特許ウォッチ

公開番号2024048699
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-09
出願番号2022154764
出願日2022-09-28
発明の名称半導体ウエハ
出願人三菱電機株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/66 20060101AFI20240402BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体チップのチップサイズの拡大化および半導体チップの低品質化を抑制しつつ高周波テストを容易に実現できる半導体ウエハを得ること。
【解決手段】半導体ウエハが、X軸方向に並べられた半導体チップT1～T3を備え、半導体チップT1,T2間に配置された入力用テストパッド22Dが、半導体チップT2の入力用ワイヤパッド12Lに接続可能となっており、半導体チップT2,T3間に配置された出力用テストパッド22Uが、半導体チップT2の出力用ワイヤパッド12Rに接続可能となっており、半導体チップT1のグランドパッドG1dと、半導体チップT2のグランドパッドG2bと、入力用テストパッド22Dとは、X軸方向に平行な第1の直線状に並べて配置され、半導体チップT2のグランドパッドG2cと、半導体チップT3のグランドパッドG3aと、出力用テストパッド22Uとは、X軸方向に平行な第2の直線状に並べて配置されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１の方向に等間隔で並べられた同じ形状の第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、および第３の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間に設けられた第１のダイシングエリアと、
前記第２の半導体チップと前記第３の半導体チップとの間に設けられた第２のダイシングエリアと、
前記第１のダイシングエリアに配置された高周波テスト用の第１のテストパッドと、
前記第２のダイシングエリアに配置された前記高周波テスト用の第２のテストパッドと、
前記第１の半導体チップに配置された第１のグランドパッドと、
前記第２の半導体チップに配置された第２のグランドパッドと、
前記第２の半導体チップに配置された第３のグランドパッドと、
前記第３の半導体チップに配置された第４のグランドパッドと、
前記第２の半導体チップに配置され組立時に第１のワイヤがボンディングされる第１の組立用ワイヤパッドと、
前記第２の半導体チップに配置され組立時に第２のワイヤがボンディングされる第２の組立用ワイヤパッドと、
を備え、
前記第１のテストパッドは、前記第１の組立用ワイヤパッドに接続可能となっており、
前記第２のテストパッドは、前記第２の組立用ワイヤパッドに接続可能となっており、
前記第１のグランドパッドと、前記第１のテストパッドと、前記第２のグランドパッドとは、前記第１の方向に平行な第１の直線状に並べて配置され、
前記第３のグランドパッドと、前記第２のテストパッドと、前記第４のグランドパッドとは、前記第１の方向に平行な第２の直線状に並べて配置されている、
ことを特徴とする半導体ウエハ。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記第１のテストパッドと前記第１の組立用ワイヤパッドとは、第１の配線によって接続されており、
前記第２のテストパッドと前記第２の組立用ワイヤパッドとは、第２の配線によって接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ。
【請求項３】
前記第１の半導体チップに配置され組立時に第３のワイヤがボンディングされる第３の組立用ワイヤパッドと、
前記第３の半導体チップに配置され組立時に第４のワイヤがボンディングされる第４の組立用ワイヤパッドと、
前記第１のテストパッドとの接続を前記第１の組立用ワイヤパッドまたは前記第３の組立用ワイヤパッドに切り替える第１のスイッチ回路と、
前記第２のテストパッドとの接続を前記第２の組立用ワイヤパッドまたは前記第４の組立用ワイヤパッドに切り替える第２のスイッチ回路と、
をさらに備え、
前記高周波テストの際には、前記第１のスイッチ回路が、前記第１のテストパッドと前記第１の組立用ワイヤパッドとを接続し、前記第２のスイッチ回路が、前記第２のテストパッドと前記第２の組立用ワイヤパッドとを接続する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ。
【請求項４】
前記第１の半導体チップに配置され組立時に第３のワイヤがボンディングされる第３の組立用ワイヤパッドと、
前記第３の半導体チップに配置され組立時に第４のワイヤがボンディングされる第４の組立用ワイヤパッドと、
前記第３の組立用ワイヤパッドから送られてくる信号を前記第１のテストパッドに送り、前記第１のテストパッドから送られてくる信号を前記第１の組立用ワイヤパッドに送る第１のサーキュレータ回路と、
