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公開番号2024058161
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-25
出願番号2022165335
出願日2022-10-14
発明の名称サセプタ
出願人日本特殊陶業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20240418BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】200℃を超えるような高温で使用できる、耐熱性の高いサセプタを提供する。
【解決手段】
サセプタ100は、SiCを主成分とする円板状のセラミック焼結体110と、セラミック焼結体110に埋設された板状の金属体120とを備えている。金属体120の厚さ(上下方向5の長さ)は、0.1mm以上である。金属体120は、セラミック焼結体110の上面111から下方に0.05mm以上離れた位置に埋設されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有し、ＳｉＣを主成分とする円板状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体に埋設され、前記上下方向の長さが０．１ｍｍ以上である板状の金属体と、を備え、
前記金属体は、前記セラミック焼結体の前記上面から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されていることを特徴とするサセプタ。
続きを表示（約 290 文字）【請求項２】
前記セラミック焼結体と前記金属体は直接的に接合している請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
前記セラミック焼結体は、内部に形成された流路を含む請求項１に記載のサセプタ。
【請求項４】
前記セラミック焼結体は、内部に形成された流路を含む請求項２に記載のサセプタ。
【請求項５】
前記金属体は、Ｗ、Ｍｏ、及びＷとＭｏの合金からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を主成分として含む請求項１～４のいずれか一項に記載のサセプタ。
【請求項６】
前記金属体は、多孔体である請求項５に記載のサセプタ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェハ等の基板を保持するサセプタに関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ウェハなどの基板を保持するサセプタが開示されている。特許文献１に記載のサセプタは、基板が載置されるセラミック焼結体（基板支持部）と、表面から０．２ｍｍ～５０ｍｍの深さに埋設された金属体（ＲＦプレート）とを備える。特許文献１に記載のサセプタにおいては、セラミック焼結体は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ
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）によって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－３００８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、サセプタは、加工容易性、高熱伝導性、及び高周波電極の兼用の観点から、ＡｌＮなどのＡｌ合金が用いられてきた。しかしながら、Ａｌ合金自体の耐熱性のため、２００℃を超えるような高温での使用には制約があった。近年の半導体プロセスのハイパワー化に伴い、耐熱性の高いサセプタが要望されている。
【０００５】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであり、２００℃を超えるような高温で使用できる、耐熱性の高いサセプタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様に従えば、上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有し、ＳｉＣを主成分とする円板状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体に埋設され、前記上下方向の長さが０．１ｍｍ以上である板状の金属体と、を備え、
前記金属体は、前記セラミック焼結体の前記上面から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されていることを特徴とするサセプタが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
金属体が、セラミック焼結体の上面から下方に０．０５ｍｍ以上離れた位置に埋設されているので、金属体を高周波電極やヒータ電極として用いることができる。金属体の厚さが０．１ｍｍ以上であるので、金属体の強度を高めることができる。また、金属体の厚さ（上下方向の長さ）を０．１ｍｍ以上にすることにより、インピーダンスを小さく抑えることができる。このことは、金属体を高周波電極として用いる場合に特に有効である。なお、一般に、Ａｌ合金製のサセプタの使用温度は、約１００℃～２００℃である。これに対して、本発明のサセプタでは、セラミック焼結体がＡｌ合金よりも高融点のＳｉＣを主成分とするセラミック材料を焼結することにより形成されているので、５００℃以上の高温で使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、サセプタ１００の斜視図である。
図２は、サセプタ１００の概略説明図である。
図３は、金属体１２０の概略説明図である。
（ａ）～（ｄ）は、セラミック焼結体１１０の製造方法（仮焼体接合法）の流れを示す図である。
（ａ）～（ｄ）は、セラミック焼結体１１０の別の製造方法（粉末ホットプレス法）の流れを示す図である。
図６は、実施例１～６の結果をまとめた表である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜サセプタ１００＞
本発明の実施形態に係るサセプタ１００について、図１、２を参照しつつ説明する。本実施形態に係るサセプタ１００は、例えば、半導体製造装置の内部でシリコンウェハなどの半導体ウェハ（以下、単にウェハ１０という）を保持する台、又は、別のサセプタを保持する台として用いられる。なお、以下の説明においては、サセプタ１００が使用可能に設置された状態（図１の状態）を基準として上下方向５が定義される。図１に示されるように、本実施形態に係るサセプタ１００は、セラミック焼結体１１０と、金属体１２０（図２、３参照）と、配線１４０（図２参照）とを備える。
【００１０】
セラミック焼結体１１０は、直径約４００ｍｍの円形の板状の形状を有する部材であり、セラミック焼結体１１０の上面１１１にはウェハ１０が載置される。セラミック焼結体１１０の厚さ（上下方向５の長さ）は１０ｍｍ～５０ｍｍが好適である。なお、図１では図面を見やすくするためにウェハ１０とセラミック焼結体１１０とを離して図示している。また、図２に示されるように、セラミック焼結体１１０の内部には、後述の第１流路１６２が形成されている。セラミック焼結体１１０は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主成分として含むセラミックス焼結体により形成されている。ここで、ＳｉＣを主成分として含むとは、ＳｉＣを９０ｗｔ％以上含むことをいう。なお、ＳｉＣを主成分として含むセラミックス焼結体には、ホウ素（Ｂ）を成分として含む焼結助剤（Ｂ成分の焼結助剤）及び／又は炭素（Ｃ）を成分として含む焼結助剤（Ｃ成分の焼結助剤）が添加されていてもよい。これらのＢ成分の焼結助剤、Ｃ成分の焼結助剤は、それぞれ、５ｗｔ％以下の濃度で添加されていてもよい。また、ＳｉＣを主成分として含むセラミックス焼結体には、Ａｌ
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、Ａｌ
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－Ｙ
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、ＡｌＢ
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などのＡｌ化合物が５ｗｔ％以下の濃度で添加されていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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