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公開番号2025047908
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023156686
出願日2023-09-22
発明の名称基板処理方法および基板処理装置
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】均一な幅の塗布膜を形成することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】パターン形成のなされた基板Wの周縁部の上面に前処理液を供給して前処理液の液膜70を形成し、その後液膜70の上に塗布液を供給して塗布膜80を形成する。前処理液は塗布液の溶媒を含む液、または、塗布液の基板上面に対する接触角を減少させる液である。前処理液の液膜70を形成する際には、基板Wを比較的高い回転数にて回転させつつ、基板Wの周縁部の上面に前処理液を複数回重ねて着液させることにより、均一な幅の前処理液の液膜70を形成する。前処理液の液膜70と塗布液との親和性は極めて高く、均一な幅の前処理液の液膜70の上に塗布液を供給することにより、液膜70と同じ領域に塗布液が拡がって均一な幅の塗布膜80を形成することができる。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
円板状の基板の周縁部に塗布膜を形成する基板処理方法であって、
前記基板を水平面内で回転させつつ、前記基板に前記塗布膜を形成するための塗布液の溶媒を含む前処理液を供給し、前記基板の周縁部の上面のうち前記塗布膜を形成する目標幅と同じ幅の円環状の塗布領域に前記前処理液の液膜を形成する前処理液膜形成工程と、
前記基板を水平面内で回転させつつ、前記前処理液の液膜の上に前記塗布液を供給して前記塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
を備える基板処理方法。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
円板状の基板の周縁部に塗布膜を形成する基板処理方法であって、
前記基板を水平面内で回転させつつ、前記基板に前記塗布膜を形成するための塗布液の前記上面に対する接触角を減少させる前処理液を供給し、前記基板の周縁部の上面のうち前記塗布膜を形成する目標幅と同じ幅の円環状の塗布領域に前記前処理液の液膜を形成する前処理液膜形成工程と、
前記基板を水平面内で回転させつつ、前記前処理液の液膜の上に前記塗布液を供給して前記塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
を備える基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の基板処理方法において、
前記前処理液膜形成工程では、前記基板の周縁部の下面に前記前処理液を供給して前記基板の端縁部から周縁部の上面に前記前処理液を回り込ませる基板処理方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の基板処理方法において、
前記前処理液膜形成工程では、前記基板を５００回転／分以上で回転させつつ、前記基板の周縁部の上面に前記前処理液を供給して前記塗布領域に前記前処理液を複数回重ねて着液させる基板処理方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載の基板処理方法において、
前記前処理液は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートまたはプロピレングリコールモノメチルエーテルを含む液体である基板処理方法。
【請求項６】
円板状の基板の周縁部に塗布膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を水平姿勢に保持しつつ、前記基板の中心軸周りに前記基板を回転させる回転保持部と、
回転する前記基板に前記塗布膜を形成するための塗布液の溶媒を含む前処理液を供給し、前記基板の周縁部の上面のうち前記塗布膜を形成する目標幅と同じ幅の円環状の塗布領域に前記前処理液の液膜を形成する前処理液吐出ノズルと、
回転する前記基板の周縁部の上面に形成された前記前処理液の液膜の上に前記塗布液を供給して前記塗布膜を形成する塗布液吐出ノズルと、
を備える基板処理装置。
【請求項７】
円板状の基板の周縁部に塗布膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を水平姿勢に保持しつつ、前記基板の中心軸周りに前記基板を回転させる回転保持部と、
回転する前記基板に前記塗布膜を形成するための塗布液の前記上面に対する接触角を減少させる前処理液を供給し、前記基板の周縁部の上面のうち前記塗布膜を形成する目標幅と同じ幅の円環状の塗布領域に前記前処理液の液膜を形成する前処理液吐出ノズルと、
回転する前記基板の周縁部の上面に形成された前記前処理液の液膜の上に前記塗布液を供給して前記塗布膜を形成する塗布液吐出ノズルと、
を備える基板処理装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載の基板処理装置において、
