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公開番号2025094382
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-25
出願番号2023209859
出願日2023-12-13
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250618BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】端子とバスバーとの間の接触抵抗を低減しつつ、バスバーの設計の制限を緩和する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基材100と、基材に設けられる3つのP入力端子4a、4b、4cと、基材に設けられる3つのN入力端子5a、5b、5cと、基材に設けられる出力端子6a、6b、6cと、を備える。そして、基材の長手方向に、P入力端子、N入力端子および出力端子がその順で直線上(軸Y1上、軸Y2上、軸Y3上)に並んで配置される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基材と、
前記基材に設けられる、３つのＰ入力端子と、
前記基材に設けられる、３つのＮ入力端子と、
前記基材に設けられる出力端子とを備え、
前記基材の長手方向に、前記Ｐ入力端子、前記Ｎ入力端子および前記出力端子がその順で直線上に並んで配置される、
半導体装置。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であり、
３つの前記Ｐ入力端子が、第１の板材を介して互いに電気的に接続されて一体として設けられ、
３つの前記Ｎ入力端子が、第２の板材を介して互いに電気的に接続されて一体として設けられる、
半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置であり、
一体として設けられた前記Ｎ入力端子が、上面と側面とを有し、
前記Ｎ入力端子の前記側面が、一体として設けられた前記Ｐ入力端子と対向する面とは反対側の面であり、
前記半導体装置が、一体として設けられた前記Ｎ入力端子の前記上面と前記側面とに接触して設けられるＮバスバーをさらに備える、
半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の半導体装置であり、
それぞれの前記Ｐ入力端子を第１のＰ入力端子、第２のＰ入力端子および第３のＰ入力端子とし、
前記第１のＰ入力端子と、前記第２のＰ入力端子と、前記第３のＰ入力端子とがその順に直線上に並んで配置され、
前記第２のＰ入力端子の上面の高さが、前記第１のＰ入力端子の上面の高さ、および、前記第３のＰ入力端子の上面の高さよりも高く、
前記第２のＰ入力端子の前記上面の前記高さと、前記第１のＰ入力端子の前記上面の前記高さ、および、前記第３のＰ入力端子の前記上面の前記高さとの差が、１０ｍｍ以下であり、
それぞれの前記Ｎ入力端子を第１のＮ入力端子、第２のＮ入力端子および第３のＮ入力端子とし、
前記第１のＮ入力端子と、前記第２のＮ入力端子と、前記第３のＮ入力端子とがその順に直線上に並んで配置され、
前記第２のＮ入力端子の上面の高さが、前記第１のＮ入力端子の上面の高さ、および、前記第３のＮ入力端子の上面の高さよりも高く、
前記第２のＮ入力端子の前記上面の前記高さと、前記第１のＮ入力端子の前記上面の前記高さ、および、前記第３のＮ入力端子の前記上面の前記高さとの差が、１０ｍｍ以下である、
半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本願明細書に開示される技術は、半導体技術に関するものである。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
一般に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ｉｎｓｕｌａｔｅｄｇａｔｅｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、すなわち、ＩＧＢＴ）モジュール、または、インテリジェントパワーモジュール（ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔｐｏｗｅｒｍｏｄｕｌｅ、すなわち、ＩＰＭ）、トランスファーモールドパワーモジュール（Ｔｒａｎｓｆｅｒ－ｍｏｌｄｅｄＰｏｗｅｒＭｏｄｕｌｅ、すなわち、ＴＰＭ）に代表されるパワー半導体モジュールにおいては、パッケージの小型化によって電流の高密度化が進んでおり、１モジュールあたりに流れる電流量が大きくなる傾向にある。
【０００３】
そのため、従来は影響が少なかった端子とバスバーとの接触抵抗による発熱が、高電流量化によって無視することができなくなり、端子発熱起因でインバータなどの動作条件を緩和せざるを得ない状況になることもある。
【０００４】
これに対し、たとえば特許文献１（特開２０２３－２９３４２号公報）では、Ｐ端子とＮ端子とをバスバーの高さを考慮して設けることで、バスバーが平らなままモジュールと接続することができ、結果として端子との接触面積を十分に確保することができる構造が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２３－２９３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１（特開２０２３－２９３４２号公報）では、バスバーの厚み分を考慮して高さが異なるＰＮ端子を有する構成が示されているが、当該構成では、ＰＮ端子との高さの関係でバスバーの設計が制限されるという問題がある。
【０００７】
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、端子とバスバーとの間の接触抵抗を低減しつつ、バスバーの設計の制限を緩和するための技術である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願明細書に開示される技術の第１の態様である半導体装置は、基材と、前記基材に設けられる、３つのＰ入力端子と、前記基材に設けられる、３つのＮ入力端子と、前記基材に設けられる出力端子とを備え、前記基材の長手方向に、前記Ｐ入力端子、前記Ｎ入力端子および前記出力端子がその順で直線上に並んで配置される。
【発明の効果】
【０００９】
本願明細書に開示される技術の少なくとも第１の態様によれば、入力端子の個数を増やして入力側の電流経路を増やし分散させることで、バスバーの設計に制限を加えなくとも、熱量の集中を抑制することができる。
【００１０】
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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