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公開番号2024172476
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-12
出願番号2023090220
出願日2023-05-31
発明の名称焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H05K 3/26 20060101AFI20241205BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】配線等の金属層を平坦化し、熱伝導性に優れた焼結体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】焼結体基板1の製造方法は、第1面11の第1平面部13よりも凹んだ第1配置部14を有するセラミックス基板10を準備し、第1配置部14に第1金属粉体を含む第1導電ペーストを配置し、第1導電ペーストを焼成し第1導電体17とし、第1導電体17と第1面11とが同一面を形成するように第1導電体17及びセラミックス基板10を研磨し、第1配置部14に配置された第1導電体17の表面に複数の第1凹部16aを形成し、第1凹部16aに第2金属粉体及び第2有機樹脂バインダを含む第2導電ペーストを配置し、第2導電ペーストを硬化し第2導電体21とし、第2導電体21と第1導電体17とが同一面を形成するように第2導電体21を研磨し、第1導電体17及び研磨された第2導電体21の表面に第1金属層22を形成する。
【選択図】図1B
特許請求の範囲【請求項１】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１配置部を有するセラミックス基板を準備することと、
前記第１配置部に、第１金属粉体を含む第１導電ペーストを配置することと、
前記第１導電ペーストを焼成し、第１導電体とすることと、
前記第１導電体と前記第１面とが同一面を形成するように前記第１導電体及び前記セラミックス基板の少なくとも一方を研磨若しくは研削し、前記第１配置部に配置された前記第１導電体の表面に複数の第１凹部を形成することと、
前記第１凹部に、第２金属粉体及び第２有機樹脂バインダを含む第２導電ペーストを配置することと、
前記第２導電ペーストを硬化し、第２導電体とすることと、
前記第２導電体と前記第１導電体とが同一面を形成するように前記第２導電体を研磨若しくは研削することと、
前記第１導電体及び研磨若しくは研削された前記第２導電体の表面に第１金属層を形成すること、
を含む、焼結体基板の製造方法。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
前記第２導電体を研磨若しくは研削することおいて、前記第２有機樹脂バインダが硬化した第２有機樹脂硬化物から前記第２金属粉体を露出させる請求項１に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項３】
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板は、前記第１面と前記第２面とを繋ぐ貫通孔を有する請求項１又は請求項２に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１導電ペーストを配置することにおいて、前記第１導電ペーストは、さらに第１活性金属粉体を少なくとも含む請求項１又は請求項２に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１導電ペーストを配置することにおいて、前記第１金属粉体は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、及びＡｇ－Ｃｕ合金粉末の少なくともいずれか１種を含む請求項１又は請求項２に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１導電ペーストを配置することにおいて、前記第１活性金属粉体は、ＴｉＨ
２
、ＣｅＨ
２
、ＺｒＨ
２
、及びＭｇＨ
２
の少なくともいずれか１種を含む請求項４に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２導電ペーストを配置することにおいて、前記第２導電ペーストは、さらに第２有機溶剤を含む請求項１又は請求項２に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２導電ペーストを配置することにおいて、前記第２金属粉体は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＮｉの少なくともいずれか１種を含む請求項１又は請求項２に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２導電ペーストを配置することにおいて、前記第２導電ペーストに対する前記第２金属粉体の含有量は、５０重量％以上９５重量％以下である請求項１又は請求項２に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２導電ペーストを配置することにおいて、前記第２導電ペーストに対する前記第２金属粉体の含有量は、８０体積％以上９９体積％以下である請求項１又は請求項２に記載の焼結体基板の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、回路基板上に配線層を形成し、配線層間の絶縁材料として樹脂を埋め込んだ回路装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、金属板、熱伝導絶縁層又は低弾性絶縁層とリードフレームからなる熱伝導基板があり、リードフレーム間は平滑化樹脂により保護された高放熱用リードフレーム基板が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－３４７３５７号公報
特開２０１４－９９５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示に係る実施形態は、配線等の金属層を平坦化し、熱伝導性に優れた焼結体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の第一態様は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１配置部を有するセラミックス基板を準備することと、前記第１配置部に、第１金属粉体を含む第１導電ペーストを配置することと、前記第１導電ペーストを焼成し、第１導電体とすることと、前記第１導電体と前記第１面とが同一面を形成するように前記第１導電体及び前記セラミックス基板の少なくとも一方を研磨若しくは研削し、前記第１配置部に配置された前記第１導電体の表面に複数の第１凹部を形成することと、前記第１凹部に、第２金属粉体及び第２有機樹脂バインダを含む第２導電ペーストを配置することと、前記第２導電ペーストを硬化し、第２導電体とすることと、前記第２導電体と前記第１導電体とが同一面を形成するように前記第２導電体を研磨若しくは研削することと、前記第１導電体及び研磨若しくは研削された前記第２導電体の表面に第１金属層を形成すること、を含む、焼結体基板の製造方法である。
