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公開番号2024048699
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-09
出願番号2022154764
出願日2022-09-28
発明の名称半導体ウエハ
出願人三菱電機株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/66 20060101AFI20240402BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体チップのチップサイズの拡大化および半導体チップの低品質化を抑制しつつ高周波テストを容易に実現できる半導体ウエハを得ること。
【解決手段】半導体ウエハが、X軸方向に並べられた半導体チップT1~T3を備え、半導体チップT1,T2間に配置された入力用テストパッド22Dが、半導体チップT2の入力用ワイヤパッド12Lに接続可能となっており、半導体チップT2,T3間に配置された出力用テストパッド22Uが、半導体チップT2の出力用ワイヤパッド12Rに接続可能となっており、半導体チップT1のグランドパッドG1dと、半導体チップT2のグランドパッドG2bと、入力用テストパッド22Dとは、X軸方向に平行な第1の直線状に並べて配置され、半導体チップT2のグランドパッドG2cと、半導体チップT3のグランドパッドG3aと、出力用テストパッド22Uとは、X軸方向に平行な第2の直線状に並べて配置されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
第1の方向に等間隔で並べられた同じ形状の第1の半導体チップ、第2の半導体チップ、および第3の半導体チップと、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に設けられた第1のダイシングエリアと、
前記第2の半導体チップと前記第3の半導体チップとの間に設けられた第2のダイシングエリアと、
前記第1のダイシングエリアに配置された高周波テスト用の第1のテストパッドと、
前記第2のダイシングエリアに配置された前記高周波テスト用の第2のテストパッドと、
前記第1の半導体チップに配置された第1のグランドパッドと、
前記第2の半導体チップに配置された第2のグランドパッドと、
前記第2の半導体チップに配置された第3のグランドパッドと、
前記第3の半導体チップに配置された第4のグランドパッドと、
前記第2の半導体チップに配置され組立時に第1のワイヤがボンディングされる第1の組立用ワイヤパッドと、
前記第2の半導体チップに配置され組立時に第2のワイヤがボンディングされる第2の組立用ワイヤパッドと、
を備え、
前記第1のテストパッドは、前記第1の組立用ワイヤパッドに接続可能となっており、
前記第2のテストパッドは、前記第2の組立用ワイヤパッドに接続可能となっており、
前記第1のグランドパッドと、前記第1のテストパッドと、前記第2のグランドパッドとは、前記第1の方向に平行な第1の直線状に並べて配置され、
前記第3のグランドパッドと、前記第2のテストパッドと、前記第4のグランドパッドとは、前記第1の方向に平行な第2の直線状に並べて配置されている、
ことを特徴とする半導体ウエハ。
続きを表示(約 900 文字)【請求項2】
前記第1のテストパッドと前記第1の組立用ワイヤパッドとは、第1の配線によって接続されており、
前記第2のテストパッドと前記第2の組立用ワイヤパッドとは、第2の配線によって接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ。
【請求項3】
前記第1の半導体チップに配置され組立時に第3のワイヤがボンディングされる第3の組立用ワイヤパッドと、
前記第3の半導体チップに配置され組立時に第4のワイヤがボンディングされる第4の組立用ワイヤパッドと、
前記第1のテストパッドとの接続を前記第1の組立用ワイヤパッドまたは前記第3の組立用ワイヤパッドに切り替える第1のスイッチ回路と、
前記第2のテストパッドとの接続を前記第2の組立用ワイヤパッドまたは前記第4の組立用ワイヤパッドに切り替える第2のスイッチ回路と、
をさらに備え、
前記高周波テストの際には、前記第1のスイッチ回路が、前記第1のテストパッドと前記第1の組立用ワイヤパッドとを接続し、前記第2のスイッチ回路が、前記第2のテストパッドと前記第2の組立用ワイヤパッドとを接続する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ。
【請求項4】
前記第1の半導体チップに配置され組立時に第3のワイヤがボンディングされる第3の組立用ワイヤパッドと、
前記第3の半導体チップに配置され組立時に第4のワイヤがボンディングされる第4の組立用ワイヤパッドと、
前記第3の組立用ワイヤパッドから送られてくる信号を前記第1のテストパッドに送り、前記第1のテストパッドから送られてくる信号を前記第1の組立用ワイヤパッドに送る第1のサーキュレータ回路と、
