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公開番号2024053805
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-16
出願番号2022160235
出願日2022-10-04
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240409BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の低背化を図ること。
【解決手段】半導体装置10は、電極28A,28Cが形成された素子表面21を有する半導体素子20と、端子表面31を有し、平面視において半導体素子20の周囲に配置された端子30A,30Cと、絶縁表面41を有し、半導体素子20と端子30A,30Cとの間に設けられた絶縁部材40と、電極28A,28Cと端子30A,30Cとを個別に接続するインク配線50A,50Cと、半導体素子20、インク配線50A,50C、絶縁部材40、および端子30A,30Cを封止する封止樹脂70と、を備える。インク配線50A,50Cは、絶縁表面41に接し、当該絶縁表面41上を通って電極28A,28Cと端子30A,30Cとを個別に接続している。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
電極が形成された素子表面と、厚さ方向において前記素子表面とは反対側の素子裏面と、を有する半導体素子と、
前記素子表面と同じ側を向く端子表面を有し、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子の周囲に配置された端子と、
前記素子表面と同じ側を向く絶縁表面を有し、前記半導体素子と前記端子との間に設けられた絶縁部材と、
前記電極と前記端子とを接続する配線と、
前記半導体素子、前記配線、前記絶縁部材、および前記端子を封止する封止樹脂と、
を備え、
前記配線は、前記絶縁表面に接し、当該絶縁表面上を通って前記電極と前記端子とを接続している
半導体装置。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記配線は、導電性インクによって形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記導電性インクは、ＡｇまたはＡｕを含む
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線は、前記端子表面と同じ側を向く配線表面を有し、
前記配線表面は、凹凸状に形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線の厚さは、１５μｍ未満である
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線の幅は、前記配線の厚さよりも大きい
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線のうち前記絶縁部材と前記半導体素子との境界上に形成された部分の厚さは、前記配線のうち前記絶縁部材上に形成された部分の厚さよりも厚い
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記配線のうち前記絶縁部材と前記端子との境界上に形成された部分の厚さは、前記配線のうち前記絶縁部材上に形成された部分の厚さよりも厚い
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記端子は、金属製の薄板によって構成されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記端子は、導電性ペーストによって形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
電極を有する半導体素子と、半導体素子から離隔して配置された端子と、半導体素子の電極と端子とを接続するボンディングワイヤと、これらを封止する封止樹脂とを備える半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体装置の一例では、半導体素子のうち電極が形成された素子表面が端子のうち素子表面と同じ側を向く端子表面よりも高い。この場合、ボンディングワイヤは、端子表面との接合部をファーストボンド部とし、半導体素子の電極との接合部をセカンドボンド部とするように形成される。これにより、ボンディングワイヤのために確保する高さを抑制できるため、半導体装置の低背化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２１－８２６４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体素子と端子とをボンディングワイヤで接続する構成では、半導体装置のさらなる低背化は困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する半導体装置は、電極が形成された素子表面と、厚さ方向において前記素子表面とは反対側の素子裏面と、を有する半導体素子と、前記素子表面と同じ側を向く端子表面を有し、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子の周囲に配置された端子と、前記素子表面と同じ側を向く絶縁表面を有し、前記半導体素子と前記端子との間に設けられた絶縁部材と、前記電極と前記端子とを接続する配線と、前記半導体素子、前記配線、前記絶縁部材、および前記端子を封止する封止樹脂と、を備え、前記配線は、前記絶縁表面に接し、当該絶縁表面上を通って前記電極と前記端子とを接続している。
【発明の効果】
【０００７】
上記半導体装置によれば、半導体装置の低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、第１実施形態の半導体装置の斜視図である。
図２は、図１の半導体装置の平面図である。
図３は、図１の半導体装置の裏面図である。
図４は、図１の半導体装置のうち半導体素子およびその周辺を拡大した平面図である。
図５は、図２のＦ５－Ｆ５線で半導体装置を切断した断面図である。
図６は、図５の配線の一部を拡大した断面図である。
図７は、第１実施形態の半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図８は、図７に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図９は、図８に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１０は、図９に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１１は、図１０に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１２は、第２実施形態の半導体装置の断面図である。
図１３は、第２実施形態の半導体装置の平面図である。
図１４は、第２実施形態の半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１５は、図１４に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１６は、図１５に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１７は、図１６に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１８は、図１７に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図１９は、第３実施形態の半導体装置の断面図である。
図２０は、第３実施形態の半導体装置の平面図である。
図２１は、第３実施形態の半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図２２は、図２１に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図２３は、図２２に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図２４は、図２３に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図２５は、図２４に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して本開示における半導体装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【００１０】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
（【００１１】以降は省略されています）

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