【０００６】
本開示の第二態様は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１配置部を有するセラミックス基板と、前記第１配置部に配置され、表面に複数の第１凹部を有する第１導電体と、前記第１凹部に配置される第２導電体と、前記第１導電体及び第２導電体の表面に配置される第１金属層と、を有し、前記第１導電体の表面と前記第２導電体の表面と前記第１面とは同一面である焼結体基板である。
【０００７】
本開示の第三態様は、前記焼結体基板の製造方法により得られた焼結体基板を準備することと、前記焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することと、を含み、前記発光素子を配置することにおいて、前記素子電極と前記第１金属層とを電気的に接続する、発光装置の製造方法である。
【０００８】
本開示の第四態様は、前記焼結体基板と、前記焼結体基板に配置される、素子電極を持つ発光素子と、を含み、前記素子電極と前記第１金属層とは電気的に接続されている発光装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様によれば、配線等の金属層を平坦化し、熱伝導性に優れた焼結体基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
第１実施形態に係る焼結体基板を示す概略平面図である。
図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、準備したセラミックス基板を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第１導電ペースト配置した状態を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第１導電体を形成した状態を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第１導電体及びセラミックス基板の少なくとも一方を研磨若しくは研削した状態を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第２導電ペーストを配置した状態を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第２導電体を形成した状態を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第２導電体を研磨若しくは研削した状態を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第１金属層を形成した状態を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、準備したセラミックス基板を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第３導電ペースト配置した状態を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第３導電体を形成した状態を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第３導電体及びセラミックス基板の少なくとも一方を研磨若しくは研削した状態を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第４導電ペーストを配置した状態を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第４導電体を形成した状態を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第４導電体を研磨若しくは研削した状態を示す概略断面図である。
第２実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第２金属層を形成した状態を示す概略断面図である。
第３実施形態に係る焼結体基板を示す概略平面図である。
図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における断面を示す概略断面図である。
第３実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、準備したセラミックス基板を示す概略断面図である。
第３実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第５導電体を形成した状態を示す概略断面図である。
第３実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第５導電体及びセラミックス基板の少なくとも一方を研磨若しくは研削した状態を示す概略断面図である。
第３実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第２導電体及び第４導電体を形成し、第２導電体及び第４導電体を研磨若しくは研削した状態を示す概略断面図である。
第３実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、第１金属層及び第２金属層を形成した状態を示す概略断面図である。
実施形態に係る発光装置を示す概略平面図である。
図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における断面を示す概略断面図である。
実施形態に係る発光装置の発光素子を示す概略平面図である。
実施形態に係る発光装置の発光素子を示す概略底面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化前の発光装置の集合体を示す概略平面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法において、準備したセラミックス焼結体基板の集合体を示す概略断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法において、導電性部材を配置した状態を示す概略断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を配置した状態を示す概略断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法において、被覆部材を配置した状態を示す概略断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法において、個片化した発光装置を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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