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公開番号2024179575
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2023098535
出願日2023-06-15
発明の名称半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人弁理士法人坂本国際特許商標事務所
主分類G03F 7/42 20060101AFI20241219BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】エッチング後に発生する残渣物の除去性に優れるとともに、金属層が形成された基板に対する腐食防止効果に優れる半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】含フッ素化合物と、水と、環状エーテル化合物と、前記環状エーテル化合物以外の水溶性有機溶媒と、を含有する半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
含フッ素化合物と、
水と、
環状エーテル化合物と、
前記環状エーテル化合物以外の水溶性有機溶媒と、
を含有する半導体デバイス用処理液。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記環状エーテル化合物における環を形成する炭素数は２～４であり、環を形成する酸素原子数は１～２である、
請求項１に記載の半導体デバイス用処理液。
【請求項３】
前記環状エーテル化合物に対する前記水溶性有機溶媒の質量比は、
１００，０００～１５，０００，０００である、
請求項１又は２に記載の半導体デバイス用処理液。
【請求項４】
前記環状エーテル化合物の含有量が、０．０００００１質量％～１０質量％である、
請求項１又は２に記載の半導体デバイス用処理液。
【請求項５】
前記半導体デバイスが、Ａｌを含有する金属層を備えた基板を含み、
前記処理液が、前記金属層に対する処理に使用される、
請求項１又は２に記載の半導体デバイス用処理液。
【請求項６】
前記半導体デバイスが、Ｃｕを含有する金属層を備えた基板を含み、
前記処理液が、前記金属層に対する処理に使用される、
請求項１又は２に記載の半導体デバイス用処理液。
【請求項７】
前記半導体デバイスの製造に使用される、金属層を備えた基板について、
前記基板に対し、エッチング処理が施された後に発生する残渣物の除去に使用される、請求項１又は２に記載の半導体デバイス用処理液。
【請求項８】
Ａｌ及び／又はＣｕを含有する金属層を備えた基板に対し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記基板をドライエッチングする工程と、
含フッ素化合物と、水溶性有機溶媒と、水と、環状エーテル化合物と、を含有する半導体デバイス用処理液を用いて、残渣物を前記基板から除去する工程と、
を含有する、基板の処理方法。
【請求項９】
Ａｌ及び／又はＣｕを含有する金属層を備えた基板に対し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記基板をドライエッチングする工程と、
含フッ素化合物と、水溶性有機溶媒と、水と、環状エーテル化合物と、を含有する半導体デバイス用処理液を用いて、残渣物を前記基板から除去する工程と、
を含有する半導体デバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子は、例えば、基板上にＣＶＤ蒸着された金属膜やＳｉＯ
２
膜等の絶縁膜上にレジストを均一に塗布し、これを選択的に露光、現像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターンをマスクとして上記ＣＶＤ蒸着された金属膜やＳｉＯ
２
膜等の絶縁膜が形成された基板を選択的にエッチングし、微細回路を形成した後、不要のレジスト層を除去して、製造される。
【０００３】
上記ＣＶＤ蒸着された金属膜としては、種々のものが用いられている。これらの金属膜は、基板上に、単層又は複数層で積層される。
【０００４】
一方、近年の集積回路の高密度化に伴い、より高密度の微細エッチングが可能なドライエッチングが主流となっている。これらエッチング処理により、パターンの側部や底部等に、変質膜等の残留物が残存したり、あるいは他成分由来の残渣物が残存したりしてしまう。その他にも、エッチング時の金属膜を削るときに金属デポジションが発生してしまう。このような残渣物やデポジションの除去が不十分である場合、半導体製造の歩留まり低下をきたすなどの不具合が生じる。そのため、このような残渣物やデポジションを除去するための処理液（洗浄液、剥離液等と呼ばれることもある。）が使用されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特許３２５５５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した残渣物やデポジション等は、エッチングガスの種類、基板上に形成される金属の種類、絶縁膜の種類、使用するレジストの種類等によって、それぞれ異なった組成のものが生成される。近年の半導体の様々な改良に伴う、各種処理における処理条件の過酷さや使用される金属、絶縁膜、レジストの多種多様化により、発生する残渣物の成分も多様化しており、残渣物の除去が難しいという事情がある。このような事情等も相まって、従来の処理液は更に改善の余地がある。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、エッチング後に発生する残渣物の除去性に優れるとともに、金属層が形成された基板に対する腐食防止効果に優れる半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、含フッ素化合物と、水と、環状エーテル化合物と、前記環状エーテル化合物以外の水溶性有機溶媒と、を含有する半導体デバイス用処理液とすることによって、上記課題が解決できることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は以下のとおりである。
＜１＞
含フッ素化合物と、水と、環状エーテル化合物と、前記環状エーテル化合物以外の水溶性有機溶媒と、を含有する半導体デバイス用処理液である。
＜２＞
前記環状エーテル化合物における環を形成する炭素数は２～４であり、環を形成する酸素原子数は１～２である、＜１＞に記載の半導体デバイス用処理液である。
＜３＞
前記環状エーテル化合物に対する前記水溶性有機溶媒の質量比は、１００，０００～１５，０００，０００である、＜１＞又は＜２＞に記載の半導体デバイス用処理液である。
＜４＞
前記環状エーテル化合物の含有量が、０．０００００１質量％～１０質量％である、
＜１＞又は＜２＞に記載の半導体デバイス用処理液である。
＜５＞
前記半導体デバイスが、Ａｌを含有する金属層を備えた基板を含み、前記処理液が、前記金属層に対する処理に使用される、＜１＞又は＜２＞に記載の半導体デバイス用処理液である。
＜６＞
前記半導体デバイスが、Ｃｕを含有する金属層を備えた基板を含み、前記処理液が、前記金属層に対する処理に使用される、＜１＞又は＜２＞に記載の半導体デバイス用処理液である。
＜７＞
前記半導体デバイスの製造に使用される、金属層を備えた基板について、前記基板に対し、エッチング処理が施された後に発生する残渣物の除去に使用される、＜１＞又は＜２＞に記載の半導体デバイス用処理液である。
＜８＞
Ａｌ及び／又はＣｕを含有する金属層を備えた基板に対し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記基板をドライエッチングする工程と、含フッ素化合物と、水溶性有機溶媒と、水と、環状エーテル化合物と、を含有する半導体デバイス用処理液を用いて、残渣物を前記基板から除去する工程と、を含有する、基板の処理方法である。
＜９＞
Ａｌ及び／又はＣｕを含有する金属層を備えた基板に対し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記基板をドライエッチングする工程と、含フッ素化合物と、水溶性有機溶媒と、水と、環状エーテル化合物と、を含有する半導体デバイス用処理液を用いて、残渣物を前記基板から除去する工程と、を含有する半導体デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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