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公開番号2024176899
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-19
出願番号2023095760
出願日2023-06-09
発明の名称変圧器および電気設備
出願人日新電機株式会社
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類H01F 27/28 20060101AFI20241212BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高周波サージに対する絶縁性能を向上させた新たな構造を提供する。
【解決手段】二次コイル(13)の外側に一次コイル(18)が、二次コイル(13)と同軸に設けられたガスVT(1)は、一次コイル(18)と二次コイル(13)との間に設けられた一次側シールド層(17)および二次側シールド層(15)を備え、二次側シールド層(15)は、一次コイル(18)、二次コイル(13)、および一次側シールド層(17)の何れよりも幅が広く、一次側シールド層(17)の端部(31)と二次側シールド層(15)との距離は、一次側シールド層(17)の中央部(32)と二次側シールド層(15)との距離よりも長い。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
二次コイルの外側に一次コイルが、前記二次コイルと同軸に設けられた変圧器であって、
前記一次コイルと前記二次コイルとの間に設けられた一次側シールド層および二次側シールド層を備え、
前記二次側シールド層の幅は、前記一次コイルの幅、前記二次コイルの幅、および前記一次側シールド層の幅の何れよりも広く、
前記一次側シールド層の端部と前記二次側シールド層との距離は、前記一次側シールド層の中央部と前記二次側シールド層との距離よりも長い、変圧器。
続きを表示（約 470 文字）【請求項２】
前記一次側シールド層の端部は、前記一次側シールド層の中央部の側から先端に向かうにつれて、前記端部と前記二次側シールド層との距離が長くなっている、請求項１に記載の変圧器。
【請求項３】
前記一次側シールド層は、前記中央部と、前記中央部とは別体である前記端部と、前記中央部と前記端部とを電気的に接続するための接続部とを備える、請求項１に記載の変圧器。
【請求項４】
前記一次側シールド層および前記二次側シールド層との間に設けられた絶縁層をさらに備え、
該絶縁層は、前記一次側シールド層の形状に適合した形状である、請求項１に記載の変圧器。
【請求項５】
前記一次側シールド層および前記二次側シールド層は、金属箔である、請求項１に記載の変圧器。
【請求項６】
前記一次コイルおよび前記二次コイルの軸上に設けられた鉄心をさらに備える、請求項１に記載の変圧器。
【請求項７】
請求項１から６の何れか１項に記載の変圧器を備える電気設備。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は変圧器および電気設備に関する。具体的には、本発明は、二次コイルの外側に一次コイルが、上記二次コイルと同軸に設けられた変圧器と、該変圧器を備える電気設備とに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
電力設備に設けられるガス絶縁開閉器の構成機器の一つとして、ガス絶縁計器用変圧器が用いられている。以下では、該ガス絶縁計器用変圧器を「ガスＶＴ（Voltage Transformer）」と称する。該ガスＶＴは、ＳＦ
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ガス等の絶縁ガスで満たされた空間に配置され、一次側の高電圧を測定可能な電圧に高精度で変成する。上記ガスＶＴは、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
上記ガスＶＴは、鉄心、一次コイル（高圧コイル）、および二次コイル（低圧コイル）を備える。上記鉄心には、上記二次コイルが巻回されている。該二次コイルには、上記一次コイルが上記二次コイルと同軸に巻回されている。上記構成のガスＶＴにおいて、上記一次コイルの高圧側から高周波サージが流入した場合、上記二次コイルに高電圧が移行して、上記二次コイル、および／または、該二次コイルに電気的に接続された回路において絶縁破壊が発生する可能性がある。
【０００４】
そこで、上記一次コイルと上記二次コイルとの間に２つのシールド層を備えたガスＶＴが知られている。以下では、上記一次コイルに近い側のシールド層を一次側シールド層と称し、上記二次コイルに近い側のシールド層を二次側シールド層と称する。この場合、上記一次コイルの高圧側から流入した高周波サージは、上記２つのシールド層によって緩和される。その結果、上記二次コイルに高電圧が移行することを抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００２－３１３６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記一次側シールド層の端部付近では、等電位線が小さな曲率半径をもって湾曲する。そのため、上記端部付近において等電位線の電位傾度が大きくなり、絶縁破壊が生じる可能性がある。
【０００７】
これに対し、特許文献１に記載のガスＶＴでは、上記一次側シールド層の幅を上記二次側シールド層の幅よりも広くしている。これにより、上記一次側シールド層の両端部付近の電界を緩和することができ、その結果、上記絶縁破壊を抑制することができる。
【０００８】
本発明の一態様は、高周波サージに対する絶縁性能を向上させた新たな構造の変圧器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る変圧器は、二次コイルの外側に一次コイルが、前記二次コイルと同軸に設けられた変圧器であって、前記一次コイルと前記二次コイルとの間に設けられた一次側シールド層および二次側シールド層を備え、前記二次側シールド層の幅は、前記一次コイルの幅、前記二次コイルの幅、および前記一次側シールド層の幅の何れよりも広く、前記一次側シールド層の端部と前記二次側シールド層との距離は、前記一次側シールド層の中央部と前記二次側シールド層との距離よりも長い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様によれば、高周波サージに対する絶縁性能を向上させた新たな構造の変圧器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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