TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025015298
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023118623
出願日2023-07-20
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250123BHJP(基本電子回路)
要約【課題】弾性波デバイスを構成する回路の接続不良ないし断線を効果的に防止する新たな構造を提供する。
【解決手段】配線8は、複数の前記機能素子7の一つとなる第1素子70に電気的に接続され且つこれと膜厚を等しくする第1部分80と、複数の前記機能素子7の他の一つとなる第2素子71に電気的に接続され且つこれと膜厚を等しくする第2部分81と、を備えている。前記第1部分80における前記第2部分81に対し接続が必要とされる第1端部80a、および、前記第2部分81における前記第1部分80に対し接続が必要とされる第2端部81aの双方が、前記デバイスチップ3の機能面3aと前記バンプ10aとの間に位置されるようにしてある。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
一面に少なくともIDT電極を含む複数の機能素子と配線とを含むパターンを成膜により備えてなるデバイスチップと、
前記デバイスチップの前記一面上に突き出し状に形成されるバンプとを備えてなる、弾性波デバイスであって、
前記配線は、複数の前記機能素子の一つとなる第1素子に電気的に接続され且つこれと膜厚を等しくする第1部分と、
複数の前記機能素子の他の一つとなる第2素子に電気的に接続され且つこれと膜厚を等しくする第2部分と、を備えており、
前記第1部分における前記第2部分に対し接続が必要とされる第1端部、および、前記第2部分における前記第1部分に対し接続が必要とされる第2端部の双方が、前記デバイスチップの前記一面と前記バンプとの間に位置されるようにしてなる、弾性波デバイス。
続きを表示(約 330 文字)【請求項2】
前記配線は、前記第1端部及び前記第2端部の双方を、前記デバイスチップの前記一面との間に位置させるように、前記第1端部及び前記第2端部上に形成される第3部分を備え、この第3部分上に前記バンプを形成させてなる、請求項1に記載の弾性波デバイス。
【請求項3】
前記第1端部に対し前記第2端部を隣接させてなる、請求項1に記載の弾性波デバイス。
【請求項4】
前記第1端部の少なくとも一部と前記第2端部の少なくとも一部とを重なり合わせるようにしてなる、請求項1に記載の弾性波デバイス。
【請求項5】
前記第1部分の膜厚と前記第2部分の膜厚とを異ならせるようにしてなる、請求項1に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
この発明は、モバイル通信機器などにおいてデュプレクサなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
モバイル通信機器などにおいてデュプレクサなどとして使用される弾性波デバイスには、ウエハレベルパッケージ(WLP/Wafer Level Package)のものと、チップサイズパッケージ(CSP/Chip Size Package)のものとがある。
いずれのパッケージ形式においても、弾性波デバイスは、気密封止された内部空間を有し、この内部空間に臨んだデバイスチップの一面に、IDT電極を含む複数の機能素子と配線とを含むパターンを成膜により備えている。
【0003】
ここで、前記パターンを、デバイスチップの一面100上に真空蒸着によって複数回に分けて成膜させる場合、先行して成膜されたパターンと後続して成膜されたパターンとを接続させる必要が生じる。
図11に示されるように、隙間Sを空けて隣り合う二つの配線101の一方の一部と二つの配線101の他方の一部との上に、ボンディング用金属膜102を真空蒸着によって成膜させるようにした場合、金属の付着の過程で前記隙間Sに連続したクラックCがボンディング用金属膜102に生成されてしまう現象が少なからず起きる。
一方、図12に示されるように、先行して成膜された配線101の一部の上に、後続して成膜される配線101の一部を重なり合わせるように後続の配線101を真空蒸着によって成膜した場合も、先行して成膜された配線101の厚さとなる側面103とデバイスチップの一面100とが接し合う箇所を起点とするようなクラックCが後続の配線101に生成されてしまう現象が少なからず起きる。
