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公開番号2025063295
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-15
出願番号2025010242,2023149062
出願日2025-01-24,2018-11-21
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09G 3/3233 20160101AFI20250408BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】画像品質を高めることができる表示装置を提供する。
【解決手段】各画素には記憶ノードが設けられ、当該記憶ノードに第1のデータを保持す
ることができる。第1のデータには容量結合によって第2のデータが付加され、表示素子
に供給することができる。したがって、表示装置では補正された画像を表示することがで
きる。また、容量結合動作を行うための基準電位を電源線等から供給する構成とするため
、第1のデータおよび第2のデータを共用の信号線で供給することができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１の回路および第２の回路と、
第１の配線と、
第２の配線と、を有する表示装置であって、
前記第１の回路および第２の回路のそれぞれは、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、回路ブロックと、を有し、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の一方の電極は、前記回路ブロックと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の他方の電極は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１の回路が有する前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の回路が有する前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の回路が有する前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、前記回路ブロックは表示素子を有する表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を
一例として挙げることができる。
【０００３】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。トランジスタ、半導体回路は半導体装置の一態様である。また、記憶装置、
表示装置、撮像装置、電子機器は、半導体装置を有する場合がある。
【背景技術】
【０００４】
トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが
、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。酸化物半導体としては、例えば、
酸化インジウム、酸化亜鉛などの一元系金属の酸化物のみでなく、多元系金属の酸化物も
知られている。多元系金属の酸化物の中でも、特にＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（以下、ＩＧ
ＺＯとも呼ぶ）に関する研究が盛んに行われている。
【０００５】
ＩＧＺＯに関する研究により、酸化物半導体において、単結晶でも非晶質でもないＣＡＡ
Ｃ（ｃ－ａｘｉｓａｌｉｇｎｅｄｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造およびｎｃ（ｎａｎ
ｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出された（非特許文献１乃至非特許文献３参照）。
非特許文献１および非特許文献２では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用いてトラ
ンジスタを作製する技術も開示されている。さらに、ＣＡＡＣ構造およびｎｃ構造よりも
結晶性の低い酸化物半導体でさえも微小な結晶を有することが非特許文献４および非特許
文献５に示されている。
【０００６】
さらに、ＩＧＺＯを活性層として用いたトランジスタは極めて低いオフ電流を持ち（非特
許文献６参照）、その特性を利用したＬＳＩおよびディスプレイが報告されている（非特
許文献７および非特許文献８参照）。
【０００７】
また、オフ電流が極めて低いトランジスタをメモリセルに用いる構成の記憶装置が特許文
献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開２０１１－１１９６７４号公報
【非特許文献】
【０００９】
Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉｅｔａｌ．， “ＳＩＤＳｙｍｐｏｓｉｕｍＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ”，２０１２，ｖｏｌｕｍｅ４３，ｉｓｓｕｅ１，ｐ．１８３－１８６
Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉｅｔａｌ．， “ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ”，２０１４，ｖｏｌｕｍｅ５３，Ｎｕｍｂｅｒ４Ｓ，ｐ．０４ＥＤ１８－１－０４ＥＤ１８－１０
Ｓ．Ｉｔｏｅｔａｌ．， “ＴｈｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆＡＭ－ＦＰＤ’１３ＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ”，２０１３，ｐ．１５１－１５４
Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉｅｔａｌ．， “ＥＣＳＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”，２０１４，ｖｏｌｕｍｅ３，ｉｓｓｕｅ９，ｐ．Ｑ３０１２－Ｑ３０２２
Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉ， “ＥＣＳＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ”，２０１４，ｖｏｌｕｍｅ６４，ｉｓｓｕｅ１０，ｐ．１５５－１６４
Ｋ．Ｋａｔｏｅｔａｌ．， “ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ”，２０１２，ｖｏｌｕｍｅ５１，ｐ．０２１２０１－１－０２１２０１－７
Ｓ．Ｍａｔｓｕｄａｅｔａｌ．， “２０１５ＳｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎＶＬＳＩＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ”，２０１５，ｐ．Ｔ２１６－Ｔ２１７
Ｓ．Ａｍａｎｏｅｔａｌ．， “ＳＩＤＳｙｍｐｏｓｉｕｍＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ”，２０１０，ｖｏｌｕｍｅ４１，ｉｓｓｕｅ１，ｐ．６２６－６２９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
表示装置では高解像度化が進み、８Ｋ４Ｋ（画素数：７６８０×４３２０）解像度または
それ以上の解像度で表示を行うことができるハードウェアが開発されている。また、輝度
調整によって画像品質を高めるＨＤＲ（ハイダイナミックレンジ）表示技術の導入も進ん
でいる。
（【００１１】以降は省略されています）

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