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公開番号2025011965
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023114446
出願日2023-07-12
発明の名称液状コンプレッションモールド材及びそれを用いた電子部品
出願人ナミックス株式会社
代理人弁理士法人津国
主分類C08L 63/00 20060101AFI20250117BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】硬化物中の不純物イオンを抑制した液状コンプレッションモールド材を提供することを目的とする。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)フィラーと、(D)イオントラップ剤と、を含む液状コンプレッションモールド材である。本発明の液状コンプレッションモールド材は、塩化物イオンの含有量が極めて小さく、半導体素子の劣化に対する影響を抑えて信頼性の高い半導体素子を提供することができる。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂と、
（Ｂ）硬化剤と、
（Ｃ）フィラーと、
（Ｄ）イオントラップ剤と、を含む
液状コンプレッションモールド材。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記（Ｄ）イオントラップ剤が、ビスマス系化合物、ジルコニウム系化合物、アンチモン系化合物から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
【請求項３】
前記（Ｄ）イオントラップ剤の含有量が、エポキシ樹脂１００質量部に対して０．２～７質量部である、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
【請求項４】
前記（Ｄ）イオントラップ剤の含有量が、エポキシ樹脂１００質量部に対して１．２～２．４質量部である、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
【請求項５】
前記（Ｄ）イオントラップ剤の平均粒径が１０ｎｍ～５μｍである、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
【請求項６】
前記（Ａ）エポキシ樹脂に含まれる塩化物イオン（Ｃｌ
－
）の量が２０００ｐｐｍ以下である、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
【請求項７】
ブルックフィールド社製ＨＢ－ＤＶ型粘度計を用いて、液温２５℃、２０ｒｐｍの条件で測定したときの粘度が５０～５００Ｐａ・ｓである、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
【請求項８】
前記液状コンプレッションモールド材の５ｍｍ角に粉砕した硬化物を、０．１ｇ／ｃｍ
３
の濃度、１２１℃、湿度１００％、２ａｔｍ雰囲気下で２０時間水に浸漬させて得られる抽出液において、塩化物イオンの濃度が２．５ｐｐｍ未満である、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
【請求項９】
以下の条件（ｉ）～（vi）の少なくとも２つを満たす、請求項１に記載の液状コンプレッションモールド材。
（ｉ）前記（Ｄ）イオントラップ剤が、ビスマス系化合物、ジルコニウム系化合物、アンチモン系化合物から選択される少なくとも１種を含む。
（ii）前記（Ｄ）イオントラップ剤の含有量が、エポキシ樹脂１００質量部に対して０．２～７質量部である。
（iii）前記（Ｄ）イオントラップ剤の平均粒径が１０ｎｍ～５μｍである。
（iv）前記（Ａ）エポキシ樹脂に含まれる塩化物イオン（Ｃｌ
－
）の量が２０００ｐｐｍ以下である。
（ｖ）ブルックフィールド社製ＨＢ－ＤＶ型粘度計を用いて、液温２５℃、２０ｒｐｍの条件で測定したときの粘度が５０～５００Ｐａ・ｓである。
（vi）前記液状コンプレッションモールド材の５ｍｍ角に粉砕した硬化物を、０．１ｇ／ｃｍ
３
の濃度、１２１℃、湿度１００％、２ａｔｍ雰囲気下で２０時間水に浸漬させて得られる抽出液において、塩化物イオンの濃度が２．５ｐｐｍ未満である。
【請求項１０】
請求項１～９のいずれか１項に記載の液状コンプレッションモールド材を用いて、半導体素子を封止してなる半導体パッケージ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造において好適に使用し得る液状コンプレッションモールド材、及び同液状コンプレッションモールド材を用いた電子部品、特に半導体パッケージに関するものである。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージを構成する集積回路等の半導体素子の多くは、封止材で封止されている。半導体素子の封止を行うための成形方法としては大別すると、（ｉ）ランナーやゲート等の樹脂組成物をキャビティ内に供給する流路を介してキャビティ内に溶融した硬化性樹脂組成物を加圧注入して充填した後に硬化させるトランスファ成形と、（ｉｉ）ランナーやゲート等の流路を介さずに、基板あるいはリリースフィルム上に直接、顆粒状又は液状の硬化性樹脂組成物を供給して硬化させる圧縮成形（コンプレッション成形）とが知られている。そして、これらの成形方法のうち、近年、相対的に大型の成形品の製造により適している圧縮成形が、半導体素子の封止に採用される機会が増加している。これは、ウェハーレベルチップサイズパッケージ技術（回路形成完了後のチップに切り分けられていないウェハーを、そのまま封止することを伴う）の普及が進んでいることなどに起因する。
【０００３】
圧縮成形による半導体素子の封止に用いられる従来の硬化性樹脂組成物は、主に顆粒状等の固形の樹脂組成物であった。しかし最近では、新たな圧縮形成技術の開発に伴い、液状の硬化性樹脂組成物が用いられることも多くなっている。以下、圧縮成形による封止に用いられるこのような液状の硬化性樹脂組成物を「液状コンプレッションモールド材」と称する（以下、「ＬＣＭ（Liquid Compression Molding）材」と略称する場合がある）。
【０００４】
液状コンプレッションモールド（ＬＣＭ）材としては、電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、接着性等の諸特性のバランスの観点から、液状のエポキシ樹脂組成物がしばしば用いられる。ＬＣＭ材として用いられるエポキシ樹脂組成物の例として、特許文献１に記載の液状樹脂組成物を挙げることができる。
【０００５】
半導体素子は、高性能化、小型化に伴って配線間の間隔に代表されるバンプピッチがマイクロメートル単位にまで狭くなる傾向にある。配線などのピッチが狭いと、短絡の発生などが生じやすくなり、素子の信頼性に悪影響を与えることになる。半導体素子の封止剤は素子のピッチ間にも充填され、ピッチ間隔が狭いことにより封止材に含まれる不純物が影響を及ぼす可能性が高くなるため、低不純物の封止材が求められている。特に、イオン性の不純物は電気回路に大きな影響を与えるので、不純物イオンを低減した原料を用いたり（特許文献２）、イオンを捕捉する材料を添加したりするなどの手法が用いられる（特許文献３～５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
国際公開第２０１８／２２１６８１号
特開２０２１－１７２７９３号公報
特開２００１－２７９０５７号公報
国際公開第２０１９／１３１６６９号
特開２０１７－１７９１８５号公報
特開２０１５－１０５３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体装置の高性能化に伴い、スマートフォンやパソコンといった電子機器の軽薄短小化が進んでいる。これに伴い、半導体接合部であるバンプピッチがマイクロメートル単位ほどに狭くなってきており、従来よりも更に信頼性の高いＬＣＭ材の提供が必要となってきている。信頼性にはＬＣＭ材に含まれる不純物イオンが影響を及ぼす可能性があり、低不純物イオンのＬＣＭ材が求められている。
【０００８】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、硬化物中の不純物イオンを抑制したＬＣＭ材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、以下に限定されるものではないが、次の発明を包含する。
【００１０】
１．（Ａ）エポキシ樹脂と、
（Ｂ）硬化剤と、
（Ｃ）フィラーと、
（Ｄ）イオントラップ剤と、を含む
液状コンプレッションモールド材。
（【００１１】以降は省略されています）

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