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公開番号2024058234
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-25
出願番号2022165466
出願日2022-10-14
発明の名称半導体装置、電力変換装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20240418BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】端子における接合によって発生する熱が、半導体素子に伝わりにくくする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置4は、第1の厚さを有する板状の導体8と、導体8の一部を封止する絶縁体60と、絶縁体60に封止され、導体8の一部と電気的に接続される半導体素子64aと、絶縁体60の外部において導体8と接合される端子9と、を備える。導体8と端子9とが接合される部位7から半導体素子64aへ向かって絶縁体60に至るまでの導体8に沿った距離aが、第1の厚さtよりも大きい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１の厚さを有する板状の導体と、
前記導体の一部を封止する絶縁体と、
前記絶縁体に封止され、前記一部と電気的に接続される半導体素子と、
前記絶縁体の外部において前記導体と接合される端子と
を備え、
前記導体と前記端子とが接合される部位から前記半導体素子へ向かって前記絶縁体に至るまでの、前記導体に沿った長さが前記第１の厚さよりも大きい、半導体装置。
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
前記端子は、
前記導体と接触し、前記導体と接合される第１部と、
前記第１部と連結して前記第１部に対して屈曲する第２部と
を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記端子は前記第２部の前記第１部とは反対側に挿入部を有するプレスフィット端子である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１部と前記第２部とは、前記部位よりも前記半導体素子の近くにおいて連結する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１部は前記第２部とは反対側において前記導体上に端面を有する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導体は第１の方向に沿って前記第１の厚さを有し、
前記第２部は前記第１の方向において前記絶縁体との間に前記導体を挟む、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁体は入隅を有し、
前記入隅において、前記第２部は前記第１の方向において前記絶縁体との間に前記導体を挟む、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記部位は前記第１の方向に沿って前記絶縁体と並ぶ、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁体は突起を有し、
前記端子は前記突起と嵌まり合う凹部を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記一部と前記半導体素子とを接続するボンディングワイヤ
を更に備える、請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は半導体装置、電力変換装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置および半導体装置を搭載した電力変換装置の、信頼性の低下を抑制する技術が提案されている。
【０００３】
例えば半導体モジュールが、半導体ユニットと当該半導体ユニットを格納するケースとを有し、当該ケースはパワー端子を含む。連結部材が半導体モジュールとキャパシタとを電気的に接続すると共に機械的に連結する。連結部材の裏面がパワー端子に配置され、連結部材はそのおもて面から裏面を貫通する溶接部によってパワー端子に接合される。溶接部の溶け込み深さを制御することにより、接合される部位の連結部材とは反対側への熱ダメージが抑制される。このような技術は、例えば下記の特許文献１において開示される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－６８７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体素子と電気的に接続される導体を端子と接合する際に発生する熱が、導体の熱伝導により半導体素子に伝わることの抑制は、半導体装置の、ひいては電力変換装置の信頼性の向上に資すると考えられる。
【０００６】
本開示は、端子における接合によって発生する熱が、半導体素子に伝わりにくくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示にかかる半導体装置は、第１の厚さを有する板状の導体と、前記導体の一部を封止する絶縁体と、前記絶縁体に封止され、前記一部と電気的に接続される半導体素子と、前記絶縁体の外部において前記導体と接合される端子とを備える。前記導体と前記端子とが接合される部位から前記半導体素子へ向かって前記絶縁体に至るまでの、前記導体に沿った長さが前記第１の厚さよりも大きい。
【発明の効果】
【０００８】
本開示にかかる半導体装置によれば、端子における接合によって発生する熱は半導体素子に伝わりにくい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態１にかかる半導体装置の構成を例示する断面図である。
実施の形態１にかかる半導体装置の構成の一部を例示する斜視図である。
実施の形態１における導体と半導体素子との接続を例示する平面図である。
実施の形態２にかかる半導体装置の構成の第１の例を示す断面図である。
実施の形態２にかかる半導体装置の構成の第２の例を示す断面図である。
実施の形態２にかかる半導体装置の構成の第３の例を示す断面図である。
実施の形態３にかかる半導体装置の構成の第１の例を示す断面図である。
実施の形態３にかかる半導体装置の構成の第２の例を示す断面図である。
実施の形態４にかかる半導体装置の構成を例示する断面図である。
実施の形態５にかかる半導体装置に利用される半導体モジュールおよび導体の外観を例示する斜視図である。
実施の形態５にかかる半導体装置の外観を例示する斜視図である。
図１１の位置ＨＨにおける半導体装置の断面図である。
実施の形態８にかかる電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかる半導体装置４の構成を例示する断面図である。図２は、実施の形態１にかかる半導体装置４の構成の一部を例示する斜視図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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