TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2025047773
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023156475
出願日2023-09-21
発明の名称ウェーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250326BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】裏面側に金属層が積層されているウェーハであっても分割予定ラインを容易に加工することができるウェーハの加工方法を提供すること。
【解決手段】ウェーハの加工方法は、交差する複数の分割予定ラインと、分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ形成された複数のデバイスとを表面側に有するとともに裏面側に金属層が積層されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの分割予定ラインの位置を示すマークを裏面上に形成するマーク形成ステップ1002と、マーク形成ステップ1002で形成されたマークを基準にウェーハの裏面側からダイシングして個々のチップへと分割するダイシングステップ1003と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
交差する複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ形成された複数のデバイスと、を表面側に有するとともに裏面側に金属層が積層されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該分割予定ラインの位置を示すマークを該裏面上に形成するマーク形成ステップと、
該マーク形成ステップで形成された該マークを基準にウェーハの該裏面側からダイシングして個々のチップへと分割するダイシングステップと、を備えたウェーハの加工方法。
続きを表示(約 390 文字)【請求項2】
該マーク形成ステップでは、
少なくとも一部が透明材からなる保持面を含む保持テーブルでウェーハの該表面側を保持し、
該保持面を介してウェーハの該表面側を撮像して該分割予定ラインを検出し、検出した該分割予定ラインを基に該マークを形成する、請求項1に記載のウェーハの加工方法。
【請求項3】
該マークは、該分割予定ラインに対応し該ダイシングステップで除去される領域に形成される、請求項1に記載のウェーハの加工方法。
【請求項4】
該マークは、十字状に形成され、該分割予定ラインの交差部に対応し該ダイシングステップで除去される領域に形成される、請求項3に記載のウェーハの加工方法。
【請求項5】
該ウェーハは、SiCからなる、請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、表面に複数のデバイスが形成されるとともに裏面に金属層が積層されたウェーハの加工方法に関する。
続きを表示(約 1,100 文字)【背景技術】
【0002】
切削中にデバイスへの異物付着を防止するため、ウェーハの表面側をテープに貼着してダイシングすることが広く行われている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
特許文献1に記載されたダイシング方法は、ウェーハの裏面側からダイシングする際には、赤外線カメラを用いて表面側のパターンを検出し、パターンに基づいて分割予定ラインの位置を特定し、分割予定ラインに沿って切削ブレードでダイシングしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開平6-232255号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかし、裏面側に金属層が積層されているウェーハの場合、赤外線カメラを用いて分割予定ラインの位置を特定するのが難しく、改善が切望されている。
【0006】
本発明の目的は、裏面側に金属層が積層されているウェーハであっても分割予定ラインを容易に加工することができるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、交差する複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ形成された複数のデバイスと、を表面側に有するとともに裏面側に金属層が積層されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの該分割予定ラインの位置を示すマークを該裏面上に形成するマーク形成ステップと、該マーク形成ステップで形成された該マークを基準にウェーハの該裏面側からダイシングして個々のチップへと分割するダイシングステップと、を備えたことを特徴とする。
【0008】
前記ウェーハの加工方法において、該マーク形成ステップでは、少なくとも一部が透明材からなる保持面を含む保持テーブルでウェーハの該表面側を保持し、該保持面を介してウェーハの該表面側を撮像して該分割予定ラインを検出し、検出した該分割予定ラインを基に該マークを形成しても良い。
【0009】
前記ウェーハの加工方法において、該マークは、該分割予定ラインに対応し該ダイシングステップで除去される領域に形成されても良い。
【0010】
前記ウェーハの加工方法において、該マークは、十字状に形成され、該分割予定ラインの交差部に対応し該ダイシングステップで除去される領域に形成されても良い。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

株式会社ディスコ
洗浄ノズル
1日前
株式会社ディスコ
処理システム
今日
株式会社ディスコ
ウエーハの加工方法及びチップの製造方法
1日前
日星電気株式会社
平型電線
3日前
キヤノン株式会社
通信装置
7日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
株式会社FLOSFIA
半導体装置
今日
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
株式会社GSユアサ
蓄電設備
2日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
株式会社村田製作所
電池
今日
株式会社村田製作所
電池
今日
株式会社村田製作所
電池
今日
株式会社村田製作所
電池
1日前
日星電気株式会社
ケーブルの接続構造
今日
トヨタ自動車株式会社
二次電池
2日前
富士通株式会社
冷却モジュール
8日前
オムロン株式会社
回路部品
8日前
日本電気株式会社
光学モジュール
7日前
住友電装株式会社
コネクタ
1日前
TDK株式会社
コイル部品
7日前
株式会社東京精密
ワーク保持装置
6日前
住友電装株式会社
コネクタ
今日
ローム株式会社
半導体装置
1日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
株式会社村田製作所
二次電池
1日前
芝浦メカトロニクス株式会社
基板処理装置
1日前
三菱電機株式会社
半導体装置
8日前
オムロン株式会社
スイッチング素子
1日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
富士電機株式会社
半導体モジュール
1日前
富士電機株式会社
回路遮断器
8日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
続きを見る