このようなクラックCは、前記パターンから構成される回路に接続不良ないし断線を生じさせるものとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスを構成する回路の前記のような接続不良ないし断線を効果的に防止する新たな構造を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、一面に少なくともIDT電極を含む複数の機能素子と配線とを含むパターンを成膜により備えてなるデバイスチップと、
前記デバイスチップの前記一面上に突き出し状に形成されるバンプとを備えてなる、弾性波デバイスであって、
前記配線は、複数の前記機能素子の一つとなる第1素子に電気的に接続され且つこれと膜厚を等しくする第1部分と、
複数の前記機能素子の他の一つとなる第2素子に電気的に接続され且つこれと膜厚を等しくする第2部分と、を備えており、
前記第1部分における前記第2部分に対し接続が必要とされる第1端部、および、前記第2部分における前記第1部分に対し接続が必要とされる第2端部の双方が、前記デバイスチップの前記一面と前記バンプとの間に位置されるようにしてなる、ものとした。
【0006】
前記配線は、前記第1端部及び前記第2端部の双方を、前記デバイスチップの前記一面との間に位置させるように、前記第1端部及び前記第2端部上に形成される第3部分を備え、この第3部分上に前記バンプを形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【0007】
また、前記第1端部に対し前記第2端部を隣接させておくことが、この発明の態様の一つとされる。
【0008】
また、前記第1端部の少なくとも一部と前記第2端部の少なくとも一部とを重なり合わせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【0009】
また、前記第1部分の膜厚と前記第2部分の膜厚とを異ならせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
【0010】
この発明にかかる弾性波デバイスによれば、前記バンプを通じて前記第1端部と第2端部との電気的な接続を確保することができ、この種の弾性波デバイスを構成する回路の前記のような接続不良ないし断線を効果的に防止可能となる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

アズビル株式会社
電子回路
7日前
ミツミ電機株式会社
比較回路
14日前
TDK株式会社
電子部品
10日前
TDK株式会社
電子部品
7日前
三菱電機株式会社
半導体素子駆動装置
7日前
セイコーエプソン株式会社
振動素子
22日前
ローム株式会社
リニア電源回路
10日前
三安ジャパンテクノロジー株式会社
弾性波デバイス
1日前
ローム株式会社
DA変換装置
10日前
富士電機株式会社
駆動回路
7日前
株式会社京三製作所
スイッチング増幅器
1日前
カーネルチップ株式会社
低電圧信号レベルシフタ回路
2日前
セイコーエプソン株式会社
振動デバイス
22日前
富士電機株式会社
制御回路及び半導体モジュール
9日前
株式会社日立製作所
半導体装置
11日前
株式会社村田製作所
電力増幅器
7日前
株式会社村田製作所
弾性波装置およびマルチプレクサ
3日前
株式会社村田製作所
弾性波装置
22日前
日清紡マイクロデバイス株式会社
コンパレータ
11日前
株式会社村田製作所
ドハティ増幅回路
今日
セイコーエプソン株式会社
振動デバイス及び発振器
22日前
株式会社村田製作所
電力供給システム
17日前
セイコーエプソン株式会社
振動素子の周波数調整方法
22日前
太陽誘電株式会社
弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
22日前
富士電機株式会社
スイッチング制御回路
8日前
株式会社日立製作所
増幅装置及び計測機器
17日前
セイコーエプソン株式会社
回路装置および物理量センサー
22日前
日清紡マイクロデバイス株式会社
シュミットトリガ回路
16日前
ミツミ電機株式会社
比較回路およびハイブリッド型ADコンバータ
14日前
三安ジャパンテクノロジー株式会社
弾性波デバイス、及び、その製造方法
今日
日清紡マイクロデバイス株式会社
シュミットトリガ回路
16日前
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
増幅回路
18日前
日本アンテナ株式会社
分配器および分岐器
21日前
キオクシア株式会社
メモリシステムおよび制御方法
7日前
キオクシア株式会社
半導体集積回路および半導体装置
3日前
キオクシア株式会社
チャージポンプ回路及びPLL回路
8日前
続きを見る