特許ウォッチ

公開番号2025065895
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-22
出願番号2023175414
出願日2023-10-10
発明の名称電子回路
出願人愛三工業株式会社
代理人弁理士法人快友国際特許事務所
主分類H03K 17/12 20060101AFI20250415BHJP(基本電子回路)
要約【課題】複数のトランジスタにおけるターンオン時の電流の立ち上がり速度のズレを調整することができる技術を提供する。
【解決手段】電子回路は、並列に接続された複数のトランジスタと、各トランジスタのゲートに直列に接続されたゲート抵抗であって、温度に応じて抵抗値が変化するゲート抵抗と、を備えていてもよい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
並列に接続された複数のトランジスタと、
各前記トランジスタのゲートに直列に接続されたゲート抵抗であって、温度に応じて抵抗値が変化する前記ゲート抵抗と、を備える、電子回路。
続きを表示（約 110 文字）【請求項２】
請求項１に記載の電子回路であって、
複数の前記トランジスタと複数の前記ゲート抵抗が配置された基板を更に備え、
前記基板の温度に応じて各前記ゲート抵抗の抵抗値が変化する、電子回路。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示する技術は、電子回路に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＦＥＴと、ＦＥＴのゲート端子に連結されておりゲート端子の電圧を変化させるゲート制御素子と、を備える装置が開示されている。特許文献１の構成では、ＦＥＴの温度が所定温度以上に上昇しているときに、ゲート制御素子が、ゲート端子の電圧を変化させて、ＦＥＴのソース及びドレイン間のチャンネル電流を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－２２８７０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の構成ではトランジスタ（ＦＥＴ）が単独で用いられているが、複数のトランジスタが並列接続されることもある。このような構成では、複数のトランジスタにおけるターンオン時の電流の立ち上がり速度にズレが生じることがある。本明細書は、複数のトランジスタにおけるターンオン時の電流の立ち上がり速度のズレを調整することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本技術の第１の態様では、電子回路が、並列に接続された複数のトランジスタと、各前記トランジスタのゲートに直列に接続されたゲート抵抗であって、温度に応じて抵抗値が変化する前記ゲート抵抗と、を備えていてもよい。
【０００６】
この構成によると、各ゲート抵抗の抵抗値が温度に応じて変化することにより、各トランジスタのゲートに流入する電流値を温度に応じて変化させることができる。これにより、各トランジスタのドレイン－ソース間の抵抗値を変化させることができ、各トランジスタのターンオン時の電流の立ち上がり速度を変化させることができる。これにより、複数のトランジスタにおけるターンオン時の電流の立ち上がり速度のズレを調整することができる。
【０００７】
第２の態様では、上記第１の態様において、複数の前記トランジスタと複数の前記ゲート抵抗が配置された基板を更に備えていてもよい。前記基板の温度に応じて各前記ゲート抵抗の抵抗値が変化してもよい。
【０００８】
この構成によると、基板上の位置によって温度が異なる場合であっても、各トランジスタのターンオン時の電流の立ち上がり速度を変化させることができる。これにより、複数のトランジスタにおけるターンオン時の電流の立ち上がり速度のズレを調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施例の電子回路の回路図。
ゲート抵抗の温度と抵抗値との関係の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施例の電子回路について図面を参照して説明する。図１に示すように、実施例の電子回路２は、複数のトランジスタ（本実施例では第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０）と、複数のゲート抵抗（本実施例では第１ゲート抵抗３０及び第２ゲート抵抗３２）とを備えている。複数のトランジスタ（第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０）は、並列接続されている。また、複数のゲート抵抗（第１ゲート抵抗３０及び第２ゲート抵抗３２）は、並列接続されている。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許