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公開番号2025061734
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-11
出願番号2025008478,2021562200
出願日2025-01-21,2020-11-25
発明の名称操作装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G06F 1/3287 20190101AFI20250404BHJP(計算;計数)
要約【課題】操作装置または情報処理システムの消費電力を低減する。または安全性を高める。または電子機器の操作を簡便に行う。
【解決手段】演算回路、入力部および電源管理装置を有し、入力部はセンサ素子を有し、電源管理装置は演算回路への電源の供給と遮断を制御する機能を有し、電源管理装置はセンサ素子から出力される検知信号に沿って演算回路への電源を供給する機能を有し、センサ素子は加速度センサ、角速度センサおよび磁気センサから選ばれる一以上を有し、演算回路はレジスタを有し、レジスタは第1回路と第2回路を有し、レジスタは電源管理装置が演算回路への電源を供給する期間に第1回路へ格納される第1データを、電源管理装置が演算回路への電源の供給を遮断する期間に第2回路へ格納し、保持する機能を有し、演算回路はセンサ素子から出力される信号データと第1データを用いて第2データを生成する機能を有する操作装置である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
演算回路と、入力部と、電源管理装置と、を有し、
前記入力部は、センサ素子を有し、
前記電源管理装置は、前記演算回路への電源の供給と、遮断と、を制御する機能を有し、
前記電源管理装置は、前記センサ素子から出力される信号が第１の条件を満たす場合には、前記演算回路への電源を供給する機能を有し、
前記センサ素子は、加速度センサ、角速度センサおよび磁気センサから選ばれる一以上を有し、
前記演算回路は、レジスタを有し、
前記レジスタは、第１回路と、第２回路と、を有し、
前記レジスタは、前記電源管理装置が前記演算回路への電源を供給する期間に前記第１回路へ格納される第１データを、前記電源管理装置が前記演算回路への電源の供給を遮断する期間に前記第２回路へ格納し、保持する機能を有し、
前記演算回路は、前記センサ素子から出力される信号データと、前記第１データと、を用いて第２データを生成する機能を有する操作装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、操作装置および情報処理システムに関する。また、本発明の一態様は、半導体装置に関する。また、本発明の一態様は、コントローラに関する。また、本発明の一態様は、ゲームコントローラに関する。また、本発明の一態様はゲーム機に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【０００２】
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
【０００３】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうるもの全般を指す。よって、トランジスタやダイオードなどの半導体素子や、半導体素子を含む回路は半導体装置である。また、表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、通信装置および電子機器などは、半導体素子や半導体回路を含む場合がある。よって、表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、撮像装置、通信装置および電子機器なども、半導体装置と呼ばれる場合がある。また、本発明の一態様の操作装置は半導体装置と呼ばれる場合がある。
【背景技術】
【０００４】
スマートフォンやタブレット端末などに代表される持ち運びが容易な情報端末の普及が進んでいる。情報端末の普及に伴い、様々な通信規格が制定されている。例えば、第４世代移動通信システム（４Ｇ）と呼ばれるＬＴＥ－Ａｄｖａｎｃｅｄ規格の運用が開始されている。
【０００５】
近年、ＩｏＴ（ＩｎｔｅｒｎｅｔｏｆＴｈｉｎｇｓ）などの情報技術の発展により、情報端末で扱われるデータ量は増大する傾向にある。また、情報端末などの電子機器に通信速度の向上が求められている。
【０００６】
ＩｏＴなどの様々な情報技術に対応するため、４Ｇよりも速い通信速度、多くの同時接続、短い遅延時間を実現する第５世代移動通信システム（５Ｇ）と呼ばれる新たな通信規格が検討されている。５Ｇでは、３．７ＧＨｚ帯、４．５ＧＨｚ帯、および２８ＧＨｚ帯の通信周波数が使用される。
【０００７】
５Ｇに対応する半導体装置は、Ｓｉなど１種類の元素を主成分として用いる半導体や、ＧａとＡｓなど複数種類の元素を主成分として用いる化合物半導体を用いて作製される。さらに、金属酸化物の一種である酸化物半導体が注目されている。
【０００８】
酸化物半導体では、単結晶でも非晶質でもない、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓａｌｉｇｎｅｄｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造およびｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出されている（非特許文献１および非特許文献２参照）。
【０００９】
非特許文献１および非特許文献２では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術が開示されている。
【００１０】
また、半導体装置の消費電力削減の技術として、例えば、パワーゲーティング（ＰＧ：ＰｏｗｅｒＧａｔｉｎｇ）、クロックゲーティング（ＣＧ：ＣｌｏｃｋＧａｔｉｎｇ）、ボルテージスケーリング等が知られている。例えば、特許文献１には、ＤＶＦＳ（ＤｙｎａｍｉｃＶｏｌｔａｇｅａｎｄＦｒｅｑｕｅｎｃｙＳｃａｌｉｎｇ）手法とＰＧ手法のうち電力削減に有利となる手法を実施することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
（【００１１】以降は省略されています）

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