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公開番号2025015221
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023118487
出願日2023-07-20
発明の名称ステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法
出願人株式会社ニューフレアテクノロジー
代理人個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】測長誤差の要因となる非線形誤差成分を正確に測定する。
【解決手段】本実施形態によるステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法は、荷電粒子ビーム描画装置の描画対象基板を載置するステージを所定量移動させ、移動前後のステージ位置を、レーザ干渉計を用いて測定する工程と、前記ステージの移動前後に、それぞれ前記ステージの停止状態で、前記ステージ上のマークを荷電粒子ビームで走査し、前記マークの位置を検出する工程と、前記ステージの位置と前記マークの位置とを比較して位置ずれ量を算出する工程と、を備える。前記ステージの前記所定量移動、前記マークの位置の検出及び前記位置ずれ量の算出を繰り返し行い、複数の前記位置ずれ量を算出し、前記複数の位置ずれ量に対し関数フィッティングを行い、得られた近似関数に基づきステージ位置計測システムにおける非線形誤差を求める。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
荷電粒子ビーム描画装置の描画対象基板を載置するステージを所定量移動させ、移動前後のステージ位置を、レーザ干渉計を用いて測定する工程と、
前記ステージの移動前後に、それぞれ前記ステージの停止状態で、前記ステージ上のマークを荷電粒子ビームで走査し、前記マークの位置を検出する工程と、
前記ステージの位置と前記マークの位置とを比較して位置ずれ量を算出する工程と、
を備え、
前記ステージの前記所定量移動、前記マークの位置の検出及び前記位置ずれ量の算出を繰り返し行い、複数の前記位置ずれ量を算出し、
前記複数の位置ずれ量に対し関数フィッティングを行い、得られた近似関数に基づきステージ位置計測システムにおける非線形誤差を求める、ステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法。
続きを表示（約 310 文字）【請求項２】
前記関数フィッティングに正弦関数又は前記正弦関数を含む合成関数が用いられる、請求項１に記載のステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法。
【請求項３】
前記レーザ干渉計が、該レーザ干渉計と前記ステージとの間をｎ往復（ｎは１以上の整数）するレーザ光を用いて前記ステージの位置を計測するとき、
前記正弦関数の波長を、前記レーザ光の波長の１／２ｎとしてフィッティングする、請求項２に記載のステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法。
【請求項４】
前記所定量は、前記近似関数の波長より短い、請求項１に記載のステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
電子ビーム描画装置は、真空容器内で試料を載置するステージを移動させつつ、ステージ上の試料の所定位置に電子ビームを偏向して照射し、試料にパターンを描画する。
【０００４】
上述したステージは、例えばレーザ干渉計によってその位置が測定されるが、測定方法に起因した非線形誤差が発生する問題があった。例えば、レーザの偏光分離が不完全である場合、レーザ波長の１／４（又は１／２）周期で非線形誤差が生じていた。そして、このような測長誤差が、偏向器起因ではない誤差成分となるため、偏向感度調整精度が劣化して、描画精度に影響を与えていた。
【０００５】
従来、ステージを一定速度で動作させながら、一定の時間間隔でステージ位置を計測することで、非線形誤差成分を求めていた。しかし、この手法では、等速移動させるステージの速度ムラにより、非線形誤差成分を正確に測定することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開平１１－２３８６７０号公報
特開平１０－１６０４０８号公報
特表２００５－５３２５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、測長誤差の要因となる非線形誤差成分を正確に測定できるステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるステージ位置計測システムの非線形誤差測定方法は、荷電粒子ビーム描画装置の描画対象基板を載置するステージを所定量移動させ、移動前後のステージ位置を、レーザ干渉計を用いて測定する工程と、前記ステージの移動前後に、それぞれ前記ステージの停止状態で、前記ステージ上のマークを荷電粒子ビームで走査し、前記マークの位置を検出する工程と、前記ステージの位置と前記マークの位置とを比較して位置ずれ量を算出する工程と、を備え、前記ステージの前記所定量移動、前記マークの位置の検出及び前記位置ずれ量の算出を繰り返し行い、複数の前記位置ずれ量を算出し、前記複数の位置ずれ量に対し関数フィッティングを行い、得られた近似関数に基づきステージ位置計測システムにおける非線形誤差を求めるものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、測長誤差の要因となる非線形誤差成分を正確に測定できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の実施形態に係る電子ビーム描画装置の概略図である。
ステージ位置計測システムの概略図である。
非線形誤差の測定方法を説明するフローチャートである。
図４Ａ、図４Ｂは位置ずれ量データのフィッティング例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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