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公開番号2024057972
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-25
出願番号2022165002
出願日2022-10-13
発明の名称封止シートおよび電子装置
出願人日東電工株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20240418BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】電子装置の薄型化を図ることができる封止シート、および、その封止シート用いて電子部品を封止した電子装置を提供する。
【解決手段】
封止シート1は、フリップチップ実装された電子部品12の封止に用いられる。封止シート1は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機充填材とを含有する封止樹脂層2を備え、無機充填材の最大粒子径が、30μm以下であり、90℃における封止樹脂層2の粘度が430kPa・s以下であり、封止試験によって測定された厚み比が、30%以下である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
フリップチップ実装された電子部品を封止するための封止シートであって、
エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機充填材とを含有する封止樹脂層を備え、
前記無機充填材の最大粒子径が、３０μｍ以下であり、
９０℃における前記封止樹脂層の粘度が４３０ｋＰａ・ｓ以下であり、
下記第１ステップから第４ステップからなる封止試験によって測定された厚み比が、３０％以下である、封止シート。
第１ステップ：ガラス基板と、第１方向において３００μｍ間隔で３つ並び、かつ、第１方向と直交する第２方向において３００μｍ間隔で３つ並ぶ合計９つのダミーチップであって、１辺が１ｍｍの正方形であり、厚みが２００μｍであり、高さ５０μｍのバンプを介して前記ガラス基板に接合された９つのダミーチップと、を備えるダミー基板を準備する。
第２ステップ：前記９つのダミーチップの上に、厚みＴ
１
の１つの前記封止樹脂層を載せて、真空ラミネータを用いて、真空度１．６ｋＰａ、温度６５℃、かつ、圧力０．１ＭＰａで４０秒間、前記封止樹脂層を前記９つのダミーチップに向けて加圧し、前記ダミー基板に前記封止樹脂層が積層された積層体を得る。
第３ステップ：前記積層体を、大気圧下、１５０℃で１時間加熱し、前記封止樹脂層を硬化させる。
第４ステップ：前記厚みＴ
１
を１００％としたときの、前記９つのダミーチップのそれぞれの上の前記封止樹脂層の硬化物の厚みＴ
２
の割合（厚み比）を測定する。
続きを表示（約 300 文字）【請求項２】
前記無機充填材の粒子は、球状である、請求項１に記載の封止シート。
【請求項３】
硬化後の前記封止樹脂層の２５℃における引張貯蔵弾性率は、１０ＧＰａ以上、１６ＧＰａ以下である、請求項１に記載の封止シート。
【請求項４】
９０℃における前記封止樹脂層の粘度が２０ｋＰａ・ｓ以上である、請求項１に記載の封止シート。
【請求項５】
フリップチップ実装された電子部品と、
前記電子部品を封止する封止層と
を備え、
前記封止層は、請求項１～４のいずれか一項に記載の封止シートの前記封止樹脂層の硬化物である、電子装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止シートおよび電子装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップ実装された電子部品の封止に用いられる封止シート（熱硬化型接着シート）が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－３１１３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されるような封止シートを用いた電子装置において、さらなる薄型化が要求されている。
【０００５】
本発明は、電子装置の薄型化を図ることができる封止シート、および、その封止シート用いて電子部品を封止した電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明［１］は、フリップチップ実装された電子部品を封止するための封止シートであって、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機充填材とを含有する封止樹脂層を備え、前記無機充填材の最大粒子径が、３０μｍ以下であり、９０℃における前記封止樹脂層の粘度が４３０ｋＰａ・ｓ以下であり、下記第１ステップから第４ステップからなる封止試験によって測定された厚み比が、３０％以下である、封止シートを含む。
【０００７】
第１ステップ：ガラス基板と、第１方向において３００μｍ間隔で３つ並び、かつ、第１方向と直交する第２方向において３００μｍ間隔で３つ並ぶ合計９つのダミーチップであって、１辺が１ｍｍの正方形であり、厚みが２００μｍであり、高さ５０μｍのバンプを介して前記ガラス基板に接合された９つのダミーチップと、を備えるダミー基板を準備する。
【０００８】
第２ステップ：前記９つのダミーチップの上に、厚みＴ
１
の１つの前記封止樹脂層を載せて、真空ラミネータを用いて、真空度１．６ｋＰａ、温度６５℃、かつ、圧力０．１ＭＰａで４０秒間、前記封止樹脂層を前記９つのダミーチップに向けて加圧し、前記ダミー基板に前記封止樹脂層が積層された積層体を得る。
【０００９】
第３ステップ：前記積層体を、大気圧下、１５０℃で１時間加熱し、前記封止樹脂層を硬化させる。
【００１０】
第４ステップ：前記厚みＴ
１
を１００％としたときの、前記９つのダミーチップのそれぞれの上の前記封止樹脂層の硬化物の厚みＴ
２
の割合（厚み比）を測定する。
（【００１１】以降は省略されています）

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