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公開番号2024050474
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-10
出願番号2023156944
出願日2023-09-22
発明の名称発光装置
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/0239 20210101AFI20240403BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 安価、少部品、あるいは、簡便な製造工程で製造できる発光装置を実現する。
【解決手段】 半導体レーザ素子と、側面である光入射面と、上面である光出射面と、を有する波長変換部と、光入射面及び光出射面が含まれない表面に設けられ、半導体レーザ素子からの光及び波長変換部により波長変換された光を反射する反射部と、を有する波長変換部材と、半導体レーザ素子及び波長変換部材が配置されるパッケージと、を備え、波長変換部材は、半導体レーザ素子が配置される位置から第1方向に離れた位置に配置され、光出射面は、光出射面に垂直な平面視で、半導体レーザ素子に最も近い辺から第1方向に向かって、第1方向に垂直な第2方向の幅が広くなる第1領域を有した形状であり、光出射面に垂直な平面視で、光入射面の少なくとも80%以上の領域が、光出射面の半導体レーザ素子に最も近い点を通り第2方向に平行な仮想線と重なる、発光装置。
【選択図】 図2
特許請求の範囲【請求項1】
半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子から出射された光が入射する側面である光入射面と、前記半導体レーザ素子から出射された光に基づき波長変換した光を出射する上面である光出射面と、を有する波長変換部と、前記波長変換部の前記光入射面及び光出射面が含まれない表面に設けられ、前記波長変換部に入射した前記半導体レーザ素子からの光及び前記波長変換部により波長変換された光を反射する反射部と、を有する波長変換部材と、
前記半導体レーザ素子及び前記波長変換部材が配置される配置領域を有し、前記半導体レーザ素子及び前記波長変換部材が配置される内部空間を形成するパッケージと、
を備え、
前記波長変換部材は、前記半導体レーザ素子が配置される位置から第1方向に離れた位置に配置され、
前記光出射面は、前記光出射面に垂直な平面視で、前記半導体レーザ素子に最も近い辺から前記第1方向に向かって、前記第1方向に垂直な第2方向の幅が広くなる第1領域を有した形状であり、
前記光出射面に垂直な平面視で、前記光入射面の少なくとも80%以上の領域が、前記光出射面の前記半導体レーザ素子に最も近い点を通り前記第2方向に平行な仮想線と重なる、発光装置。
続きを表示(約 460 文字)【請求項2】
前記光入射面の前記第2方向の最大幅は、前記光出射面の前記第1領域における前記第2方向の最小幅と同じである、請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記光入射面の前記第2方向の最大幅は、前記光出射面の前記第1領域における前記第2方向の最小幅よりも大きい、請求項1に記載の発光装置。
【請求項4】
前記光入射面の前記第2方向の最大幅は、前記光出射面の前記第1領域における前記第2方向の最大幅よりも小さい、請求項3に記載の発光装置。
【請求項5】
前記光入射面の全領域のうち、所定の位置より上方の領域のみに設けられ、前記半導体レーザ素子からの光及び前記波長変換部により波長変換された光を反射する、前記反射部を形成する主材料とは異なる主材料を用いて形成される反射膜をさらに備える、請求項1に記載の発光装置。
【請求項6】
前記波長変換部材の表面上で前記光入射面と前記光出射面は接続する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置に関する。
続きを表示(約 2,600 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出社される光を上方に向けて反射する反射体と、反射体によって反射された光が通過する透光体と、透光体から出射された光が入射する波長変換部材と、を備える発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2019-53130
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体レーザ素子と波長変換部材を備える発光装置であって、より安価に製造できる発光装置を実現する。
【0005】
または、上記と代替的あるいは併合的に、半導体レーザ素子と波長変換部材を備える発光装置であって、より部品点数の少ない構成の発光装置を実現する。
