、
前記支持基板と前記第１中間層との間に設けられ、前記第１中間層のＱ値よりＱ値が小さい第２中間層と、
前記支持基板と前記第２中間層との間に設けられ、前記第２中間層のＱ値よりＱ値が大きい第３中間層と、
を備える弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第２中間層と前記第３中間層とは、同じ材料からなる請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第３中間層の厚さは、１５ｎｍ以上かつ１５００ｎｍ以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第３中間層は、前記第２中間層と前記第１中間層との間と、前記第２中間層の側面と、に設けられる請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１中間層は、酸化シリコン膜である第４中間層と、前記酸化シリコン膜と前記第２中間層との間に設けられ、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミウム膜、窒化シリコン膜または炭化シリコン膜である第５中間層と、を備える請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記圧電層は、単結晶タンタル酸リチウム基板または単結晶ニオブ酸リチウム基板である請求項７に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記圧電層の厚さは、前記複数の電極指の平均ピッチの２倍以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるフィルタ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば一対の櫛型電極を有する弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
スマートフォン等の通信機器に用いられる弾性波共振器として、弾性表面波共振器が知られている。弾性表面波共振器を形成する圧電層を支持基板に接合することが知られている。支持基板と圧電層との間に空隙を有する減衰層を設けることが知られている（例えば特許文献１）。支持基板と圧電層との間にＱ値の低い中間層を設けることが知られている（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２０２０－５１０３５４号公報
特開２０２２－０２５３７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
空隙を有する減衰層等の中間層を支持基板に接するように設けると、中間層が支持基板から剥がれることがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、空隙を有する中間層の支持基板からの剥がれを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、支持基板と、前記支持基板上に設けられる圧電層と、前記圧電層上に設けられ、複数の電極指を備える少なくとも一対の櫛型電極と、前記支持基板と前記圧電層との間に設けられる第１中間層と、前記支持基板と前記第１中間層との間に設けられ、前記第１中間層内の空隙率より空隙率が高い第２中間層と、前記支持基板と前記第２中間層との間に設けられ、前記第２中間層の空隙率より空隙率が低い第３中間層と、を備える弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記第１中間層の空隙率は３％以下であり、前記第２中間層の空隙率は５％以上であり、前記第３中間層の空隙率は３％以下である構成とすることができる。
【０００８】
本発明は、支持基板と、前記支持基板上に設けられる圧電層と、前記圧電層上に設けられ、複数の電極指を備える少なくとも一対の櫛型電極と、前記支持基板と前記圧電層との間に設けられる第１中間層と、前記支持基板と前記第１中間層との間に設けられ、前記第１中間層のＱ値よりＱ値が小さい第２中間層と、前記支持基板と前記第２中間層との間に設けられ、前記第２中間層のＱ値よりＱ値が大きい第３中間層と、を備える弾性波デバイスである。
【０００９】
上記構成において、前記第２中間層と前記第３中間層とは、同じ材料からなる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第３中間層の厚さは、１５ｎｍ以上かつ１５００ｎｍ以下である構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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