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公開番号2025057868
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023167677
出願日2023-09-28
発明の名称ウエーハの加工方法及びチップの製造方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250402BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエーハを透過する波長のレーザービームをウエーハに照射することによってウエーハの内部に形成される改質部から伸展するクラックのウエーハの厚さ方向に沿った成分を大きくする。
【解決手段】ウエーハの内部に第一の改質部とともに形成されたクラックの近傍に第二の改質部を形成する。ここで、第二の改質部が形成されると、ウエーハの体積が膨張してウエーハに内部応力が生じる。そして、この内部応力は、クラックがさらに伸展することによって緩和される。そのため、ウエーハの内部に形成されるクラックのウエーハの厚さ方向に沿った成分を大きくすることができる。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
表面に設定されているストリートによって区画されるように複数のデバイスが形成されているウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハの厚さ方向において該ストリートと重なる該ウエーハの第一の領域内に該ウエーハの素材を透過する波長のレーザービームが集光される集光点を位置付けながら該ウエーハの裏面側から該レーザービームを該ストリートに沿って照射することによって、第一の改質部と、該第一の改質部から伸展し、かつ、該厚さ方向に沿った成分を有するクラックと、を該ウエーハの内部に形成するクラック形成ステップと、
該厚さ方向において該ストリートと重なり、かつ、平面視において該第一の領域と該複数のデバイスとの間に位置する第二の領域内に該集光点を位置付けながら該ウエーハの該裏面側から該レーザービームを該ストリートに沿って照射することによって、平面視において該第一の改質部と該複数のデバイスとの間に位置する第二の改質部を該ウエーハの内部に形成するとともに該クラックをさらに伸展させるクラック伸展ステップと、
を備えるウエーハの加工方法。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
該クラック形成ステップにおける該集光点の中心と該ストリートとの間隔は、該クラック伸展ステップにおける該集光点の中心と該ストリートとの間隔以下である請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該ウエーハの表面側には、薄膜層が設けられている請求項１又は２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
表面に設定されているストリートによって区画されるように複数のデバイスが形成されているウエーハを該ストリートに沿って分割することによって複数のチップを製造するチップの製造方法であって、
該ウエーハの厚さ方向において該ストリートと重なる該ウエーハの第一の領域内に該ウエーハの素材を透過する波長のレーザービームが集光される集光点を位置付けながら該ウエーハの裏面側から該レーザービームを該ストリートに沿って照射することによって、第一の改質部と、該第一の改質部から伸展し、かつ、該厚さ方向に沿った成分を有するクラックと、を該ウエーハの内部に形成するクラック形成ステップと、
該厚さ方向において該ストリートと重なり、かつ、平面視において該第一の領域と該複数のデバイスとの間に位置する第二の領域内に該集光点を位置付けながら該ウエーハの該裏面側から該レーザービームを該ストリートに沿って照射することによって、平面視において該第一の改質部と該複数のデバイスとの間に位置する第二の改質部を該ウエーハの内部に形成するとともに該クラックをさらに伸展させるクラック伸展ステップと、
該クラック形成ステップ及び該クラック伸展ステップを実施した後、該第一の改質部及び該第二の改質部を除去するように該ウエーハの該裏面側を研削することによって、該ストリートに沿って該ウエーハを分割する分割ステップと、
を備え、
該クラックは、該クラック伸展ステップ又は該分割ステップにおいて該ストリートに到達するまで伸展するチップの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に設定されているストリートによって区画されるように複数のデバイスが形成されているウエーハを加工するウエーハの加工方法と、このウエーハをストリートに沿って分割することによって複数のチップを製造するチップの製造方法と、に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このチップは、一般的に、その表面側に複数のデバイスを形成してから、複数のデバイスを区画するように設定されたストリートに沿ってウエーハを分割することによって製造される。
【０００３】
ウエーハの分割は、例えば、ウエーハの素材を透過する波長のレーザービームを利用して行われる（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この分割は、その内部に改質部と改質部から伸展するクラックとを形成するようにレーザービームをウエーハに照射してから、このクラックをさらに伸展させるようにウエーハに外力を付与することによって行われる。
【０００４】
ただし、このようにウエーハが分割されると、製造されたチップに改質部が残存してチップの抗折強度が低下するおそれがある。そのため、このようにチップを製造した後には、改質部を除去するようにチップが研削されることがある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００２－１９２３７０号公報
特開２００６－１２９０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数のデバイスは、フォトリソグラフィ等を利用してウエーハの表面に形成される導電膜及び絶縁膜等を有する薄膜層を含む。なお、薄膜層は、一般的に、ウエーハの表面全域に残存する。そのため、この場合には、薄膜層の表面にストリートが設定される。ただし、この場合、ウエーハの内部に改質部及びクラックを形成してからウエーハに外力を付与してもストリートに到達するまでクラックを伸展させることが困難になることがある。
【０００７】
また、ウエーハの厚さ方向においてストリートと近接するように改質部が形成される場合には、この改質部を除去するための研削によってチップが所望の仕上げ厚さよりも薄くなることがある。他方、ウエーハの厚さ方向においてストリートから離れるように改質部が形成される場合には、ウエーハに外力を付与してもストリートに到達するまでクラックを伸展させることが困難になることがある。
【０００８】
これらの点に鑑み、本発明の目的は、ウエーハを透過する波長のレーザービームをウエーハに照射することによってウエーハの内部に形成される改質部から伸展するクラックのウエーハの厚さ方向に沿った成分を大きくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面によれば、表面に設定されているストリートによって区画されるように複数のデバイスが形成されているウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの厚さ方向において該ストリートと重なる該ウエーハの第一の領域内に該ウエーハの素材を透過する波長のレーザービームが集光される集光点を位置付けながら該ウエーハの裏面側から該レーザービームを該ストリートに沿って照射することによって、第一の改質部と、該第一の改質部から伸展し、かつ、該厚さ方向に沿った成分を有するクラックと、を該ウエーハの内部に形成するクラック形成ステップと、該厚さ方向において該ストリートと重なり、かつ、平面視において該第一の領域と該複数のデバイスとの間に位置する第二の領域内に該集光点を位置付けながら該ウエーハの該裏面側から該レーザービームを該ストリートに沿って照射することによって、平面視において該第一の改質部と該複数のデバイスとの間に位置する第二の改質部を該ウエーハの内部に形成するとともに該クラックをさらに伸展させるクラック伸展ステップと、を備えるウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
また、該クラック形成ステップにおける該集光点の中心と該ストリートとの間隔は、該クラック伸展ステップにおける該集光点の中心と該ストリートとの間隔以下であることが好ましい。さらに、該ウエーハの表面側には、薄膜層が設けられていることが好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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