特許ウォッチ

公開番号2025047652
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023156271
出願日2023-09-21
発明の名称イオン照射方法、マスクプレートおよびマスクプレートの製造方法
出願人住重アテックス株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/265 20060101AFI20250326BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウェハに対してマスクプレートをより適切に位置合わせする。
【解決手段】イオン照射方法は、マスクプレートを貫通するアライメント開口25dと、アライメント開口25dに隣接してマスクプレートの表面に形成されるエッジマーク25eとを備えるマスクプレートを、アライメントマーク26dを備えるウェハと重なるように配置することと、アライメント開口25dおよびアライメントマーク26dの位置を検出することと、検出された位置に基づいて、ウェハに対してマスクプレートを位置合わせすることと、位置合わせされたウェハおよびマスクプレートを固定治具によって固定することと、固定治具によって固定されたマスクプレートの上からウェハに向けてイオンを照射することと、を備える。
【選択図】図12
特許請求の範囲【請求項１】
マスクプレートを貫通するアライメント開口と、前記アライメント開口に隣接して前記マスクプレートの表面に形成されるエッジマークとを備えるマスクプレートを、アライメントマークを備えるウェハと重なるように配置することと、
前記アライメント開口および前記アライメントマークの位置を検出することと、
前記検出された位置に基づいて、前記ウェハに対して前記マスクプレートを位置合わせすることと、
前記位置合わせされた前記ウェハおよび前記マスクプレートを固定治具によって固定することと、
前記固定治具によって固定された前記マスクプレートの上から前記ウェハに向けてイオンを照射することと、を備えるイオン照射方法。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記エッジマークは、前記アライメント開口の縁の全周にわたって形成される、
請求項１に記載のイオン照射方法。
【請求項３】
前記アライメント開口の縁から前記エッジマークの外縁までの幅は、前記アライメント開口のサイズの２０％以上である、
請求項１に記載のイオン照射方法。
【請求項４】
前記エッジマークの外縁は、前記アライメント開口の縁と相似形状である、
請求項１に記載のイオン照射方法。
【請求項５】
前記エッジマークの外縁は、前記アライメント開口の縁と非相似形状である、
請求項１に記載のイオン照射方法。
【請求項６】
前記エッジマークは、前記マスクプレートの表面にレーザを照射することによって形成される、
請求項１に記載のイオン照射方法。
【請求項７】
前記エッジマークは、前記マスクプレートの表面とは異なる材料を塗布することによって形成される、
請求項１に記載のイオン照射方法。
【請求項８】
ウェハへのイオン照射に用いるマスクプレートであって、
前記ウェハのイオン照射されるべき領域に対応して形成されるパターン開口と、
前記ウェハのアライメントマークの位置に対応して形成されるアライメント開口と、
前記アライメント開口に隣接して前記マスクプレートの表面に形成されるエッジマークと、を備えるマスクプレート。
【請求項９】
ウェハへのイオン照射に用いるマスクプレートの製造方法であって、
前記ウェハのイオン照射されるべき領域に対応するパターン開口を前記マスクプレートに形成する工程と、
前記ウェハのアライメントマークの位置に対応するアライメント開口を前記マスクプレートに形成する工程と、
前記アライメント開口に隣接するエッジマークを前記マスクプレートの表面に形成する工程と、を備えるマスクプレートの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン照射方法およびイオン照射に用いるマスクプレートに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置が形成された半導体基板であるウェハに水素やヘリウムなどの軽イオンを照射して半導体基板内に欠陥を形成し、半導体装置の特性を向上させる技術が知られている。半導体基板の一部領域のみに欠陥を形成するため、一部領域に対応するパターン開口が形成されたマスクプレートが用いられる。例えば、ウェハに設けられるアライメントマークに対して、マスクプレートに設けられるアライメント開口を位置合わせすることにより、ウェハに対してマスクプレートが位置決めされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６３３８４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
アライメントマークおよびアライメント開口の位置は、例えば、カメラで撮像した画像による画像認識技術を用いて検出される。ウェハやマスクプレートの表面状態によっては、アライメント開口を適切に検出することができずにエラーが発生し、位置合わせに失敗することがあった。例えば、マスクプレートの表面に存在しうる微細な傷や模様がアライメント開口として誤検出され、正しい位置合わせに失敗することがあった。
【０００５】
本発明のある態様の例示的な目的のひとつは、ウェハに対してマスクプレートをより適切に位置合わせするための技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様のイオン照射方法は、マスクプレートを貫通するアライメント開口と、アライメント開口に隣接してマスクプレートの表面に形成されるエッジマークとを備えるマスクプレートを、アライメントマークを備えるウェハと重なるように配置することと、アライメント開口およびアライメントマークの位置を検出することと、検出された位置に基づいて、ウェハに対してマスクプレートを位置合わせすることと、位置合わせされたウェハおよびマスクプレートを固定治具によって固定することと、固定治具によって固定されたマスクプレートの上からウェハに向けてイオンを照射することと、を備える。
【０００７】
本発明の別の態様は、ウェハへのイオン照射に用いるマスクプレートである。このマスクプレートは、ウェハのイオン照射されるべき領域に対応して形成されるパターン開口と、ウェハのアライメントマークの位置に対応して形成されるアライメント開口と、アライメント開口に隣接してマスクプレートの表面に形成されるエッジマークと、を備える。
【０００８】
本発明のさらに別の態様は、ウェハへのイオン照射に用いるマスクプレートの製造方法である。この方法は、ウェハのイオン照射されるべき領域に対応するパターン開口をマスクプレートに形成する工程と、ウェハのアライメントマークの位置に対応するアライメント開口をマスクプレートに形成する工程と、マスクプレートの表面にレーザを照射してアライメント開口に隣接するエッジマークを形成する工程と、を備える。
【０００９】
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のある態様によれば、ウェハに対してマスクプレートをより適切に位置合わせできる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許