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公開番号
2024162317
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-11-21
出願番号
2023077698
出願日
2023-05-10
発明の名称
半導体装置
出願人
三菱電機株式会社
代理人
個人
,
個人
主分類
H01L
25/07 20060101AFI20241114BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】本開示は、短絡耐量を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本開示による半導体装置は、絶縁基板と、絶縁基板上に設けられた第1回路パターン、第2回路パターン、第3回路パターン、および第4回路パターンと、第1回路パターン上に設けられた半導体チップおよび第1電極と、第2回路パターン上に設けられた第2電極と、第3回路パターン上に設けられた第3電極と、第4回路パターン上に設けられた第4電極とを備え、半導体チップに設けられたパットと第2回路パターンとは第1配線を介して接続され、半導体チップの表面と第3回路パターンとは第2配線を介して接続され、半導体チップの表面と第4回路パターンとは第3配線を介して接続され、第2配線および第3配線は半導体チップの表面を基準として同一方向かつ平行に設けられ、第1配線は第3配線とは逆方向に設けられている。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた第1回路パターン、第2回路パターン、第3回路パターン、および第4回路パターンと、
前記第1回路パターン上に設けられた半導体チップおよび第1電極と、
前記第2回路パターン上に設けられた第2電極と、
前記第3回路パターン上に設けられた第3電極と、
前記第4回路パターン上に設けられた第4電極と、
を備え、
前記半導体チップに設けられたパットと前記第2回路パターンとは、第1配線を介して接続され、
前記半導体チップの表面と前記第3回路パターンとは、第2配線を介して接続され、
前記半導体チップの表面と前記第4回路パターンとは、第3配線を介して接続され、
前記第2配線および前記第3配線は、前記半導体チップの表面を基準として同一方向かつ平行に設けられ、
前記第1配線は、前記第3配線とは逆方向に設けられている、半導体装置。
続きを表示(約 420 文字)
【請求項2】
前記第4回路パターンは、前記第1回路パターンと前記第3回路パターンとの間に設けられ、
前記第3配線は、前記第2配線よりも短い、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記半導体チップは、スイッチング素子と還流素子とを別個に含み、
前記スイッチング素子の表面と前記還流素子の表面とを接続する第4配線は、前記第2配線および前記第3配線とは逆方向に設けられている、請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第2配線は、前記第3配線の上方を通過するように設けられている、請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1電極は、コレクタ電極であり、
前記第2電極は、ゲート電極であり、
前記第3電極は、第1エミッタ電極であり、
前記第4電極は、第2エミッタ電極である、請求項1または2に記載の半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、半導体装置のスイッチング動作時において、第1エミッタ配線からの相互誘導によって第2エミッタ配線に誘導起電力を発生させる技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開第2017/209191号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1の技術では、第1エミッタ配線からの相互誘導によって第2エミッタ配線だけでなくゲート配線にも誘導起電力が発生する。ゲート配線で発生する誘導起電力は、第2エミッタ配線で発生する誘導起電力を打ち消す方向にはたらく。従って、ゲート電圧の上昇を抑制する効果が減少し、半導体装置の短絡耐量が低下するという問題があった。
【0005】
本開示は、このような問題を解決するためになされたものであり、短絡耐量を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記の課題を解決するために、本開示による半導体装置は、絶縁基板と、絶縁基板上に設けられた第1回路パターン、第2回路パターン、第3回路パターン、および第4回路パターンと、第1回路パターン上に設けられた半導体チップおよび第1電極と、第2回路パターン上に設けられた第2電極と、第3回路パターン上に設けられた第3電極と、第4回路パターン上に設けられた第4電極とを備え、半導体チップに設けられたパットと第2回路パターンとは、第1配線を介して接続され、半導体チップの表面と第3回路パターンとは、第2配線を介して接続され、半導体チップの表面と第4回路パターンとは、第3配線を介して接続され、第2配線および第3配線は、半導体チップの表面を基準として同一方向かつ平行に設けられ、第1配線は、第3配線とは逆方向に設けられている。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、短絡耐量を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施の形態1に係る半導体装置の構成の一例を示す上面図である。
図1に示す半導体装置の回路図である。
相互誘導によって生じる誘導起電力の方向を説明するための図である。
実施の形態3に係る半導体装置の構成の一例を示す上面図である。
図4に示す半導体装置の回路図である。
実施の形態4に係る半導体装置の構成の一例を示す側面図である。
図6に示す半導体装置の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
<実施の形態1>
図1は、実施の形態1に係る半導体装置の構成の一例を示す上面図である。
【0010】
絶縁基板1の表面上には、コレクタパターン3(第1回路パターン)と、ゲートパターン6(第2回路パターン)と、第1エミッタパターン9(第3回路パターン)と、第2エミッタパターン12(第4回路パターン)とが設けられている。第1エミッタパターン9および第2エミッタパターン12は、コレクタパターン3を基準として同一方向に設けられている。ゲートパターン6は、コレクタパターン3を基準として、第2エミッタパターン12とは反対側に設けられている。
(【0011】以降は省略されています)
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