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公開番号2024147276
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-16
出願番号2023060192
出願日2023-04-03
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20241008BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】プラズマエッチングにおいて加工品質を向上出来るウエーハの加工方法を提供すること。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に保護膜を形成する保護膜形成ステップ101と、分割予定ラインに沿って保護膜にレーザ光線を照射し、保護膜を除去し基板を露出させる第1加工溝を形成する第1加工溝形成ステップ102と、第1加工溝形成ステップ102の後に、保護膜の少なくとも一部を溶剤で液状化させ、第1加工溝の側壁を保護膜で被覆する第1加工溝被覆ステップ103と、第1加工溝被覆ステップ103の後に、第1加工溝の側壁が保護膜で被覆された状態で、保護膜をマスクにしてプラズマエッチングによって基板を加工するプラズマエッチングステップ104と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板の表面に複数の分割予定ラインによって区画されたデバイス領域が形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
該表面に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
該分割予定ラインに沿って該保護膜にレーザ光線を照射し、該保護膜を除去し基板を露出させる第１加工溝を形成する第１加工溝形成ステップと、
該第１加工溝形成ステップの後に、該保護膜の少なくとも一部を溶剤で液状化させ、該第１加工溝の側壁を該保護膜で被覆する第１加工溝被覆ステップと、
該第１加工溝被覆ステップの後に、該第１加工溝の側壁が該保護膜で被覆された状態で、該保護膜をマスクにしてプラズマエッチングによって基板を加工するプラズマエッチングステップと、
を備える事を特徴とするウエーハの加工方法。
続きを表示（約 520 文字）【請求項２】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該第１加工溝の底面も該保護膜で被覆され、
該第１加工溝被覆ステップの後に、該第１加工溝にレーザ光線を照射して該第１加工溝よりも細い第２加工溝を形成し、該第１加工溝の側壁を被覆する該保護膜は残存させつつ、該第１加工溝の底面を被覆する該保護膜は除去して該基板を露出させる第２加工溝形成ステップをさらに備え、
該プラズマエッチングステップでは、第２加工溝に沿って基板を加工する事を特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該溶剤は噴霧状で供給されることを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該ウエーハまたは該保護膜の少なくともいずれかを加温する事を特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該保護膜に振動または圧力の少なくともいずれかの外力を付与して該第１加工溝への該保護膜の移動を促進する事を特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを加工するウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
基板の表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数のデバイス領域が形成されたウエーハをプラズマエッチングによって加工する加工方法が知られている。この加工方法では、表面に保護膜を被覆した後、レーザ光線の照射により保護膜を除去し基板を露出させる加工溝を形成し、保護膜をマスクとしてプラズマエッチングする（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－０５２８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、レーザ光線の照射により形成した加工溝の側面に凹凸があると、プラズマエッチングにより形成されるチップの側面品質が悪くなるという問題があった。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマエッチングにおいて加工品質を向上出来るウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、基板の表面に複数の分割予定ラインによって区画されたデバイス領域が形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って加工するウエーハの加工方法であって、該表面に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該分割予定ラインに沿って該保護膜にレーザ光線を照射し、該保護膜を除去し基板を露出させる第１加工溝を形成する第１加工溝形成ステップと、該第１加工溝形成ステップの後に、該保護膜の少なくとも一部を溶剤で液状化させ、該第１加工溝の側壁を該保護膜で被覆する第１加工溝被覆ステップと、該第１加工溝被覆ステップの後に、該第１加工溝の側壁が該保護膜で被覆された状態で、該保護膜をマスクにしてプラズマエッチングによって基板を加工するプラズマエッチングステップと、を備える事を特徴とする。
【０００７】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該第１加工溝の底面も該保護膜で被覆され、該第１加工溝被覆ステップの後に、該第１加工溝にレーザ光線を照射して該第１加工溝よりも細い第２加工溝を形成し、該第１加工溝の側壁を被覆する該保護膜は残存させつつ、該第１加工溝の底面を被覆する該保護膜は除去して該基板を露出させる第２加工溝形成ステップをさらに備え、該プラズマエッチングステップでは、第２加工溝に沿って基板を加工してもよい。
【０００８】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該溶剤は噴霧状で供給されてもよい。
【０００９】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該ウエーハまたは該保護膜の少なくともいずれかを加温してもよい。
【００１０】
該第１加工溝被覆ステップにおいて、該保護膜に振動または圧力の少なくともいずれかの外力を付与して該第１加工溝への該保護膜の移動を促進してもよい。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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