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公開番号2025015750
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2024201121,2021539689
出願日2024-11-18,2020-07-28
発明の名称発光装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250123BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】画素の欠陥が視認されにくい表示装置を提供する。
【解決手段】画素がマトリクス状に配列された表示部と、光電変換素子が設けられたセンサ部と、を有する表示装置。まず、表示部を、第1の領域と、第2の領域と、に分割する。次に、第1の領域に含まれる画素から第1の光を射出して、第1の光の輝度を光電変換素子により検出する。また、第2の領域に含まれる画素から第2の光を射出して、第2の光の輝度を光電変換素子により検出する。その後、第1の光の輝度と、第2の光の輝度と、を比較し、比較の結果を基に、第1の領域、又は第2の領域の一方を、第3の領域と、第4の領域と、に分割する。これらの動作を繰り返すことにより、欠陥画素を検出する。欠陥画素の検出結果に基づき、画像データが表す輝度を補正することができる。
【選択図】図45
特許請求の範囲【請求項１】
第１の画素乃至第４の画素と、第１のデータ線及び第２のデータ線と、第１の走査線及び第２の走査線と、電源線と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び第１の発光素子を有し、
前記第２の画素は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ及び第２の発光素子を有し、
前記第３の画素は、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ及び第３の発光素子を有し、
前記第４の画素は、第７のトランジスタ、第８のトランジスタ及び第４の発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタを介して前記第１の画素に入力された第１の信号に従って、前記電源線と前記第１の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタを介して前記第２の画素に入力された第２の信号に従って、前記電源線と前記第２の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタは、前記第５のトランジスタを介して前記第３の画素に入力された第３の信号に従って、前記電源線と前記第３の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタは、前記第７のトランジスタを介して前記第４の画素に入力された第４の信号に従って、前記電源線と前記第４の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第１の導電膜は、前記第１の発光素子の画素電極としての機能を有する第２の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の発光素子の画素電極としての機能を有する第３の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第３の発光素子の画素電極としての機能を有する第４の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の発光素子の画素電極としての機能を有する第５の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第３の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第５の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第１の走査線としての機能を有する第６の導電膜は、第１の方向に延伸しており、
平面視において、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第１のデータ線としての機能を有する第７の導電膜に近い位置に配置され、
平面視において、前記第８のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第７のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第７の導電膜に近い位置に配置されている、
発光装置。
続きを表示（約 5,300 文字）【請求項２】
第１の画素乃至第４の画素と、第１のデータ線及び第２のデータ線と、第１の走査線及び第２の走査線と、電源線と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び第１の発光素子を有し、
前記第２の画素は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ及び第２の発光素子を有し、
前記第３の画素は、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ及び第３の発光素子を有し、
前記第４の画素は、第７のトランジスタ、第８のトランジスタ及び第４の発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタを介して前記第１の画素に入力された第１の信号に従って、前記電源線と前記第１の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタを介して前記第２の画素に入力された第２の信号に従って、前記電源線と前記第２の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタは、前記第５のトランジスタを介して前記第３の画素に入力された第３の信号に従って、前記電源線と前記第３の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタは、前記第７のトランジスタを介して前記第４の画素に入力された第４の信号に従って、前記電源線と前記第４の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第１の導電膜は、前記第１の発光素子の画素電極としての機能を有する第２の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の発光素子の画素電極としての機能を有する第３の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第３の発光素子の画素電極としての機能を有する第４の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の発光素子の画素電極としての機能を有する第５の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第３の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第５の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第８のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第１の走査線としての機能を有する第６の導電膜は、第１の方向に延伸しており、
平面視において、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第１のデータ線としての機能を有する第７の導電膜に近い位置に配置され、
平面視において、前記第８のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第７のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第７の導電膜に近い位置に配置されている、
発光装置。
【請求項３】
第１の画素乃至第４の画素と、第１のデータ線及び第２のデータ線と、第１の走査線及び第２の走査線と、電源線と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び第１の発光素子を有し、
前記第２の画素は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ及び第２の発光素子を有し、
前記第３の画素は、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ及び第３の発光素子を有し、
前記第４の画素は、第７のトランジスタ、第８のトランジスタ及び第４の発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタを介して前記第１の画素に入力された第１の信号に従って、前記電源線と前記第１の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタを介して前記第２の画素に入力された第２の信号に従って、前記電源線と前記第２の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタは、前記第５のトランジスタを介して前記第３の画素に入力された第３の信号に従って、前記電源線と前記第３の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタは、前記第７のトランジスタを介して前記第４の画素に入力された第４の信号に従って、前記電源線と前記第４の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第１の導電膜は、前記第１の発光素子の画素電極としての機能を有する第２の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の発光素子の画素電極としての機能を有する第３の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第３の発光素子の画素電極としての機能を有する第４の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の発光素子の画素電極としての機能を有する第５の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第３の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第５の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第１の走査線としての機能を有する第６の導電膜は、第１の方向に延伸しており、
