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公開番号2025008503
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023110728
出願日2023-07-05
発明の名称フィルタおよびマルチプレクサ
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 7/075 20060101AFI20250109BHJP(基本電子回路)
要約【課題】通過帯域から離れた周波数帯での減衰特性を改善できるフィルタを提供する。
【解決手段】フィルタ100は、入力端子Tinと、出力端子Toutと、グランド端子Tgと、一端が入力端子Tinに接続され、他端が入力端子Tinと出力端子Toutを接続する経路12に接続されたインダクタL11と、経路12上に直列接続されたキャパシタC11およびインダクタL12と、キャパシタC11およびインダクタL12に並列接続されたインダクタL13と、を備え、インダクタL11と出力端子Toutの間に位置する並列回路10と、グランド端子Tgと経路12の間に直列に接続されたキャパシタC12とインダクタL14を備え、インダクタL11と並列回路10の間に位置する直列回路20とを備える。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
第１端子と、
第２端子と、
グランド端子と、
一端が前記第１端子に接続され、他端が前記第１端子と前記第２端子を接続する経路に接続された第１インダクタと、
前記経路上に直列接続された第１キャパシタおよび第２インダクタと、前記第１キャパシタおよび前記第２インダクタに並列接続された第３インダクタと、を備え、前記第１インダクタと前記第２端子の間に位置する第１回路と、
前記グランド端子と前記経路の間に直列接続された第２キャパシタと第４インダクタを備え、前記第１インダクタと前記第１回路の間に位置する第２回路と、を備えるフィルタ。
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
前記フィルタは通過帯域を有するローパスフィルタであり、
前記第１回路および前記第２回路は、前記通過帯域より高い周波数に減衰極を形成する、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項３】
前記第１回路は、前記通過帯域より高い周波数に第１減衰極の第１極小を形成し、
前記第２回路は、前記第１極小と前記通過帯域との間の周波数に第２減衰極の第２極小を形成する、請求項２に記載のフィルタ。
【請求項４】
前記第２インダクタは、前記第１インダクタ、前記第３インダクタ、および前記第４インダクタよりインダクタンスが小さい、請求項１または２に記載のフィルタ。
【請求項５】
前記第２キャパシタと前記第４インダクタの間に素子は接続されていない、請求項１または２に記載のフィルタ。
【請求項６】
前記第１キャパシタと前記第２インダクタの間に素子は接続されていない、請求項１または２に記載のフィルタ。
【請求項７】
複数の誘電体層が積層された積層体を備え、
前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記第３インダクタ、前記第４インダクタ、前記第１キャパシタ、および前記第２キャパシタは、前記積層体内に形成される、請求項１または２に記載のフィルタ。
【請求項８】
前記第２インダクタを形成する線路を流れる電流の向きと前記第４インダクタを形成する線路を流れる電流の向きとは逆向きである、請求項７に記載のフィルタ。
【請求項９】
前記第１キャパシタを形成する１つの電極と前記第２インダクタを形成する線路は、前記複数の誘電体層のうちの１つの誘電体層の同じ面に設けられている、請求項７に記載のフィルタ。
【請求項１０】
前記グランド端子と前記経路の間に直列に接続される第３キャパシタと第５インダクタを備え、前記第１回路と前記第２端子の間に位置する第３回路を備え、
前記第３回路は、前記第１極小より高い周波数に第３減衰極の第３極小を形成する、請求項３に記載のフィルタ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタおよびマルチプレクサに関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
入力端子と出力端子との間にインダクタとＬＣ並列回路が直列接続され、インダクタとＬＣ並列回路の間のノードとグランド端子との間にＬＣ直列回路が接続されたローパスフィルタが知られている（例えば特許文献１）。また、入力端子と出力端子との間にＬＣ並列回路が接続され、ＬＣ並列回路の両側それぞれに位置するノードとグランド端子との間にキャパシタが接続されたローパスフィルタが知られている（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平３－１５４４１９号公報
特開２０１０－１４１８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
通過帯域から離れた周波数帯での減衰特性の改善が求められている。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、通過帯域から離れた周波数帯での減衰特性を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１端子と、第２端子と、グランド端子と、一端が前記第１端子に接続され、他端が前記第１端子と前記第２端子を接続する経路に接続された第１インダクタと、前記経路上に直列接続された第１キャパシタおよび第２インダクタと、前記第１キャパシタおよび前記第２インダクタに並列接続された第３インダクタと、を備え、前記第１インダクタと前記第２端子の間に位置する第１回路と、前記グランド端子と前記経路の間に直列接続された第２キャパシタと第４インダクタを備え、前記第１インダクタと前記第１回路の間に位置する第２回路と、を備えるフィルタである。
【０００７】
上記構成において、前記フィルタは通過帯域を有するローパスフィルタであり、前記第１回路および前記第２回路は、前記通過帯域より高い周波数に減衰極を形成する構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１回路は、前記通過帯域より高い周波数に第１減衰極の第１極小を形成し、前記第２回路は、前記第１極小と前記通過帯域との間の周波数に第２減衰極の第２極小を形成する構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２インダクタは、前記第１インダクタ、前記第３インダクタ、および前記第４インダクタよりインダクタンスが小さい構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２キャパシタと前記第４インダクタの間に素子は接続されていない構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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