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公開番号2025017829
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-06
出願番号2023121118
出願日2023-07-25
発明の名称基板処理装置、基板処理方法、及び物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人近島国際特許事務所
主分類F26B 5/04 20060101AFI20250130BHJP(乾燥)
要約【課題】気密容器の内壁面を乾燥させるのに要する時間を短縮させるのに有利な技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、気密容器と、前記気密容器の内部に配置され、溶液が塗布された基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部にガスを導入可能なガス導入部と、前記気密容器の内部からガスを排気可能なガス排気部と、を備え、前記ガス導入部は、前記気密容器の内部に開口する第1導入口を有し、前記ガス排気部は、前記気密容器の内部に開口する第1排気口を有し、前記基板保持部の上面は、前記基板が配置される第1領域と、前記第1領域の外側の第2領域と、を含み、前記第1導入口は、前記気密容器の天井部と前記第2領域との間にガスカーテンを形成するよう、前記気密容器の内部にガスを噴射する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
気密容器と、
前記気密容器の内部に配置され、溶液が塗布された基板を保持可能な基板保持部と、
前記気密容器の内部にガスを導入可能なガス導入部と、
前記気密容器の内部からガスを排気可能なガス排気部と、を備え、
前記ガス導入部は、前記気密容器の内部に開口する第１導入口を有し、
前記ガス排気部は、前記気密容器の内部に開口する第１排気口を有し、
前記基板保持部の上面は、前記基板が配置される第１領域と、前記第１領域の外側の第２領域と、を含み、
前記第１導入口は、前記気密容器の天井部と前記第２領域との間にガスカーテンを形成するよう、前記気密容器の内部にガスを噴射する、
ことを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記第１導入口のガスの噴射方向は、前記基板保持部の前記上面に対して斜め方向である、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
平面視、前記第１導入口及び前記第１排気口は、前記第１領域と重ならない位置に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記平面視、前記第１排気口は、前記基板保持部の前記上面と重ならない位置に配置されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１排気口は、前記気密容器の前記天井部に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１導入口は、前記気密容器の内部に配置されたノズルの噴射口である、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ノズルは、前記気密容器の前記天井部に配置されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ノズルは、前記第２領域にガスを吹き付けるよう、前記気密容器の内部にガスを噴射する、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
平面視、前記ノズルは、前記第２領域と重なる位置に配置されている、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記気密容器の前記天井部に配置され、前記ノズルから前記気密容器の内部に噴射されたガスを前記第２領域に案内する第１案内部材を更に備える、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び物品の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子であるＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）を有するパネル（有機ＥＬパネル）などの物品を製造する際に、基板の上の所望の箇所にインクジェット装置を用いて溶液膜を塗布する方法が知られている。溶液膜は、溶質と溶媒とを含む溶液で構成される膜である。基板を乾燥させる、即ち基板の上に塗布された溶液膜に含まれる溶媒を蒸発させることで、基板の上に膜（層）が形成される。基板の乾燥には、基板処理装置である減圧乾燥装置が用いられる。
【０００３】
特許文献１には、気密容器内の圧力を調節しながら、基板へ向けて噴射するガスの流量や種類を変化させることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１４－１９９８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板上の溶液膜から蒸発した溶媒の大部分は、ポンプにより気密容器の外部へ排気されるが、溶媒の一部分は、気密容器の内壁面に付着する。気密容器の内壁面に前工程の溶媒が付着したまま、次工程の基板を気密容器の内部で乾燥処理を行うと、次工程の基板の膜厚にムラが生じる虞がある。そのため、基板の乾燥処理の終了後には、気密容器の内壁面を十分に乾燥させる必要があり、気密容器の内壁面に付着する溶媒量が多いほど、気密容器の内壁面を乾燥させる時間を長くする必要がある。
【０００６】
本開示は、気密容器の内壁面を乾燥させるのに要する時間を短縮させるのに有利な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、気密容器と、前記気密容器の内部に配置され、溶液が塗布された基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部にガスを導入可能なガス導入部と、前記気密容器の内部からガスを排気可能なガス排気部と、を備え、前記ガス導入部は、前記気密容器の内部に開口する第１導入口を有し、前記ガス排気部は、前記気密容器の内部に開口する第１排気口を有し、前記基板保持部の上面は、前記基板が配置される第１領域と、前記第１領域の外側の第２領域と、を含み、前記第１導入口は、前記気密容器の天井部と前記第２領域との間にガスカーテンを形成するよう、前記気密容器の内部にガスを噴射する、ことを特徴とする基板処理装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、気密容器の内壁面を乾燥させるのに要する時間を短縮させるのに有利な技術を提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の模式図である。
第１実施形態に係る減圧乾燥装置の模式図である。
第１実施形態に係る減圧乾燥装置の模式図である。
第１実施形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
第１実施形態に係る基板処理方法の説明図である。
変形例１に係る減圧乾燥装置の模式図である。
第２実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において、構成要素が模式的に図示されている場合があり、図面間で構成要素の形状、大きさ、配置などが相互に一致しているとは限らないものとする。
（【００１１】以降は省略されています）

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