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公開番号2025003073
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-09
出願番号2023103538
出願日2023-06-23
発明の名称フィルタデバイスおよび通信装置
出願人京セラ株式会社
代理人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20241226BHJP(基本電子回路)
要約【課題】優れたフィルタ特性をもつフィルタデバイスを提供する。
【解決手段】フィルタデバイスは、IDC素子を含む容量チップと、弾性波共振子を含む第1弾性波チップと、を備える。IDC素子は、圧電性材料もしくは誘電性材料を含む第1層と、前記第1層上に位置する一対の第1櫛歯電極と、を有する。弾性波共振子は、圧電性材料を含む第2層と、第2層上に位置する一対の第2櫛歯電極と、を有する。第1層の厚みは、第2層の厚みよりも大きい。
【選択図】図12
特許請求の範囲【請求項１】
ＩＤＣ素子を含む容量チップと、弾性波共振子を含む第１弾性波チップと、を備えるフィルタデバイスであって、
前記ＩＤＣ素子は、
圧電性材料もしくは誘電性材料を含む第１層と、
前記第１層上に位置する一対の第１櫛歯電極と、
を有し、
前記弾性波共振子は、
圧電性材料を含む第２層と、
前記第２層上に位置する一対の第２櫛歯電極と、
を有し、
前記第１層の厚みは、前記第２層の厚みよりも大きい、
フィルタデバイス。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記第１層は厚みが１μｍ以上であって、前記第２層は厚みが１μｍ未満である、
請求項１に記載のフィルタデバイス。
【請求項３】
前記第１層は、タンタル酸リチウムもしくはニオブ酸リチウムを含む、
請求項１に記載のフィルタデバイス。
【請求項４】
前記弾性波共振子の主共振周波数は、３ＧＨｚ以上である、
請求項１に記載のフィルタデバイス。
【請求項５】
前記弾性波共振子は、主共振として板波またはバルク波を励振する、
請求項１に記載のフィルタデバイス。
【請求項６】
前記弾性波共振子は、
支持基板と、
前記第２層と前記支持基板の間に位置し、前記第２層よりも音響インピーダンスが小さい低音響インピーダンス層と、
をさらに有する、
請求項１に記載のフィルタデバイス。
【請求項７】
前記ＩＤＣ素子は、電磁気フィルタの容量素子である、
請求項１に記載のフィルタデバイス。
【請求項８】
前記弾性波共振子が形成する減衰極は、前記電磁気フィルタが形成する減衰極よりも前記通過帯域の近くに位置する、
請求項７に記載のフィルタデバイス。
【請求項９】
前記電磁気フィルタに含まれるすべての容量素子は、前記第１層上に位置する櫛歯電極で構成される、
請求項７に記載のフィルタデバイス。
【請求項１０】
前記一対の第２櫛歯電極が有する複数の電極指のデューティは、前記一対の第１櫛歯電極が有する複数の電極指のデューティよりも小さい、
請求項１に記載のフィルタデバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、弾性波を利用する電子部品であるフィルタデバイスおよび当該フィルタデバイスを含む通信装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
圧電基板にてキャパシタをなす櫛歯電極の各々の歯に、狭幅部と、狭幅部よりも幅広の拡幅部を備えることで、当該キャパシタの共振が抑制され、良好な特性を得られる弾性表面波フィルタが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－２００８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の弾性表面波フィルタのように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｅｇｉｔａｌ
Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極とキャパシタを形成する導電パターンとが同一の圧電基板上に形成されているため、導電パターンによるスプリアス共振が周波数特性に影響を及ぼす可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）
本開示の一実施形態に係るフィルタデバイスは、ＩＤＣ素子を含む容量チップと、弾性波共振子を含む第１弾性波チップと、を備えるフィルタデバイスであって、前記ＩＤＣ素子は、圧電性材料もしくは誘電性材料を含む第１層と、前記第１層上に位置する一対の第１櫛歯電極と、を有し、前記弾性波共振子は、圧電性材料を含む第２層と、前記第２層上に位置する一対の第２櫛歯電極と、を有し、前記第１層の厚みは、前記第２層の厚みよりも大きい。
【０００６】
（２）
本開示の一実施形態に係るフィルタデバイスは、上記（１）に記載するフィルタデバイスであって、前記第１層は厚みが１μｍ以上であって、前記第２層は厚みが１μｍ未満である。
【０００７】
（３）
本開示の一実施形態に係るフィルタデバイスは、上記（１）または（２）に記載するフィルタデバイスであって、前記第１層は、タンタル酸リチウムもしくはニオブ酸リチウムを含む。
【０００８】
（４）
本開示の一実施形態に係るフィルタデバイスは、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載するフィルタデバイスであって、前記弾性波共振子の主共振周波数は、３ＧＨｚ以上である。
【０００９】
（５）
本開示の一実施形態に係るフィルタデバイスは、上記（１）乃至（４）のいずれかにに記載するフィルタデバイスであって、前記弾性波共振子は、主共振として板波またはバル
ク波を励振する。
【００１０】
（６）
本開示の一実施形態に係るフィルタデバイスは、上記（１）乃至（５）のいずれかに記載するフィルタデバイスであって、前記弾性波共振子は、支持基板と、前記第２層と前記支持基板の間に位置し、前記第２層よりも音響インピーダンスが小さい低音響インピーダンス層と、をさらに有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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