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公開番号2024150112
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-23
出願番号2023063367
出願日2023-04-10
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20241016BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】レーザ光線の照射後に発生する加工屑を、デバイスを損傷せずに除去すること。
【解決手段】ウエーハの加工方法1000は、ウエーハの加工方法であって、該ウエーハの表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップ1100と、該分割予定ラインに沿って、該レジスト膜を除去し該ウエーハを露出させる加工溝を形成する加工溝形成ステップ1200と、該ウエーハの表面に形成された該レジスト膜を残存させつつ、該加工溝に研磨パッドを侵入させて該加工溝の周辺に付着した加工屑を除去する研磨ステップ1300と、該レジスト膜をマスクとして該加工溝に沿って該ウエーハをプラズマエッチングするエッチングステップ1400と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ウエーハの加工方法であって、
該ウエーハの表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、
分割予定ラインに沿って、該レジスト膜を除去し該ウエーハを露出させる加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
該ウエーハの表面に形成された該レジスト膜を残存させつつ、該加工溝に研磨パッドを侵入させて該加工溝の周辺に付着した加工屑を除去する研磨ステップと、
該レジスト膜をマスクとして該加工溝に沿って該ウエーハをプラズマエッチングするエッチングステップと、を備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
該ウエーハは、基板の表面に積層された機能層に、複数の分割予定ラインと該分割予定ラインに区画された複数のデバイス領域が形成され、
該加工溝形成ステップは、該レジスト膜と、該機能層と、を除去し、該基板を露出させることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該エッチングステップは、該ウエーハを分割し複数のチップを生産することを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該エッチングステップの後に、該ウエーハに外力を付与して分割し、複数のチップを生産することを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該加工溝形成ステップは、レーザ光線を照射することを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項６】
該研磨ステップは、砥粒を含有する研磨液を該研磨パッドとウエーハとに供給することを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項７】
該機能層は、酸化膜を含むことを特徴とする請求項２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項８】
該レジスト膜は、フェノールノボラック樹脂を含むことを特徴とする
請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項９】
該研磨パッドは、スウェードまたは不織布の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハ等のウエーハを分割してチップに個片化する方法として、ウエーハに設定された分割予定ラインに沿ってレーザ光線を照射することで加工溝を形成した後、加工溝に沿って破断して分割する方法や、プラズマによってエッチングすることで分割する方法等が提案されている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平１０－３０５４２０号公報
特開２０１８－１９０８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の技術は、ウエーハにレーザで加工溝を形成すると加工溝の周辺にデブリやバリなどの加工屑が発生し、加工屑を除去しないと後工程でチップの品質不良に繋がるという問題がある。従来のデブリ対策として、レーザ光線の照射前に、ウエーハに水溶性樹脂を被覆し、レーザ光線の照射後に水溶性樹脂を洗い流すことで一緒にデブリが除去されるようにしている。しかし、例えば酸化膜に対してレーザ光線を照射し加工溝を形成すると、溶解された酸化膜がバリとなって加工溝周辺に付着し、水溶性樹脂を洗浄しても一緒に除去されない問題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、レーザ光線の照射後に発生する加工屑を、デバイスを損傷せずに除去することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハの加工方法であって、該ウエーハの表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、分割予定ラインに沿って、該レジスト膜を除去し該ウエーハを露出させる加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該ウエーハの表面に形成された該レジスト膜を残存させつつ、該加工溝に研磨パッドを侵入させて該加工溝の周辺に付着した加工屑を除去する研磨ステップと、該レジスト膜をマスクとして該加工溝に沿って該ウエーハをプラズマエッチングするエッチングステップと、を備えることを特徴とする。
【０００７】
前記ウエーハの加工方法において、該ウエーハは、基板の表面に積層された機能層に、複数の分割予定ラインと該分割予定ラインに区画された複数のデバイス領域が形成され、該加工溝形成ステップは、該レジスト膜と、該機能層と、を除去し、該基板を露出させてもよい。
【０００８】
前記ウエーハの加工方法において、該エッチングステップは、該ウエーハを分割し複数のチップを生産してもよい。
【０００９】
前記ウエーハの加工方法において、該エッチングステップの後に、該ウエーハに外力を付与して分割し、複数のチップを生産してもよい。
【００１０】
前記ウエーハの加工方法において、該加工溝形成ステップは、レーザ光線を照射してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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