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公開番号2024137259
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-07
出願番号2023048710
出願日2023-03-24
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人個人
主分類H05K 1/11 20060101AFI20240927BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】高い品質を有する配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板は、スルーホール導体を有するコア基板と、コア基板上に形成されていてる第1樹脂絶縁層20Fと、第1樹脂絶縁層20Fの第1面22F上に形成されている第1導体層と、開口内に形成されていて、スルーホール導体と第1導体層を電気的に接続しているビア導体と、第1樹脂絶縁層20Fの第1面22Fと第1導体層上に形成されている第2樹脂絶縁層120Fと、を有する。第1導体層は、第1面22F上に形成されている第1層31Faと第1層31Fa上の第2層31Fbとからなるシード層30Faとシード層30Fa上の電解めっき層30Fbで形成されていて、第1導体層に含まれる導体回路の断面において、第1層31Faの幅D2は第2層31Fbの幅D3より大きく、電解めっき層30Fbの幅D1は第1層31Faの幅D2より大きい。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口とを有する第１樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と前記第１導体層を電気的に接続しているビア導体と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層は前記第１面上に形成されている第１層と前記第１層上の第２層とからなるシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されていて、前記第１導体層に含まれる導体回路の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
請求項１の配線基板であって、前記導体回路の幅は、前記シード層と前記電解めっき層の境界部分で最小値を有する。
【請求項３】
請求項１の配線基板であって、前記第１樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第１無機粒子と前記第１樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。
【請求項４】
請求項１の配線基板であって、前記第２層の幅を前記電解めっき層の幅と前記第１層の幅より小さくすることで、前記導体回路の側壁は凹みを有し、前記第２樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記凹みは前記第２樹脂絶縁層で充填され、前記凹み内に存在する前記無機粒子（第３無機粒子）の径は前記凹み以外の部分に存在する前記無機粒子の径より小さい。
【請求項５】
請求項４の配線基板であって、前記第３無機粒子の径は１．０μｍ以下である。
【請求項６】
請求項１の配線基板であって、前記第１層と前記第２層はスパッタリングで形成される。
【請求項７】
請求項１の配線基板であって、前記第１層は銅合金で形成され、前記第２層は銅で形成されている。
【請求項８】
請求項７の配線基板であって、前記銅合金中の銅の含有量が９０．０ａｔ％以上である。
【請求項９】
請求項７の配線基板であって、前記銅合金は、銅とアルミニウムと特定金属で形成され、前記特定金属はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。
【請求項１０】
請求項１の配線基板であって、前記シード層の厚みは、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書によって開示される技術は配線基板に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１はガラス材質のコアを有する多層基板を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１３３４７３号公報
【発明の概要】
【０００４】
［特許文献１の課題］
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口とを有する第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と前記第１導体層を電気的に接続しているビア導体と、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層、とを有する。前記第１導体層は前記第１面上に形成されている第１層と前記第１層上の第２層とからなるシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されていて、前記第１導体層に含まれる導体回路の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。
【０００６】
本発明の実施形態の配線基板では、コア基板はガラス製の基板を含む。ガラス製の基板は平坦性に優れる。そのため第１樹脂絶縁層の第１面は平坦性に優れる。第１面は平滑性に優れる。第１樹脂絶縁層の第１面上に微細な信号配線を形成することができる。導体回路の断面において、第２層の幅は第１層の幅と電解めっき層の幅より小さい。導体回路の側壁はまっすぐに形成されない。側壁は凹みを有する。ガラス製の基板の熱膨張率と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層、第２樹脂絶縁層）の熱膨張率の差に起因するストレスが導体回路の側壁に沿って第１樹脂絶縁層に伝わりがたい。凹み部分によりストレスが分散されると考えられる。導体回路の側壁と第２樹脂絶縁層の界面の延長線に沿うクラックが第１樹脂絶縁層内に発生しがたい。第１層の幅は第２層の幅より大きい。導体回路の側壁が凹みを有するので、導体回路の側壁と第２樹脂絶縁層間の接触面積が大きい。第２樹脂絶縁層が導体回路の側壁から剥がれがたい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の配線基板を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の一部を模式的に示す拡大断面図。
実施形態の配線基板の一部を模式的に示す拡大断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［実施形態］
図１は実施形態の配線基板２を示す断面図である。図２と図３は実施形態の配線基板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、配線基板２は、コア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂとを有する。
【０００９】
コア基板３は基板４と貫通孔６とスルーホール導体８を有する。基板４は表面５Ｆと表面５Ｆと反対側の裏面５Ｂを有する。基板４はガラス製である。貫通孔６は基板４を貫通する。貫通孔６の形状は略円柱である。貫通孔６の径はほぼ一定である。貫通孔６の形状は略円錐台であってもよい。貫通孔６の形状は２つの略円錐を繋げることで得られる形状でもよい。２つの円錐は表面側の円錐と裏面側の円錐である。表面側の円錐の底面は表面５Ｆに位置し、裏面側の円錐の底面は裏面５Ｂに位置する。この場合、貫通孔６の側面は表面５Ｆから裏面５Ｂに向かってテーパーしている面と裏面５Ｂから表面５Ｆに向かってテーパーしている面で形成される。
【００１０】
スルーホール導体８は貫通孔６内に形成されている。スルーホール導体８は主に銅によって形成されている。スルーホール導体８は、貫通孔６の内壁面上に形成されるシード層１０ａとシード層１０ａ上に形成される電解めっき層１０ｂを含む。電解めっき層１０ｂは貫通孔６を充填する。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。スルーホール導体８は上端８Ｆと下端８Ｂを有する。上端８Ｆの面と表面５Ｆは実質的に同一な平面を形成する。下端８Ｂの面と裏面５Ｂは実質的に同一な平面を形成する。上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。
（【００１１】以降は省略されています）

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