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公開番号2025103419
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-09
出願番号2023220795
出願日2023-12-27
発明の名称ドハティ増幅器
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人高田・高橋国際特許事務所
主分類H03F 1/02 20060101AFI20250702BHJP(基本電子回路)
要約【課題】低コストでメイン増幅器とピーク増幅器の間のアイソレーションを改善することができるドハティ増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】本開示に係るドハティ増幅器は、ヒートシンクと、前記ヒートシンクの上に設けられ、前記ヒートシンクを露出させるようにキャビティが形成され、複数の樹脂層と複数の金属層が積層して形成された樹脂基板と、前記キャビティに設けられたメイン増幅器と、前記キャビティに設けられたピーク増幅器と、インダクタと、を備え、前記樹脂基板は、前記メイン増幅器の少なくとも一部と、前記ピーク増幅器の少なくとも一部とを隔てる隔壁部を有し、前記隔壁部の前記複数の金属層は、前記ヒートシンクと電気的に接続され、前記インダクタは、前記隔壁部の上に設けられ、前記複数の金属層と電気的に接続されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
ヒートシンクと、
前記ヒートシンクの上に設けられ、前記ヒートシンクを露出させるようにキャビティが形成され、複数の樹脂層と複数の金属層が積層して形成された樹脂基板と、
前記キャビティに設けられたメイン増幅器と、
前記キャビティに設けられたピーク増幅器と、
インダクタと、
を備え、
前記樹脂基板は、前記メイン増幅器の少なくとも一部と、前記ピーク増幅器の少なくとも一部とを隔てる隔壁部を有し、
前記隔壁部の前記複数の金属層は、前記ヒートシンクと電気的に接続され、
前記インダクタは、前記隔壁部の上に設けられ、前記複数の金属層と電気的に接続されていることを特徴とするドハティ増幅器。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記インダクタは、チップインダクタであることを特徴とする請求項１に記載のドハティ増幅器。
【請求項３】
前記複数の金属層と前記ヒートシンクは、前記樹脂基板に形成されたＶＩＡホールにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載のドハティ増幅器。
【請求項４】
前記メイン増幅器は、前記ドハティ増幅器の入力端子側に接続された第１メイン増幅器と、前記ドハティ増幅器の出力端子側に接続された第２メイン増幅器と、前記第１メイン増幅器と前記第２メイン増幅器とを接続する第１段間整合回路と、を有し、
前記ピーク増幅器は、前記ドハティ増幅器の前記入力端子側に接続された第１ピーク増幅器と、前記ドハティ増幅器の前記出力端子側に接続された第２ピーク増幅器と、前記第１ピーク増幅器と前記第２ピーク増幅器とを接続する第２段間整合回路と、を有することを特徴とする請求項１または２に記載のドハティ増幅器。
【請求項５】
前記樹脂基板は、前記キャビティを形成する環状部分を有し、
前記隔壁部は、前記環状部分から前記第２メイン増幅器と前記第２ピーク増幅器の間に延びることを特徴とする請求項４に記載のドハティ増幅器。
【請求項６】
前記インダクタは、前記第１段間整合回路と前記第２メイン増幅器とを接続するワイヤと、前記第２段間整合回路と前記第２ピーク増幅器とを接続するワイヤとを隔てることを特徴とする請求項４に記載のドハティ増幅器。
【請求項７】
前記インダクタは、前記第２メイン増幅器の出力側に接続されたワイヤと、前記第２ピーク増幅器の出力側に接続されたワイヤとを隔てることを特徴とする請求項４に記載のドハティ増幅器。
【請求項８】
前記インダクタは、前記隔壁部の上面のうち、前記第２メイン増幅器または前記第２ピーク増幅器に接続されたワイヤに隣接する位置に局所的に設けられることを特徴とする請求項４に記載のドハティ増幅器。
【請求項９】
前記メイン増幅器は複数のチップで構成され、
前記インダクタの上面は、前記複数のチップを接続するワイヤよりも高い位置に設けられることを特徴とする請求項１または２に記載のドハティ増幅器。
【請求項１０】
前記キャビティは、前記隔壁部により第１キャビティと第２キャビティに分割され、
前記第１キャビティには前記メイン増幅器が設けられ、
