特許ウォッチ

公開番号2024171534
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-12
出願番号2023088592
出願日2023-05-30
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20241205BHJP(基本電子回路)
要約【課題】WLP構造の弾性波デバイスにおいて、これを構成するデバイスチップ2の放熱性を合理的に向上可能な新しい構造を提供する。
【解決手段】共振器9となるパターンを含む第1メタルパターン3と、第1メタルパターン3よりも大きい厚みを持つように形成され且つ信号入出力用端子10、信号入出力用端子10と共振器9とを接続する配線11a、複数の共振器9同士を接続する配線11bおよびグランド配線11cとなるパターンを含む第2メタルパターン4と、第2メタルパターン4上に形成されて共振器9の封止空間8を形成させるルーフ5と、ルーフ5を貫通する通過穴5cを利用して形成された外部接続用半田バンプ6と、ルーフ5に形成された有底穴5dを利用して形成された放熱用半田バンプ7とを備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
デバイスチップと、
前記デバイスチップの一面上に形成されると共に、共振器となるパターンを含む第１メタルパターンと、
前記デバイスチップの前記一面上に形成されると共に、いずれの位置でも前記第１メタルパターンよりも大きい所定の厚みを持つように形成され、かつ、信号入出力用端子、前記信号入出力用端子と前記共振器とを接続する配線、前記複数の共振器同士を接続する配線およびグランド配線となるパターンを含む第２メタルパターンと、
前記第２メタルパターン上に形成されて、前記デバイスチップの前記一面及び前記第２メタルパターンと共働して前記共振器の封止空間を形成させる樹脂製のルーフと、
前記ルーフを貫通する通過穴を利用して形成されると共に、前記第２メタルパターンに接合させた内端部と前記ルーフから突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプと、
前記ルーフに形成された有底穴を利用して形成されると共に、前記ルーフから突き出す外端部を備えた放熱用半田バンプと、を備えてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記放熱用半田バンプを、前記デバイスチップの前記一面に直交する向きから見た状態において、前記複数の共振器同士を接続する配線の形成領域上となる箇所に形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記ルーフを、熱伝導率が高い樹脂から構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記放熱用半田バンプを、二以上備えてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記放熱用半田バンプにおける前記有底穴内に位置される内端部及び側面部に接する前記有底穴の底面及び内面を、金属膜によって被覆させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記放熱用半田バンプにおける前記有底穴内に位置される側面部に接する前記有底穴の内面を、粗化処理させた粗面としてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記放熱用半田バンプを、前記有底穴の底面に接する内端部と前記外端部との間に頸部を持つように形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記グランド配線を、前記第１メタルパターン、前記信号入出力用端子、前記信号入出力用端子と前記共振器を接続する配線、および、前記複数の共振器同士を接続する配線を囲うように配置させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造を有する弾性波(Surface Acoustic Wave/SAW)デバイスは、特許文献１に示される構造を持つ。
この特許文献１のものは、デバイスチップの一面上にカバーを設けると共に、このカバーにより形成された内部空間内に前記一面に形成させたＩＤＴ電極が位置されるようになっている。
ここで、弾性波デバイスへの信号の入力によりデバイスチップには熱が生じるが、デバイスチップを構成する圧電体は熱伝導率が低く放熱性が悪い。圧電体として利用されるタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの熱伝導率は約４から６Ｗ／ｍＫ程度である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００２－２１７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種のＷＬＰ構造の弾性波デバイスにおいて、これを構成するデバイスチップの放熱性を合理的に向上可能な新しい構造を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、弾性波デバイスを、
デバイスチップと、
前記デバイスチップの一面上に形成されると共に、共振器となるパターンを含む第１メタルパターンと、
前記デバイスチップの前記一面上に形成されると共に、いずれの位置でも前記第１メタルパターンよりも大きい所定の厚みを持つように形成され、かつ、信号入出力用端子、前記信号入出力用端子と前記共振器とを接続する配線、前記複数の共振器同士を接続する配線およびグランド配線となるパターンを含む第２メタルパターンと、
前記第２メタルパターン上に形成されて、前記デバイスチップの前記一面及び前記第２メタルパターンと共働して前記共振器の封止空間を形成させる樹脂製のルーフと、
前記ルーフを貫通する通過穴を利用して形成されると共に、前記第２メタルパターンに接合させた内端部と前記ルーフから突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプと、
前記ルーフに形成された有底穴を利用して形成されると共に、前記ルーフから突き出す外端部を備えた放熱用半田バンプと、を備えてなる、ものとした。
【０００６】
また、前記放熱用半田バンプを、前記デバイスチップの前記一面に直交する向きから見た状態において、前記複数の共振器同士を接続する配線の形成領域上となる箇所に形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００７】
また、前記ルーフを、熱伝導率が高い樹脂から構成させることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記放熱用半田バンプを、二以上備えさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００９】
また、前記放熱用半田バンプにおける前記有底穴内に位置される内端部及び側面部に接する前記有底穴の底面及び内面を、金属膜によって被覆させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【００１０】
また、前記放熱用半田バンプにおける前記有底穴内に位置される側面部に接する前記有底穴の内面を、粗化処理させた粗面とすることが、この発明の態様の一つとされる。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許