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公開番号2024055284
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-18
出願番号2022162083
出願日2022-10-07
発明の名称セラミック電子部品およびその製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20240411BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】誘電体層の焼成を不要とすることができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層された積層体を備え、前記複数の誘電体層のうち少なくともいずれかは、ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とする単結晶の誘電体層であることを特徴とする。
【選択図】図4

特許請求の範囲【請求項１】
複数の誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層された積層体を備え、
前記複数の誘電体層のうち少なくともいずれかは、ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とする単結晶の誘電体層であることを特徴とするセラミック電子部品。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記単結晶の主成分は、チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、ペロブスカイト構造を形成するＢａ
１-ｘ－ｙ
Ｃａ
ｘ
Ｓｒ
ｙ
Ｔｉ
１－ｚ
Ｚｒ
ｚ
Ｏ
３
(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記複数の前記誘電体層のうち、５０％以上の層数の前記誘電体層が単結晶であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記誘電体層の１層あたりの平均厚みは、０．００５μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記内部電極層の１層あたりの平均厚みは、０．００５μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記複数の内部電極層は、前記積層体の２端面に交互に露出して外部電極に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とする単結晶誘電体層と、内部電極層とを交互に積層する工程を含むことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記単結晶誘電体層上に、前記内部電極層の主成分金属の粉末を含む内部電極パターンを印刷し、前記内部電極パターンを焼成することによって、前記内部電極層を形成することを特徴とする請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記単結晶誘電体層上に、真空成膜法により前記内部電極層を形成することを特徴とする請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記単結晶誘電体層を、ＣＶＤ法、蒸着法、レーザーアブレーション法による薄膜合成によって作製するか、水熱合成法・蓚酸法・クエン酸法・固相合成法により得られるチタン酸バリウム粒子を加工して作製することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のセラミック電子部品の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話を代表とする高周波通信用システムにおいて、積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品が用いられている。このようなセラミック電子部品は、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構造を有している。この構造は、例えば、セラミック粉末を含む誘電体グリーンシートと、金属粉末を含む内部電極パターンとを同時に焼成することで、得ることができる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－０２９９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この手法では、内部電極層の材料を選択するうえでの自由度が低くなる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、誘電体層の焼成を不要とすることができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るセラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層された積層体を備え、前記複数の誘電体層のうち少なくともいずれかは、ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とする単結晶の誘電体層であることを特徴とする。
【０００７】
上記セラミック電子部品において、前記単結晶の主成分は、チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、ペロブスカイト構造を形成するＢａ
１-ｘ－ｙ
Ｃａ
ｘ
Ｓｒ
ｙ
Ｔｉ
１－ｚ
Ｚｒ
ｚ
Ｏ
３
(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)のいずれかであってもよい。
【０００８】
上記セラミック電子部品において、前記複数の前記誘電体層のうち、５０％以上の層数の前記誘電体層が単結晶であってもよい。
【０００９】
上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の１層あたりの平均厚みは、０．００５μｍ以上３μｍ以下であってもよい。
【００１０】
上記セラミック電子部品において、前記内部電極層の１層あたりの平均厚みは、０．００５μｍ以上３μｍ以下であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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