前記第２キャビティには前記ピーク増幅器が設けられることを特徴とする請求項１または２に記載のドハティ増幅器。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ドハティ増幅器に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、結合を低減するためのワイヤボンド壁を有する半導体パッケージが開示されている。このパッケージは、基板と、基板上の第１の回路とを含む。第１の回路は、第１の電気デバイスと、第２の電気デバイスと、第１の電気デバイスおよび第２の電気デバイスを相互接続する第１のワイヤボンドアレイとを含む。パッケージは、第１の回路に隣接する、基板上の第２の回路を含み、第２の回路は、第３の電気デバイスおよび第４の電気デバイスを相互接続する第２のワイヤボンドアレイを含む。パッケージは、第１の回路と第２の回路との間で基板の上に複数のワイヤボンドを含むワイヤボンド壁を含む。ワイヤボンド壁は、第１の回路および第２の回路の少なくとも一方の動作中に第１の回路と第２の回路との間の電磁結合を低減するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１２６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
無線通信では高速大容量通信に対応するためにＰＡＰＲ（ＰｅａｋｔｏＡｖｅｒａｇｅＰｏｗｅｒＲａｔｉｏ）の大きなデジタル変調信号が用いられている。このようなＰＡＰＲの大きい変調信号であっても、低歪で高効率に信号を増幅するための回路として、ドハティ増幅器が広く用いられている。ドハティ増幅器は、ＡＢ級にバイアスされたメイン増幅器と、Ｃ級にバイアスされたピーク増幅器が、入力と出力に配置された９０度遅延線路を介して並列に合成される。また、小型化および低コスト化のために、メイン増幅器とピーク増幅器は隣接して配置されることが多い。回路が隣接する場合、メイン増幅器経路とピーク増幅器経路間のアイソレーションが劣化するおそれがある。これにより、特性の劣化および発振などの問題を生じる可能性がある。
【０００５】
このような問題に対して、特許文献１では経路間に電気的なシールドを設けることが示されている。この構造であれば経路間のアイソレーションを改善することが可能である。しかし、特許文献１では、シールドを形成するために専用の部材および特別なアセンブリ工程が必要になる。このため、製造コストが増大するおそれがある。
【０００６】
本開示は、上述の課題を解決するためになされたもので、低コストでメイン増幅器とピーク増幅器の間のアイソレーションを改善することができるドハティ増幅器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示に係るドハティ増幅器は、ヒートシンクと、前記ヒートシンクの上に設けられ、前記ヒートシンクを露出させるようにキャビティが形成され、複数の樹脂層と複数の金属層が積層して形成された樹脂基板と、前記キャビティに設けられたメイン増幅器と、前記キャビティに設けられたピーク増幅器と、インダクタと、を備え、前記樹脂基板は、前記メイン増幅器の少なくとも一部と、前記ピーク増幅器の少なくとも一部とを隔てる隔壁部を有し、前記隔壁部の前記複数の金属層は、前記ヒートシンクと電気的に接続され、前記インダクタは、前記隔壁部の上に設けられ、前記複数の金属層と電気的に接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本開示に係るドハティ増幅器では、隔壁部とインダクタにより、低コストでメイン増幅器とピーク増幅器の間のアイソレーションを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態１に係るドハティ増幅器の回路構成を説明する図である。
実施の形態１に係るドハティ増幅器の斜視図である。
実施の形態１に係るシールドの断面図である。
実施の形態１に係るインダクタとヒートシンク間の接続を説明する図である。
比較例に係るドハティ増幅器の回路構成を説明する図である。
比較例に係るドハティ増幅器の斜視図である。
比較例に係るドハティ増幅器の平面図である。
実施の形態２に係るドハティ増幅器の回路構成を説明する図である。
実施の形態２に係るドハティ増幅器の斜視図である。
実施の形態３に係るドハティ増幅器の斜視図である。
実施の形態４に係るアイソレーション改善回路の回路構成を説明する図である。
実施の形態４に係るアイソレーション改善回路による効果を説明する図である。
実施の形態４に係るアイソレーション改善回路による効果を説明する図である。
実施の形態４に係るドハティ増幅器の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
各実施の形態に係るドハティ増幅器について図面を参照して説明する。同じまたは対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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