平面視において、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第１のデータ線としての機能を有する第７の導電膜に近い位置に配置され、
平面視において、前記第８のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第７のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第７の導電膜に近い位置に配置されており、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜乃至前記第５の導電膜のそれぞれの下方に配置された領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有する第８の導電膜の上方に配置された領域を有する、
発光装置。
【請求項４】
第１の画素乃至第４の画素と、第１のデータ線及び第２のデータ線と、第１の走査線及び第２の走査線と、電源線と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び第１の発光素子を有し、
前記第２の画素は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ及び第２の発光素子を有し、
前記第３の画素は、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ及び第３の発光素子を有し、
前記第４の画素は、第７のトランジスタ、第８のトランジスタ及び第４の発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタを介して前記第１の画素に入力された第１の信号に従って、前記電源線と前記第１の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタを介して前記第２の画素に入力された第２の信号に従って、前記電源線と前記第２の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の走査線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタは、前記第５のトランジスタを介して前記第３の画素に入力された第３の信号に従って、前記電源線と前記第３の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第２の走査線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタは、前記第７のトランジスタを介して前記第４の画素に入力された第４の信号に従って、前記電源線と前記第４の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第１の導電膜は、前記第１の発光素子の画素電極としての機能を有する第２の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の発光素子の画素電極としての機能を有する第３の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第３の発光素子の画素電極としての機能を有する第４の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の発光素子の画素電極としての機能を有する第５の導電膜との重なりを有し、
前記第１の導電膜は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第３の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第５の導電膜は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の開口部との重なりを有し、
前記第８のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２の開口部との重なりを有し、
前記第１の走査線としての機能を有する第６の導電膜は、第１の方向に延伸しており、
平面視において、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第１のデータ線としての機能を有する第７の導電膜に近い位置に配置され、
平面視において、前記第８のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第７のトランジスタのチャネル形成領域よりも、前記第１の方向にて前記第７の導電膜に近い位置に配置されており、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜乃至前記第５の導電膜のそれぞれの下方に配置された領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有する第８の導電膜の上方に配置された領域を有する、
発光装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第８の導電膜は、前記電源線と電気的に接続される、
発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置の動作方法に関する。また、本発明の一態様は、表示装置に関する。また、本発明の一態様は、電子機器に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、表示システム、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ等）、入出力装置（例えば、タッチパネル等）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
【０００３】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置等）、投影装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、及び電子機器等は、半導体装置といえる場合がある。もしくは、これらは半導体装置を有するといえる場合がある。
【背景技術】
【０００４】
拡張現実（ＡＲ：ＡｕｇｍｅｎｔｅｄＲｅａｌｉｔｙ）又は仮想現実（ＶＲ：ＶｉｒｔｕａｌＲｅａｌｉｔｙ）用の表示装置として、ウェアラブル型の表示装置や、据え置き型の表示装置が普及しつつある。ウェアラブル型の表示装置としては、例えば、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ：ＨｅａｄＭｏｕｎｔｅｄＤｉｓｐｌａｙ）や眼鏡型の表示装置等がある。据え置き型の表示装置としては、例えば、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ：Ｈｅａｄ－ＵｐＤｉｓｐｌａｙ）等がある。例えば、特許文献１では、使用者の眼を撮像しやすいヘッドマウントディスプレイについて開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－８０３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＨＭＤ等、表示部と使用者の距離が近い表示装置においては、使用者が画素を視認しやすく粒状感を強く感じてしまうことから、ＡＲやＶＲの没入感、及び臨場感が薄れる場合がある。このため、ＨＭＤにおいては、使用者に画素を視認されないように画素密度の高い表示装置が望まれる。例えば、１０００ｐｐｉ以上、好ましくは５０００ｐｐｉ以上、より好ましくは７０００ｐｐｉ以上の画素密度であることが好ましい。
【０００７】
しかしながら、画素密度が高くなると、画素の欠陥、例えば点欠陥が生じたとしても、当該欠陥を修復するために、欠陥が生じた画素へのレーザー照射等を行うことは難しい。
【０００８】
本発明の一態様は、画素の欠陥が視認されにくい表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、高品位の画像を表示することができる表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、画素密度が高い表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、高速に動作する表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、低消費電力な表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、新規な表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、上記動作方法で動作する表示装置を提供することを課題の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、表示部と、センサ部と、を有し、表示部には、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは２以上の整数）の画素がマトリクス状に配列され、センサ部には、光電変換素子が設けられた表示装置の動作方法であって、表示部を、第１の領域と、第２の領域と、に分割し、第１の領域に含まれる画素から第１の光を射出して、第１の光の輝度を光電変換素子により検出し、第２の領域に含まれる画素から第２の光を射出して、第２の光の輝度を光電変換素子により検出し、第１の光の輝度と、第２の光の輝度と、を比較し、比較の結果を基に、第１の領域、又は第２の領域の一方を、第３の領域と、第４の領域と、に分割し、第３の領域に含まれる画素から第３の光を射出して、第３の光の輝度を光電変換素子により検出し、第４の領域に含まれる画素から第４の光を射出して、第４の光の輝度を光電変換素子により検出し、第３の光の輝度と、第４の光の輝度と、を比較し、欠陥がある画素である欠陥画素を検出する、表示装置の動作方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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