【0006】
または、上記と代替的あるいは併合的に、半導体レーザ素子と波長変換部材を備える発光装置であって、より簡便な製造工程で製造可能な発光装置を実現する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態に開示される発光装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射された光が入射する側面である光入射面と、前記半導体レーザ素子から出射された光に基づき波長変換した光を出射する上面である光出射面と、を有する波長変換部と、前記波長変換部の前記光入射面及び光出射面が含まれない表面に設けられ、前記波長変換部に入射した前記半導体レーザ素子からの光及び前記波長変換部により波長変換された光を反射する反射部と、を有する波長変換部材と、前記半導体レーザ素子及び前記波長変換部材が配置される配置領域を有し、前記半導体レーザ素子及び前記波長変換部材が配置される内部空間を形成するパッケージと、を備え、前記波長変換部材は、前記半導体レーザ素子が配置される位置から第1方向に離れた位置に配置され、前記光出射面は、前記光出射面に垂直な平面視で、前記半導体レーザ素子に最も近い辺から前記第1方向に向かって、前記第1方向に垂直な第2方向の幅が広くなる第1領域を有した形状であり、前記光出射面に垂直な平面視で、前記光入射面の少なくとも80%以上の領域が、前記光出射面の前記半導体レーザ素子に最も近い点を通り前記第2方向に平行な仮想線と重なる。
【0008】
実施形態に開示される1または複数の発明の少なくとも一つにおいて、上記課題の少なくとも一つを解決する発光装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1は、実施形態に係る発光装置の斜視図である。
図2は、図1のII-II断面線における断面図である。
図3Aは、実施形態に係る第一例の波長変換部材を上方から見た斜視図である。
図3Bは、実施形態に係る第一例の波長変換部材の六面図である。
図3Cは、実施形態に係る第一例の波長変換部材を備える発光装置を上方から見た斜視図である。
図3Dは、実施形態に係る第一例の波長変換部材を備える発光装置の六面図である。
図4Aは、実施形態に係る第二例の波長変換部材を上方から見た斜視図である。
図4Bは、実施形態に係る第二例の波長変換部材の六面図である。
図4Cは、実施形態に係る第二例の波長変換部材を備える発光装置を上方から見た斜視図である。
図4Dは、実施形態に係る第二例の波長変換部材を備える発光装置の六面図である。
図5Aは、実施形態に係る第三例の波長変換部材を上方から見た斜視図である。
図5Bは、実施形態に係る第三例の波長変換部材の六面図である。
図5Cは、実施形態に係る第三例の波長変換部材を備える発光装置を上方から見た斜視図である。
図5Dは、実施形態に係る第三例の波長変換部材を備える発光装置の六面図である。
図6Aは、実施形態に係る第四例の波長変換部材を上方から見た斜視図である。
図6Bは、実施形態に係る第四例の波長変換部材の六面図である。
図6Cは、実施形態に係る第四例の波長変換部材を備える発光装置を上方から見た斜視図である。
図6Dは、実施形態に係る第四例の波長変換部材を備える発光装置の六面図である。
図7Aは、実施形態に係る第五例の波長変換部材を上方から見た斜視図である。
図7Bは、実施形態に係る第五例の波長変換部材の六面図である。
図7Cは、実施形態に係る第五例の波長変換部材を備える発光装置を上方から見た斜視図である。
図7Dは、実施形態に係る第五例の波長変換部材を備える発光装置の六面図である。
図8Aは、実施形態に係る第六例の波長変換部材を上方から見た斜視図である。
図8Bは、実施形態に係る第六例の波長変換部材の六面図である。
図8Cは、実施形態に係る第六例の波長変換部材を備える発光装置を上方から見た斜視図である。
図8Dは、実施形態に係る第六例の波長変換部材を備える発光装置の六面図である。
図9Aは、実施形態に係る第七例の波長変換部材を上方から見た斜視図である。
図9Bは、実施形態に係る第七例の波長変換部材の六面図である。
図9Cは、実施形態に係る第七例の波長変換部材を備える発光装置を上方から見た斜視図である。
図9Dは、実施形態に係る第七例の波長変換部材を備える発光装置の六面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅(辺の端)に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
(【0011】以降は省略されています)

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