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公開番号2025063400
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-16
出願番号2023172545
出願日2023-10-04
発明の名称セラミックスコンデンサー基板の加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類B24B 27/06 20060101AFI20250409BHJP(研削;研磨)
要約【課題】電極膜の剥離やバリの発生を抑えることができるセラミックスコンデンサー基板の加工方法を提供する。
【解決手段】セラミックスコンデンサー基板の加工方法は、第一の面2aに切削ブレード40を位置づけてチップコンデンサーの大きさに対応する間隔でセラミックスコンデンサー基板2の厚みの略1/2の深さにハーフカット溝62を形成するハーフカット溝形成工程と、第二の面2bの外周に切削ブレード40を位置づけて外周を切削して第一の面2aに形成されたハーフカット溝62を第二の面2bに露出させ外周露出溝62’を形成する外周露出溝形成工程と、第二の面2b側から対応する一対の外周露出溝62’を撮像してハーフカット溝62に対応する分割すべき位置を検出する位置検出工程と、位置検出工程によって検出された位置に切削ブレード40を位置づけてハーフカット溝62に至る深さの溝を形成してセラミックスコンデンサー基板2をチップコンデンサーに分割する分割工程とを含む。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
第一の面および反対側の第二の面に電極膜が積層されたセラミックスコンデンサー基板の加工方法であって、
該第一の面に切削ブレードを位置づけてチップコンデンサーの大きさに対応する間隔でセラミックスコンデンサー基板の厚みの略１／２の深さにハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、
該第二の面の外周に切削ブレードを位置づけて外周を切削して該第一の面に形成された該ハーフカット溝を該第二の面に露出させ外周露出溝を形成する外周露出溝形成工程と、
該第二の面側から対応する一対の該外周露出溝を撮像して該ハーフカット溝に対応する分割すべき位置を検出する位置検出工程と、
該位置検出工程で検出した位置に切削ブレードを位置づけて該ハーフカット溝に至る深さの溝を形成してセラミックスコンデンサー基板をチップコンデンサーに分割する分割工程と、を含むセラミックスコンデンサー基板の加工方法。
続きを表示（約 150 文字）【請求項２】
該外周露出溝形成工程の前に、中央に開口部を有するフレームの該開口部に該ハーフカット溝が形成された該第一の面を位置づけてテープによって一体にして該第二の面が露出したフレームユニットを形成するフレームユニット形成工程を含む請求項１記載のセラミックスコンデンサー基板の加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、第一の面および反対側の第二の面に電極膜が積層されたセラミックスコンデンサー基板の加工方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩなどの複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを回転可能に備えた切削装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコンなどの電気機器に利用される。
【０００３】
また、セラミックスコンデンサー基板を個々のチップコンデンサーに分割する技術が本出願人によって提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１５－１３３３７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、この技術はレーザー光線を照射して分割起点を形成し外力を付与してセラミックスコンデンサー基板を個々のチップコンデンサーに分割するものであり、表面および裏面に電極膜が積層されたセラミックスコンデンサー基板においてはデブリの飛散、電極膜の剥離、バリの発生等が生じてチップコンデンサーの品質が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明の課題は、電極膜の剥離やバリの発生を抑えることができるセラミックスコンデンサー基板の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、上記課題を解決する以下のセラミックスコンデンサー基板の加工方法が提供される。すなわち、
「第一の面および反対側の第二の面に電極膜が積層されたセラミックスコンデンサー基板の加工方法であって、
該第一の面に切削ブレードを位置づけてチップコンデンサーの大きさに対応する間隔でセラミックスコンデンサー基板の厚みの略１／２の深さにハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、
該第二の面の外周に切削ブレードを位置づけて外周を切削して該第一の面に形成された該ハーフカット溝を該第二の面に露出させ外周露出溝を形成する外周露出溝形成工程と、
該第二の面側から対応する一対の該外周露出溝を撮像して該ハーフカット溝に対応する分割すべき位置を検出する位置検出工程と、
該位置検出工程で検出した位置に切削ブレードを位置づけて該ハーフカット溝に至る深さの溝を形成してセラミックスコンデンサー基板をチップコンデンサーに分割する分割工程と、を含むセラミックスコンデンサー基板の加工方法」が提供される。
【０００８】
好ましくは、該外周露出溝形成工程の前に、中央に開口部を有するフレームの該開口部に該ハーフカット溝が形成された該第一の面を位置づけてテープによって一体にして該第二の面が露出したフレームユニットを形成するフレームユニット形成工程を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のセラミックスコンデンサー基板の加工方法は、
第一の面および反対側の第二の面に電極膜が積層されたセラミックスコンデンサー基板の加工方法であって、
該第一の面に切削ブレードを位置づけてチップコンデンサーの大きさに対応する間隔でセラミックスコンデンサー基板の厚みの略１／２の深さにハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、
該第二の面の外周に切削ブレードを位置づけて外周を切削して該第一の面に形成された該ハーフカット溝を該第二の面に露出させ外周露出溝を形成する外周露出溝形成工程と、
該第二の面側から対応する一対の該外周露出溝を撮像して該ハーフカット溝に対応する分割すべき位置を検出する位置検出工程と、
該位置検出工程で検出した位置に切削ブレードを位置づけて該ハーフカット溝に至る深さの溝を形成してセラミックスコンデンサー基板をチップコンデンサーに分割する分割工程と、を含むので、電極膜の剥離やバリの発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
（ａ）円形のセラミックスコンデンサー基板の斜視図、（ｂ）矩形のセラミックスコンデンサー基板の斜視図、（ｃ）（ａ）または（ｂ）に示すセラミックスコンデンサー基板の断面図。
切削装置の斜視図。
図１（ａ）に示すセラミックスコンデンサー基板に保護テープを貼りつける状態を示す模式図。
図３に示すセラミックスコンデンサー基板をチャックテーブルに保持させる状態を示す模式図。
（ａ）ハーフカット溝形成工程を示す模式図、（ｂ）ハーフカット溝が形成されたセラミックスコンデンサー基板の断面図。
フレームユニット形成工程を示す模式図。
（ａ）外周露出溝形成工程を示す模式図、（ｂ）外周露出溝が形成されたセラミックスコンデンサー基板の外周の断面図。
位置検出工程を示す模式図。
分割工程を示す模式図。
チップコンデンサーに分割されたセラミックスコンデンサー基板の斜視図。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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