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公開番号2025049851
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023158311
出願日2023-09-22
発明の名称弾性波デバイス、及び、その製造方法
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/145 20060101AFI20250327BHJP(基本電子回路)
要約【課題】WLP構造の弾性波デバイスにおいてモールド圧力に対する一定の耐性を持ちながら可及的に低背化可能な新しい構造と、その製造方法の提供。
【解決手段】一面2aに複数の機能素子3と、機能素子3よりも厚さを大きくする厚膜配線4と、機能素子3及び厚膜配線4の形成領域を囲繞すると共に厚膜配線4と厚さを等しくする囲繞金属層5とを備えてなるデバイスチップ2と、厚膜配線4及び囲繞金属層5上に形成された絶縁性材料又は高抵抗材料よりなる薄膜層6と、薄膜層6を介して厚膜配線4及び囲繞金属層5上に接合されると共に、デバイスチップ2及び囲繞金属層5と共働して機能素子3を気密封止する封止空間9を形成するルーフ基板7とを備える。ルーフ基板7を、高抵抗シリコン、セラミック又はガラスから構成させている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
一面に少なくともＩＤＴ電極を含む複数の機能素子と、前記機能素子よりも厚さを大きくする厚膜配線と、前記機能素子及び前記厚膜配線の形成領域を囲繞すると共に前記厚膜配線と厚さを等しくする囲繞金属層とを備えてなるデバイスチップと、
前記厚膜配線及び前記囲繞金属層上に形成された絶縁性材料又は高抵抗材料よりなる薄膜層と、
前記薄膜層を介して前記厚膜配線及び前記囲繞金属層上に接合されると共に、前記デバイスチップ及び前記囲繞金属層と共働して前記機能素子を気密封止する封止空間を形成するルーフ基板とを備えてなり、
前記ルーフ基板を、高抵抗シリコン、セラミック又はガラスから構成させてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
前記薄膜層をシリコンから構成すると共に、
前記薄膜層における前記ルーフ基板に接する面、及び、前記ルーフ基板における前記薄膜層に接する面の表面粗さをいずれもＲａ０．０００１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下としてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記ルーフ基板の厚さを、前記デバイスチップの他面と前記厚膜配線及び前記囲繞金属層における前記薄膜層に接する面との間の距離の２倍以上とさせてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記デバイスチップの前記一面の面積に占める前記厚膜配線及び前記囲繞金属層の形成領域の面積の割合が２５％以上６０％以下となるようにしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の弾性波デバイスの製造方法であって、
前記デバイスチップとなるウエハの一面上に前記機能素子、前記厚膜配線、前記囲繞金属層を形成させる第１ステップと、
前記第１ステップ後に前記薄膜層を形成させる第２ステップと、
前記第２ステップ後に前記ルーフ基板となる集合基板の一面を前記薄膜層に接合させる第３ステップと、
前記第３ステップ後に、前記ウエハの他面に対する研削によって前記ウエハを薄板化させる第４ステップとを含む、弾性波デバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造を有する弾性波(Surface Acoustic Wave/SAW)デバイスは、特許文献１に示される構造を持つ。
この特許文献１のものは、デバイスチップの一面上に樹脂製のカバーを設けると共に、このカバーにより形成された内部空間内に前記一面に形成させたＩＤＴ電極が位置されるようになっている。
【０００３】
この種の弾性波デバイスにおいては、低背化の要請がある。
また、この種の弾性波デバイスには、他のデバイスと一緒にモジュールを構成するときに、モジュール基板上に形成される封止樹脂のモールド圧力に対する一定の耐性が求められる。
また、この種の弾性波デバイスには、ＴＣＦ特性（周波数温度特性）の向上、および、放熱性の向上が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００２－２１７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種のＷＬＰ構造の弾性波デバイスにおいて、前記モールド圧力に対する一定の耐性を持ちながら可及的に低背化でき、かつ、ＴＣＦ特性、および、放熱性も合理的に向上可能な新しい構造と、その製造方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、弾性波デバイスを、
一面に少なくともＩＤＴ電極を含む複数の機能素子と、前記機能素子よりも厚さを大きくする厚膜配線と、前記機能素子及び前記厚膜配線の形成領域を囲繞すると共に前記厚膜配線と厚さを等しくする囲繞金属層とを備えてなるデバイスチップと、
前記厚膜配線及び前記囲繞金属層上に形成された絶縁性材料又は高抵抗材料よりなる薄膜層と、
前記薄膜層を介して前記厚膜配線及び前記囲繞金属層上に接合されると共に、前記デバイスチップ及び前記囲繞金属層と共働して前記機能素子を気密封止する封止空間を形成するルーフ基板とを備えてなり、
前記ルーフ基板を、高抵抗シリコン、セラミック又はガラスから構成させてなる、ものとした。
【０００７】
前記薄膜層をシリコンから構成すると共に、
前記薄膜層における前記ルーフ基板に接する面、及び、前記ルーフ基板における前記薄膜層に接する面の表面粗さをいずれもＲａ０．０００１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下とすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記ルーフ基板の厚さを、前記デバイスチップの他面と前記厚膜配線及び前記囲繞金属層における前記薄膜層に接する面との間の距離の２倍以上とさせることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００９】
また、前記デバイスチップの前記一面の面積に占める前記厚膜配線及び前記囲繞金属層の形成領域の面積の割合が２５％以上６０％以下となるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【００１０】
また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第二の観点から、弾性波デバイスの製造方法を、
前記弾性波デバイスの製造方法であって、
前記デバイスチップとなるウエハの一面上に前記機能素子、前記厚膜配線、前記囲繞金属層を形成させる第１ステップと、
前記第１ステップ後に前記薄膜層を形成させる第２ステップと、
前記第２ステップ後に前記ルーフ基板となる集合基板の一面を前記薄膜層に接合させる第３ステップと、
前記第３ステップ後に、前記ウエハの他面に対する研削によって前記ウエハを薄板化させる第４ステップとを含む、ものとした。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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