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公開番号2025040701
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-25
出願番号2023147657
出願日2023-09-12
発明の名称分割方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250317BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】加工時間やコストを抑制しながらも円滑に分割することができる分割方法を提供すること。
【解決手段】分割方法は、回転する切削ブレードを被加工物の表面から分割予定ラインに沿って切り込ませ、被加工物の裏面に至らない第1の切削溝を形成する第1切削ステップ101と、第1切削ステップ101の後に、回転する切削ブレードを被加工物の裏面から第1の切削溝に沿って切り込ませ、第1の切削溝の底部に至らない第2の切削溝を形成する第2切削ステップ102と、第2切削ステップ102の後に、被加工物に外力を付与して被加工物を分割予定ラインに沿って分割する分割ステップ103とを備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された板状の被加工物の分割方法であって、
回転する切削ブレードを被加工物の表面から該分割予定ラインに沿って切り込ませ、被加工物の裏面に至らない第１の切削溝を形成する第１切削ステップと、
該第１切削ステップの後に、回転する切削ブレードを被加工物の裏面から該第１の切削溝に沿って切り込ませ、該第１の切削溝の底部に至らない第２の切削溝を形成する第２切削ステップと、
該第２切削ステップの後に、被加工物に外力を付与して被加工物を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、
を備える分割方法。
続きを表示（約 130 文字）【請求項２】
該第１の切削溝の底部と、該第２の切削溝の底部との間の距離は被加工物の厚みの１０分の１以下である請求項１に記載の分割方法。
【請求項３】
被加工物はサファイア基板、ＳｉＣ基板、ガラス基板を含む請求項１または請求項２に記載の分割方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスウェーハ等に用いられる基板を分割予定ラインに沿って分割する分割方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
一般に、サファイアやＳｉＣ、ガラスなど光デバイスを形成する光デバイスウェーハを個々のチップに分割することが行われている。この種の光デバイスウェーハを個々のチップに分割する場合、レーザー光線を光デバイスウエーハに照射して、光デバイスウエーハの内部に分割起点を形成した後、光デバイスウエーハに貼着されたエキスパンドシードをエキスパンドすることで光デバイスウエーハを分割する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－２４８５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載された方法では、ウェーハが所定の厚みを有する場合（例えば１ｍｍ）、レーザー光線を光デバイスウエーハ内部に集光するために光デバイスウエーハの面内におけるレーザー光線の入射領域を広くする必要があり、１枚の光デバイスウエーハから取得できるチップの数を減少させてしまう。
【０００５】
上記した特許文献１に記載された方法とは別に、回転する切削ブレードを光デバイスウエーハに切り込ませ分割する方法もあるが、所定の厚みを有する光デバイスウエーハを複数回に分けて切り込む方法では加工時間が増加してしまう。また、それに加えてサファイア等の硬質材料の場合、切削ブレードの摩耗も激しく、消耗品のコストも掛かるため不経済である。
【０００６】
よって、上記課題を解決するための分割方法が求められていた。
【０００７】
本発明の目的は、加工時間やコストを抑制しながらも円滑に分割することができる分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の分割方法は、交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された板状の被加工物の分割方法であって、回転する切削ブレードを被加工物の表面から該分割予定ラインに沿って切り込ませ、被加工物の裏面に至らない第１の切削溝を形成する第１切削ステップと、該第１切削ステップの後に、回転する切削ブレードを被加工物の裏面から該第１の切削溝に沿って切り込ませ、該第１の切削溝の底部に至らない第２の切削溝を形成する第２切削ステップと、該第２切削ステップの後に、被加工物に外力を付与して被加工物を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
前記分割方法において、該第１の切削溝の底部と、該第２の切削溝の底部との間の距離は被加工物の厚みの１０分の１以下でも良い。
【００１０】
前記分割方法において、被加工物はサファイア基板、ＳｉＣ基板、ガラス基板を含んでも良い。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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