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公開番号2024157184
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-07
出願番号2023071363
出願日2023-04-25
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20241030BHJP(基本電子回路)
要約【課題】弾性波デバイスに、低背化及び寄生インダクタンスの低減に資する構造と、有用な特性を持たせ易くなる構造とを、同時に付与できるようにする。
【解決手段】一面2a側にこの一面2aに対向する他面3b側に向けて凹んだ凹部2dを備えると共に、この凹部2dの底面2eにIDT電極5bを含んだ機能素子5を形成させてなるデバイスチップ2と、前記凹部2dの前記底面2eとの間に内部空間4を形成させるようにして前記デバイスチップ2の前記一面2a上に設けられる絶縁材料よりなるルーフ層3とを備えてなる。前記凹部2dの前記底面2eを、前記凹部2dの開口縁2gとの間の距離dを異ならせる複数の領域2ea、2ebより構成させてなる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
一面側にこの一面に対向する他面側に向けて凹んだ凹部を備えると共に、この凹部の底面にＩＤＴ電極を含んだ機能素子を形成させてなるデバイスチップと、
前記凹部の前記底面との間に内部空間を形成させるようにして前記デバイスチップの前記一面上に設けられる絶縁材料よりなるルーフ層とを備えてなる、弾性波デバイスであって、
前記凹部の前記底面を、前記凹部の開口縁との間の距離を異ならせる複数の領域より構成させてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 480 文字）【請求項２】
前記凹部の前記底面に、前記機能素子となる第一金属層と、配線及び外部への接続のための内部電極となる第二金属層とを備えると共に、
前記第二金属層における前記底面に直交する向きの厚さを、前記第一金属層の前記の向きでの厚さより大きくさせてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記ルーフ層に、前記内部電極に一端を一体化させて前記ルーフ層の外面から突き出す接続端子体の通過穴を形成させてなる、請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第二金属層の前記厚さを、前記凹部の前記底面と前記ルーフ層の内面との間の距離と同一又はこれよりやや大きくさせてなる、請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記ルーフ層を、熱伝導率の高い材料より構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記ルーフ層を、前記内部空間側に位置される内層とこの内層上に形成される熱伝導率の高い材料よりなる外層との積層体としてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造を有する弾性波(Surface Acoustic Wave/SAW)デバイスは、特許文献１に示される構造を持つ。
この特許文献１のものは、デバイスチップの一面上にカバーを設けると共に、このカバーにより形成された内部空間内に前記一面に形成させたＩＤＴ電極が位置されるようになっている。
この特許文献１のものでは、前記デバイスチップの一面は、前記カバーを覆う厚さの樹脂層で覆われ、デバイスチップの一面上に形成された回路と外部とは、デバイスチップの一面に形成された入出力電極と、この入出力電極上に形成されたパッド電極と、このパッド電極上において前記樹脂層を貫通する貫通穴内に形成される突起電極とを介して、接続されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００２－２１７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の弾性波デバイスにあっては、その低背化が強く求められるところ、前記の特許文献１の構造では、前記カバーが弾性波デバイスの厚さを小さくすることへの妨げとなる。
また、前記の特許文献１の構造は、前記樹脂層の厚さ分の高さを持った突起電極が寄生インダクタンスを少なからず生じさせる。
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスに、低背化及び寄生インダクタンスの低減に資する構造と、弾性波デバイスに有用な特性を持たせ易くなる構造とを、同時に付与できるようにする点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、一面側にこの一面に対向する他面側に向けて凹んだ凹部を備えると共に、この凹部の底面にＩＤＴ電極を含んだ機能素子を形成させてなるデバイスチップと、
前記凹部の前記底面との間に内部空間を形成させるようにして前記デバイスチップの前記一面上に設けられる絶縁材料よりなるルーフ層とを備えてなる、弾性波デバイスであって、
前記凹部の前記底面を、前記凹部の開口縁との間の距離を異ならせる複数の領域より構成させてなる、ものとした。
【０００６】
前記凹部の前記底面に、前記機能素子となる第一金属層と、配線及び外部への接続のための内部電極となる第二金属層とを備えさせると共に、
前記第二金属層における前記底面に直交する向きの厚さを、前記第一金属層の前記の向きでの厚さより大きくさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００７】
また、前記ルーフ層に、前記内部電極に一端を一体化させて前記ルーフ層の外面から突き出す接続端子体の通過穴を形成させることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記第二金属層の前記厚さを、前記凹部の前記底面と前記ルーフ層の内面との間の距離と同一又はこれよりやや大きくさせることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００９】
また、前記ルーフ層を、熱伝導率の高い材料より構成させることが、この発明の態様の一つとされる。
【００１０】
また、前記ルーフ層を、前記内部空間側に位置される内層とこの内層上に形成される熱伝導率の高い材料よりなる外層との積層体とすることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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