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公開番号2025016704
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-04
出願番号2024193625,2023001169
出願日2024-11-05,2019-01-18
発明の名称接合体及び表面弾性波デバイス
出願人住友電気工業株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250128BHJP(基本電子回路)
要約【課題】ばらつきの小さい、優れた周波数温度特性を有する圧電体基板とスピネル多結晶基板との接合体及び該接合体を備える表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】接合体2は、圧電体基板5と、圧電体基板の第1の主面5a上に設けられたスピネル多結晶基板1と、を備え、圧電体基板5の平均厚みT1と、スピネル多結晶基板1の平均厚みT2との比であるT1/T2が0.1以下であり、スピネル多結晶基板1は、圧電体基板5と接する第1の主面5aにおいて、全体厚みばらつき(TTV)が1.5μm以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
圧電体基板と、前記圧電体基板の一方の主面上に設けられたスピネル多結晶基板とを備え、
前記圧電体基板の平均厚みＴ１と、前記スピネル多結晶基板の平均厚みＴ２との比であるＴ１／Ｔ２が０．１以下であり、
前記スピネル多結晶基板は、前記圧電体基板と接する主面において、ＴＴＶが１．５μｍ以下である、接合体。
続きを表示（約 500 文字）【請求項２】
前記Ｔ１／Ｔ２が０．０００２以上０．１以下である、請求項１に記載の接合体。
【請求項３】
前記Ｔ１は、０．１μｍ以上２５μｍ以下であり、
前記Ｔ２は、１００μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１又は請求項２に記載の接合体。
【請求項４】
前記圧電体基板は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項５】
前記Ｔ１及び前記Ｔ２の合計厚みは、１００．１μｍ以上５２５μｍ以下であり、
前記スピネル多結晶基板は、その主表面が、直径１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下の円形、又は、前記円形にオリエンテーションフラットが形成された形状であり、
前記接合体は、その外表面のＴＴＶが１０μｍ以下である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の接合体と、
前記圧電体基板の前記スピネル多結晶基板の設けられた面とは反対側の主面上に設けられた電極とを備える、表面弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、接合体及び表面弾性波デバイスに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話の内部には、電気信号のノイズをカットし、所望の周波数の電気信号のみを送受信するための、ＳＡＷ（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ、表面弾性波）フィルタと呼ばれる電子部品が組み込まれている。ＳＡＷフィルタには、圧電効果を有する材料からなる圧電体基板を用いる。
【０００３】
圧電体基板の一方の表面には、透過周波数帯の波長に応じたピッチの櫛形電極が形成されている。櫛形電極に入力された電気信号により圧電体基板が応力を受けて変形し、ピッチに応じた弾性波が発生する。
【０００４】
ＳＡＷフィルタの透過周波数は櫛形電極のピッチで決まる。櫛形電極のピッチは周辺温度の変化による圧電体基板の膨張収縮により変化する。熱膨張による変化を抑制するため、圧電体基板の櫛形電極の形成された表面とは反対側の表面には、高強度かつ低熱膨張である支持基板が貼り付けられている。
【０００５】
特許文献１（特開２００６－３０４２０６号公報）では、上記の支持基板として、シリコン基板を用いている。シリコンの熱膨張係数は、圧電体基板を形成するタンタル酸リチウム等の材料の熱膨張係数に比べて非常に小さい。従って、圧電体基板が熱により膨張すると、シリコンが割れてしまうおそれがある。
【０００６】
また、上記の支持基板として、サファイヤを用いる技術も提案されている。しかし、サファイヤは単結晶であり、硬度が高いため、小型化のために所望の形状に成形することが困難である。また、シリコンやサファイヤの単結晶基板は一般的に高価であり、より低コストの基板が求められていた。
【０００７】
そこで、特許文献２（特開２０１１－６６８１８号公報）には、支持基板として、より抵コストで適度な強度を有するスピネルを用いる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開２００６－３０４２０６号公報
特開２０１１－６６８１８号公報
【発明の概要】
【０００９】
［１］本開示の一態様に係る接合体は、圧電体基板と、前記圧電体基板の一方の主面上に設けられたスピネル多結晶基板とを備え、
前記圧電体基板の平均厚みＴ１と、前記スピネル多結晶基板の平均厚みＴ２との比であるＴ１／Ｔ２が０．１以下であり、
前記スピネル多結晶基板は、前記圧電体基板と接する主面において、ＴＴＶ（ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ、全体厚みばらつき）が１．５μｍ以下である。
【００１０】
［２］本開示の他の一態様に係る表面弾性波デバイスは、上記に記載の接合体と、
前記圧電体基板の前記スピネル多結晶基板の設けられた面とは反対側の主面上に設けら
れた電極とを備える、表面弾性波デバイスである。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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