前記前処理液吐出ノズルは、前記基板の周縁部の下面に前記前処理液を供給して前記基板の端縁部から周縁部の上面に前記前処理液を回り込ませる基板処理装置。
【請求項９】
請求項６または請求項７記載の基板処理装置において、
前記回転保持部が前記基板を５００回転／分以上で回転させつつ、前記前処理液吐出ノズルが前記基板の周縁部の上面に前記前処理液を供給して前記塗布領域に前記前処理液を複数回重ねて着液させる基板処理装置。
【請求項１０】
請求項６または請求項７記載の基板処理装置において、
前記前処理液は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートまたはプロピレングリコールモノメチルエーテルを含む液体である基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、円板状の基板の周縁部に塗布膜を形成する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体ウェハー、液晶表示装置用基板、flat panel display（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、パターン形成のための重要な技術であるフォトリソグラフィでは、半導体ウェハー等の基板の上にレジスト膜を成膜し、そのレジスト膜にパターン露光を施した後に現像処理を行っている。全面にレジスト膜を成膜した基板の端縁部に各工程にて搬送アームや位置決め部等が接触すると、レジスト膜に欠損が生じて発塵し、それによって搬送アーム等が汚染されるおそれがある。このため、基板の周縁部に溶剤を供給して当該周縁部のレジスト膜を除去することが行われている。従って、基板の周縁部においてはシリコンの基材がむき出しになっている。
【０００３】
パターンが形成されたレジスト膜を使用して例えばＤＲＩＥ(Deep Reactive Ion Etching:深掘りドライエッチング)工程を実行すると、基材がむき出しになっている基板の周縁部にダメージが発生する。そうすると、基板の周縁部に強度低下が生じるとともに、パーティクルが発生することもある。このため、特許文献１，２には、基板の周縁部にエッチングされないようにするための保護膜を形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平７－１３０７０３号公報
特開２００２－３３４８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板の周縁部に保護膜を形成するには、典型的にはノズルから当該周縁部の上面に塗布液を供給し、それを乾燥させて塗布膜を成膜する。塗布膜の幅は、基板の周縁部の全周にわたって均一であることが望ましい。しかし、塗布液供給時におけるノズルの振動、塗布液の吐出状態の変動、或いは基板自体の偏心等の種々の要因によって塗布膜の幅の均一性が低下することがある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、均一な幅の塗布膜を形成することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明の第１の態様は、円板状の基板の周縁部に塗布膜を形成する基板処理方法において、前記基板を水平面内で回転させつつ、前記基板に前記塗布膜を形成するための塗布液の溶媒を含む前処理液を供給し、前記基板の周縁部の上面のうち前記塗布膜を形成する目標幅と同じ幅の円環状の塗布領域に前記前処理液の液膜を形成する前処理液膜形成工程と、前記基板を水平面内で回転させつつ、前記前処理液の液膜の上に前記塗布液を供給して前記塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、を備える。
【０００８】
また、第２の態様は、円板状の基板の周縁部に塗布膜を形成する基板処理方法において、前記基板を水平面内で回転させつつ、前記基板に前記塗布膜を形成するための塗布液の前記上面に対する接触角を減少させる前処理液を供給し、前記基板の周縁部の上面のうち前記塗布膜を形成する目標幅と同じ幅の円環状の塗布領域に前記前処理液の液膜を形成する前処理液膜形成工程と、前記基板を水平面内で回転させつつ、前記前処理液の液膜の上に前記塗布液を供給して前記塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、を備える。
【０００９】
また、第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理方法において、前記前処理液膜形成工程では、前記基板の周縁部の下面に前記前処理液を供給して前記基板の端縁部から周縁部の上面に前記前処理液を回り込ませる。
【００１０】
また、第４の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理方法において、前記前処理液膜形成工程では、前記基板を５００回転／分以上で回転させつつ、前記基板の周縁部の上面に前記前処理液を供給して前記塗布領域に前記前処理液を複数回重ねて着液させる。
（【００１１】以降は省略されています）

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