前記第2の組立用ワイヤパッドから送られてくる信号を前記第2のテストパッドに送り、前記第2のテストパッドから送られてくる信号を前記第4の組立用ワイヤパッドに送る第2のサーキュレータ回路と、
をさらに備える、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、高周波テスト用のテストパッドを有した半導体ウエハに関する。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
半導体チップは、半導体ウエハ上に形成され、半導体ウエハ上で電気特性をチェックするためのテストが実行された後、ダイシングされて、半導体チップのパッドにワイヤがボンディングされることで製造される。
【0003】
半導体ウエハ上の各半導体チップには、組立時にワイヤがボンディングされる組立用パッドが形成されている。そして、半導体チップのテストの際には、組立用パッドにプローブを接触させ、組立用パッドを介して半導体チップへの信号の入出力が行われていた。このような半導体チップの場合、テストの際にプローブを組立用パッドに接触させると、組立用パッドのメタルが削れる、または凹むといった不具合が生じる場合がある。このような不具合があると、組立時にワイヤのボンディング力が低下するので組立工程での不良が増加し、製品品質が低下する要因となる。
【0004】
組立時の不具合を防止する方法として、半導体ウエハ上の各半導体チップに組立用パッドとテスト時に用いられるテストパッドとを形成しておき、テストの際にはテストパッドを用いる方法がある。この方法では、半導体チップのチップサイズが大きくなり、1枚の半導体ウエハから取れる半導体チップの個数が少なくなる。
【0005】
特許文献1に記載の半導体ウエハは、半導体ウエハから半導体チップが切り出される際に切削される領域であるダイシングエリア(半導体チップ間の領域)に、テストパッドが配置されている。これにより、特許文献1に記載の半導体ウエハでは、チップサイズが大きくなることを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2007-234670号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、上記特許文献1の技術では、基準電位に接続されるグランドパッドが配置されておらず、RF(Radio Frequency、高周波)テストを実行できない。上記特許文献1の技術において、半導体チップ内にグランドパッドを配置した場合、ダイシングエリアに配置された複数のテストパッドと、半導体チップ内に配置される複数のグランドパッドとを直線状に配置することができず、高周波テストの実現が困難であるという問題があった。
【0008】
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体チップのチップサイズの拡大化および半導体チップの低品質化を抑制しつつ、高周波テストを容易に実現できる半導体ウエハを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示の半導体ウエハは、第1の方向に等間隔で並べられた同じ形状の第1の半導体チップ、第2の半導体チップ、および第3の半導体チップと、第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間に設けられた第1のダイシングエリアと、第2の半導体チップと第3の半導体チップとの間に設けられた第2のダイシングエリアとを備えている。また、本開示の半導体ウエハは、第1のダイシングエリアに配置された高周波テスト用の第1のテストパッドと、第2のダイシングエリアに配置された高周波テスト用の第2のテストパッドと、第1の半導体チップに配置された第1のグランドパッドと、第2の半導体チップに配置された第2のグランドパッドと、第2の半導体チップに配置された第3のグランドパッドと、第3の半導体チップに配置された第4のグランドパッドと、第2の半導体チップに配置され組立時に第1のワイヤがボンディングされる第1の組立用ワイヤパッドと、第2の半導体チップに配置され組立時に第2のワイヤがボンディングされる第2の組立用ワイヤパッドとを備えている。第1のテストパッドは、第1の組立用ワイヤパッドに接続可能となっており、第2のテストパッドは、第2の組立用ワイヤパッドに接続可能となっている。第1のグランドパッドと、第1のテストパッドと、第2のグランドパッドとは、第1の方向に平行な第1の直線状に並べて配置され、第3のグランドパッドと、第2のテストパッドと、第4のグランドパッドとは、第1の方向に平行な第2の直線状に並べて配置されている。
【発明の効果】
【0010】
本開示にかかる半導体ウエハは、半導体チップのチップサイズの拡大化および半導体チップの低品質化を抑制しつつ、高周波テストを容易に実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)

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