前記第２の組立用ワイヤパッドから送られてくる信号を前記第２のテストパッドに送り、前記第２のテストパッドから送られてくる信号を前記第４の組立用ワイヤパッドに送る第２のサーキュレータ回路と、
をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、高周波テスト用のテストパッドを有した半導体ウエハに関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、半導体ウエハ上に形成され、半導体ウエハ上で電気特性をチェックするためのテストが実行された後、ダイシングされて、半導体チップのパッドにワイヤがボンディングされることで製造される。
【０００３】
半導体ウエハ上の各半導体チップには、組立時にワイヤがボンディングされる組立用パッドが形成されている。そして、半導体チップのテストの際には、組立用パッドにプローブを接触させ、組立用パッドを介して半導体チップへの信号の入出力が行われていた。このような半導体チップの場合、テストの際にプローブを組立用パッドに接触させると、組立用パッドのメタルが削れる、または凹むといった不具合が生じる場合がある。このような不具合があると、組立時にワイヤのボンディング力が低下するので組立工程での不良が増加し、製品品質が低下する要因となる。
【０００４】
組立時の不具合を防止する方法として、半導体ウエハ上の各半導体チップに組立用パッドとテスト時に用いられるテストパッドとを形成しておき、テストの際にはテストパッドを用いる方法がある。この方法では、半導体チップのチップサイズが大きくなり、１枚の半導体ウエハから取れる半導体チップの個数が少なくなる。
【０００５】
特許文献１に記載の半導体ウエハは、半導体ウエハから半導体チップが切り出される際に切削される領域であるダイシングエリア（半導体チップ間の領域）に、テストパッドが配置されている。これにより、特許文献１に記載の半導体ウエハでは、チップサイズが大きくなることを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００７－２３４６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の技術では、基準電位に接続されるグランドパッドが配置されておらず、ＲＦ（Radio Frequency、高周波）テストを実行できない。上記特許文献１の技術において、半導体チップ内にグランドパッドを配置した場合、ダイシングエリアに配置された複数のテストパッドと、半導体チップ内に配置される複数のグランドパッドとを直線状に配置することができず、高周波テストの実現が困難であるという問題があった。
【０００８】
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体チップのチップサイズの拡大化および半導体チップの低品質化を抑制しつつ、高周波テストを容易に実現できる半導体ウエハを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示の半導体ウエハは、第１の方向に等間隔で並べられた同じ形状の第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、および第３の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に設けられた第１のダイシングエリアと、第２の半導体チップと第３の半導体チップとの間に設けられた第２のダイシングエリアとを備えている。また、本開示の半導体ウエハは、第１のダイシングエリアに配置された高周波テスト用の第１のテストパッドと、第２のダイシングエリアに配置された高周波テスト用の第２のテストパッドと、第１の半導体チップに配置された第１のグランドパッドと、第２の半導体チップに配置された第２のグランドパッドと、第２の半導体チップに配置された第３のグランドパッドと、第３の半導体チップに配置された第４のグランドパッドと、第２の半導体チップに配置され組立時に第１のワイヤがボンディングされる第１の組立用ワイヤパッドと、第２の半導体チップに配置され組立時に第２のワイヤがボンディングされる第２の組立用ワイヤパッドとを備えている。第１のテストパッドは、第１の組立用ワイヤパッドに接続可能となっており、第２のテストパッドは、第２の組立用ワイヤパッドに接続可能となっている。第１のグランドパッドと、第１のテストパッドと、第２のグランドパッドとは、第１の方向に平行な第１の直線状に並べて配置され、第３のグランドパッドと、第２のテストパッドと、第４のグランドパッドとは、第１の方向に平行な第２の直線状に並べて配置されている。
【発明の効果】
【００１０】
本開示にかかる半導体ウエハは、半導体チップのチップサイズの拡大化および半導体チップの低品質化を抑制しつつ、高周波テストを容易に実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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