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公開番号2024057998
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-25
出願番号2022165067
出願日2022-10-13
発明の名称封止シートおよび電子装置
出願人日東電工株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20240418BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】電子装置の薄型化を図ることができながら、封止した電子部品が透けることを抑制することができる封止シート、および、その封止シート用いて電子部品を封止した電子装置を提供する。
【解決手段】封止シート1は、フリップチップ実装された電子部品12の封止に用いられる。封止シート1は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機充填材と、染料とを含有する封止樹脂層2を備え、無機充填材を除く封止樹脂層2中の、染料の配合割合が、4質量%以上、15質量%以下であり、封止試験によって測定された厚み比が、30%以下である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
フリップチップ実装された電子部品の封止に用いられる封止シートであって、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂と、
無機充填材と、
染料と
を含有する封止樹脂層を備え、
前記無機充填材を除く前記封止樹脂層中の、前記染料の配合割合が、4質量%以上、15質量%以下であり、
下記第1ステップから第4ステップからなる封止試験によって測定された厚み比が、30%以下である、封止シート。
第1ステップ:ガラス基板と、第1方向において300μm間隔で3つ並び、かつ、第1方向と直交する第2方向において300μm間隔で3つ並ぶ合計9つのダミーチップであって、1辺が1mmの正方形であり、厚みが200μmであり、高さ50μmのバンプを介して前記ガラス基板に接合された9つのダミーチップと、を備えるダミー基板を準備する。
第2ステップ:前記9つのダミーチップの上に、厚みT

の1つの前記封止樹脂層を載せて、真空ラミネータを用いて、真空度1.6kPa、温度65℃、かつ、圧力0.1MPaで40秒間、前記封止樹脂層を前記9つのダミーチップに向けて加圧し、前記ダミー基板に前記封止樹脂層が積層された積層体を得る。
第3ステップ:前記積層体を、大気圧下、150℃で1時間加熱し、前記封止樹脂層を硬化させる。
第4ステップ:前記厚みT

を100%としたときの、前記9つのダミーチップのそれぞれの上の前記封止樹脂層の硬化物の厚みT

の割合(厚み比)を測定する。
続きを表示(約 310 文字)【請求項2】
波長450nmにおける、透過率が0.5%以下であり、
波長550nmにおける、透過率が1.5%以下であり、
波長650nmにおける、透過率が2.7%以下である、請求項1に記載の封止シート。
【請求項3】
硬化後の前記封止樹脂層の25℃における引張貯蔵弾性率は、9GPa以上、17GPa以下である、請求項1に記載の封止シート。
【請求項4】
フリップチップ実装された電子部品と、
前記電子部品を封止する封止層と
を備え、
前記封止層は、請求項1~3のいずれか一項に記載の封止シートの前記封止樹脂層の硬化物である、電子装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、封止シート、および、電子装置に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)【背景技術】
【0002】
従来、フリップチップ実装された電子部品の封止に用いられる封止シート(熱硬化型接着シート)が知られている(例えば、下記特許文献1参照。)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2008-311348号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載されるような封止シートを用いた電子装置において、さらなる薄型化が要求されている。しかし、封止シートを薄型化すると、電子部品が透けるという不具合がある。
【0005】
本発明は、電子装置の薄型化を図ることができながら、封止した電子部品が透けることを抑制することができる封止シート、および、その封止シート用いて電子部品を封止した電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明[1]は、フリップチップ実装された電子部品の封止に用いられる封止シートであって、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機充填材と、染料とを含有する封止樹脂層を備え、無機充填材を除く封止樹脂層中の、染料の配合割合が、4質量%以上、15質量%以下であり、下記第1ステップから第4ステップからなる封止試験によって測定された厚み比が、30%以下である、封止シートを含む。
【0007】
第1ステップ:ガラス基板と、第1方向において300μm間隔で3つ並び、かつ、第1方向と直交する第2方向において300μm間隔で3つ並ぶ合計9つのダミーチップであって、1辺が1mmの正方形であり、厚みが200μmであり、高さ50μmのバンプを介してガラス基板に接合された9つのダミーチップと、を備えるダミー基板を準備する。
第2ステップ:9つのダミーチップの上に、厚みT

の1つの封止樹脂層を載せて、真空ラミネータを用いて、真空度1.6kPa、温度65℃、かつ、圧力0.1MPaで40秒間、封止樹脂層を9つのダミーチップに向けて加圧し、ダミー基板に封止樹脂層が積層された積層体を得る。
第3ステップ:積層体を、大気圧下、150℃で1時間加熱し、封止樹脂層を硬化させる。
第4ステップ:厚みT

を100%としたときの、9つのダミーチップのそれぞれの上の封止樹脂層の硬化物の厚みT

の割合(厚み比)を測定する。
【0008】
本発明[2]は、波長450nmにおける、透過率が0.5%以下であり、波長550nmにおける、透過率が1.5%以下であり、波長650nmにおける、透過率が2.7%以下である、[1]の封止シートを含む。
【0009】
本発明[3]は、硬化後の前記封止樹脂層の25℃における引張貯蔵弾性率は、9GPa以上、17GPa以下である、[1]または[2]の封止シートを含む。
【0010】
本発明[4]は、フリップチップ実装された電子部品と、電子部品を封止する封止層とを備え、封止層は、[1]~[3]のいずれか1つの封止シートの封止樹脂層の硬化物である、電子装置を含む。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)

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