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公開番号2025035542
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-14
出願番号2023142634
出願日2023-09-04
発明の名称インターポーザの製造方法
出願人東洋紡株式会社
代理人
主分類H01L 23/14 20060101AFI20250307BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ガラス基板を仮支持体としたインターポーザ、あるいはコアレスパッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さが0.7mm以下であり、表面粗度(Ra)20nm以下のガラス板を仮支持基板に用い、線膨張係数(CTE)が-10ppm/K～+10ppm/Kの範囲である耐熱高分子フィルムを仮支持基板に仮接着するための基板材料として用い、耐熱高分子フィルムをガラス基板に仮接着した状態で耐熱高分子フィルム上に配線等を形成し、必要に応じチップ搭載の後、最終的にガラス基板から剥離することでインターポーザあるいはコアレスのパッケージ基板を得る。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
厚さが１．５ｍｍ以下であり、表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以下であるガラス基板に、線膨張係数（ＣＴＥ）が－５ｐｐｍ／Ｋ～＋１０ｐｐｍ／Ｋである耐熱高分子フィルムを仮接着し、耐熱高分子フィルムのガラス基板とは反対側の面に、少なくとも、フルアディティブ法で導体回路パターンを形成する回路加工を行った後に、ガラス基板から耐熱高分子フィルムごと剥離することを特徴とするインターポーザの製造方法。
続きを表示（約 550 文字）【請求項２】
厚さが１．５ｍｍ以下であり、表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以下であるガラス基板に、線膨張係数（ＣＴＥ）が－５ｐｐｍ／Ｋ～＋１０ｐｐｍ／Ｋである耐熱高分子フィルムを仮接着し、耐熱高分子フィルムのガラス基板とは反対側の面に、少なくとも、セミアディティブ法で導体回路パターンを形成する回路加工を行った後に、ガラス基板から耐熱高分子フィルムごと剥離することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【請求項３】
厚さが１．５ｍｍ以下であり、表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以下であるガラス基板に、線膨張係数（ＣＴＥ）が－５ｐｐｍ／Ｋ～＋１０ｐｐｍ／Ｋである耐熱高分子フィルムを仮接着し、耐熱高分子フィルムのガラス基板とは反対側の面に、少なくとも、サブトラクティブ法で導体回路パターンを形成する回路加工を行った後に、ガラス基板から耐熱高分子フィルムごと剥離することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【請求項４】
前記導体回路パターンが２層以上であることを特徴とする請求項１に記載のインターポーザの製造方法。
【請求項５】
前記剥離が、導体回路パターンに半導体チップを搭載した後に行われることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載のインターポーザの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明はフィルム基板ベースのインターポーザの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高速化及び高集積化が進む中で、半導体チップを搭載するパッケージ基板にも、半導体チップとの接合に使用する接合端子の狭ピッチ化及び基板内の配線の微細化が求められている。その一方で、パッケージ基板とマザーボードとの接合には、従来のプリント配線板設計ルールとほぼ変わらないピッチで配列した接合端子による接合が要求されている。これらの要求のもと、パッケージ基板と半導体チップとの間に、インターポーザとも呼ばれる、微細な配線を含む多層配線基板を設ける技術が採用されている。
【０００３】
従来のインターポーザは、高密度なプリント配線板製造技術を用いて製造されており、基板材料に、シリコン基板、ガラス基板など従来のプリント配線板とは異なる素材が使用されることはあれど、全体の構造や製法についてはプリント配線板技術の延長線上であった。
【０００４】
一方で、特許文献１に見られるように仮支持基盤を用いて、その上で多層配線層を形成し、最終的に仮支持基板から剥離することによりインターポーザを得る技術が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－１２１９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
仮支持基板を用いる方法において、最も難易度が高い工程は、仮支持基板から仕上がったインターポーザを剥離するところである。二枚の平板を剥離するためには、少なくともいずれか一方が変形しなければならない。仮支持基板としては通常リジッドな板が使われ、さらにインターポーザ側が極めて薄い構造であれば、剥離工程はインターポーザ側の変形が支配的となる。インターポーザ側の変形は仮支持基板とインターポーザとの接着性が高いほど生じやすい。従って、剥離時の両者の接着強度を低減させるために様々な工夫が行われてきている。しかしながら、未だ十分な解決策は見出されていない。
【０００７】
本発明は、仮支持基板を用いたインターポーザの製造方法において、剥離が容易となる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、かかる目的を達成するために鋭意検討した結果、ガラス板を仮支持基板として用い、線膨張係数（CTE）が－１０ｐｐｍ／Ｋ～＋１０ｐｐｍ／Ｋの範囲である耐熱高分子フィルムを仮支持基板に仮接着するための基板材料として用いることにより、インターポーザ部を損傷することなく、仮支持基板であるガラス板から剥離することができることを見出し、以下に代表される発明を完成するに至った。
【０００９】
〔１〕厚さが１．５ｍｍ以下であり、表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以下であるガラス基板に、線膨張係数（ＣＴＥ）が－５ｐｐｍ／Ｋ～＋１０ｐｐｍ／Ｋである耐熱高分子フィルムを仮接着し、耐熱高分子フィルムのガラス基板とは反対側の面に、少なくとも、フルアディティブ法で導体回路パターンを形成する回路加工を行った後に、ガラス基板から耐熱高分子フィルムごと剥離することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【００１０】
〔２〕厚さが１．５ｍｍ以下であり、表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以下であるガラス基板に、線膨張係数（ＣＴＥ）が－５ｐｐｍ／Ｋ～＋１０ｐｐｍ／Ｋである耐熱高分子フィルムを仮接着し、耐熱高分子フィルムのガラス基板とは反対側の面に、少なくとも、セミアディティブ法で導体回路パターンを形成する回路加工を行った後に、ガラス基板から耐熱高分子フィルムごと剥離することを特徴とするインターポーザの製造方法。
（【００１１】以降は省略されています）

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