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公開番号2025004968
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-16
出願番号2023104896
出願日2023-06-27
発明の名称基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250108BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】環状部材を静電吸着する吸着力の面内均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【解決手段】環状部材を支持する支持面を有する静電チャックを含む基板支持部を備える基板処理装置であって、前記支持面は、前記環状部材と前記支持面との間の空隙に伝熱ガスを拡散させる拡散溝を有し、前記拡散溝は、前記静電チャックと同心に設けられる円環状溝部と、前記円環状溝部と連通し、前記円環状溝部から前記静電チャックの径方向に設けられる放射状溝部と、を有する、基板処理装置。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
環状部材を支持する支持面を有する静電チャックを含む基板支持部を備える基板処理装置であって、
前記支持面は、前記環状部材と前記支持面との間の空隙に伝熱ガスを拡散させる拡散溝を有し、
前記拡散溝は、
前記静電チャックと同心に設けられる円環状溝部と、
前記円環状溝部と連通し、前記円環状溝部から前記静電チャックの径方向に設けられる放射状溝部と、を有する、
基板処理装置。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
前記拡散溝は、複数の前記円環状溝部を有し、
前記放射状溝部は、複数の前記円環状溝部と連通する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記放射状溝部の一端は、前記円環状溝部よりも径方向内側に設けられ、
前記放射状溝部の他端は、前記円環状溝部よりも径方向外側に設けられる、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記放射状溝部の一端は、複数の前記円環状溝部うち最内周側の円環状溝部よりも径方向内側に設けられ、
前記放射状溝部の他端は、複数の前記円環状溝部うち最外内周側の円環状溝部よりも径方向外側に設けられる、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記静電チャックは、前記環状部材を静電吸着する複数の電極を有し、
前記支持面を平面視して、前記円環状溝部は、前記電極と重ならない位置に設けられ、
前記支持面を平面視して、前記放射状溝部の少なくとも一部は、前記電極と重なる位置に設けられる、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記電極に交流電圧を印加する電源を備える、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記電極に直流電圧を印加する電源を備える、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
複数の前記電極は、同心の円環形状を有する、
請求項５に記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板を載置する載置台アセンブリであって、基台と、前記基台上に配置される静電チャックと、前記基板の周囲に配置されるエッジリングと、を備え、前記エッジリングは、周方向に分割された複数のエッジリング片から構成され、前記静電チャックは、前記基板を吸着する基板吸着部と、前記複数のエッジリング片を吸着するエッジリング吸着部とを有し、前記エッジリング吸着部は、前記複数のエッジリング片が吸着される各領域に、伝熱ガスが供給される伝熱ガス溝をそれぞれ有する、載置台アセンブリが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１７６１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、環状部材を静電吸着する吸着力の面内均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、環状部材を支持する支持面を有する静電チャックを含む基板支持部を備える基板処理装置であって、前記支持面は、前記環状部材と前記支持面との間の空隙に伝熱ガスを拡散させる拡散溝を有し、前記拡散溝は、前記静電チャックと同心に設けられる円環状溝部と、前記円環状溝部と連通し、前記円環状溝部から前記静電チャックの径方向に設けられる放射状溝部と、を有する、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、環状部材を静電吸着する吸着力の面内均一性を向上する基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例。
環状静電電極の配置を示す静電チャックの平面図の一例。
静電チャックの環状領域における部分拡大図の一例。
Ａ－Ａで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。
Ｂ－Ｂで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。
参考例に係る静電チャックの環状領域における部分拡大図の一例。
Ｃ－Ｃで切断した参考例に係る静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。
吸着力を示す模式図の一例。
吸着力の一例を示すグラフ。
静電チャックの環状領域における部分拡大図の一例。
Ｄ－Ｄで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。
Ｅ－Ｅで切断した静電チャック及びエッジリングの断面図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［プラズマ処理システム］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置（基板処理装置）１の構成例を説明するための図の一例である。
【００１０】
プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
（【００１１】以降は省略されています）

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