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公開番号2024146463
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-15
出願番号2023059369
出願日2023-03-31
発明の名称積層セラミック電子部品及びその製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20241004BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】内部電極間に配置された誘電体層を形成する粒子の粒界の数にかかわらず内部電極間の絶縁性を確保することを目的とする。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、誘電体層と内部電極とが第1軸方向に沿って交互に積層され、前記第1軸方向に沿って相対する一対の主面と、前記第1軸方向と直交する第2軸方向において相対する一対の側面と、前記第1軸方向と前記第2軸方向とに直交する第3軸方向において相対する一対の端面とを有するセラミック素体と、前記セラミック素体の前記第3軸方向の端部に設けられ、前記セラミック素体の前記第3軸方向の異なる端面に引き出された前記内部電極と導通するように設けられた外部電極と、を備え、前記誘電体層を形成する粒子は、粒界内に前記誘電体層の主成分と異なる希土類元素および/または遷移金属元素を含む偏析部を備える。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
誘電体層と内部電極とが第１軸方向に沿って交互に積層され、前記第１軸方向に沿って相対する一対の主面と、前記第１軸方向と直交する第２軸方向において相対する一対の側面と、前記第１軸方向と前記第２軸方向とに直交する第３軸方向において相対する一対の端面とを有するセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記第３軸方向の端部に設けられ、前記セラミック素体の前記第３軸方向の異なる端面に引き出された前記内部電極と導通するように設けられた外部電極と、を備え、
前記誘電体層を形成する粒子は、粒界内に前記誘電体層の主成分と異なる希土類元素および／または遷移金属元素を含む偏析部を備えた、
積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記偏析部は、希土類元素、第１遷移金属元素または第２遷移金属元素から選定された少なくとも１種類以上の元素を含む、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記セラミック素体は前記誘電体層と前記内部電極とが交互に積層されたセラミック積層チップと当該セラミック積層チップを前記第２軸方向から覆うサイドマージン部とを含み、
前記偏析部は、前記誘電体層において前記サイドマージン部と隣接する領域内に位置している前記粒子内に形成された、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記偏析部は、前記セラミック素体の前記第２軸方向の中心点を含む領域内に位置している前記粒子内に形成された、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記誘電体層を形成する粒子の粒径は、中央値で０．２μｍ以上０．８μｍ以下である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記誘電体層と前記サイドマージン部は、Ｔｉ元素とＳｉ元素を含み、前記サイドマージン部における前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素との比率は、前記誘電体層における前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素との比率よりも高い、
請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記誘電体層と前記サイドマージン部は、前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素を含み、前記サイドマージン部における前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素との比率は、前記誘電体層における前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素との比率に対して２倍以上である、
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記誘電体層と前記サイドマージン部は、前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素を含み、前記サイドマージン部における前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素との比率は、前記誘電体層における前記Ｔｉ元素と前記Ｓｉ元素との比率に対して４倍以上である、
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記サイドマージン部は、Ｓｉ元素を含み、前記サイドマージン部における前記Ｓｉ元素の量は、１ａｔ％以上である、
請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記誘電体層の前記第１軸方向に沿う厚さは、０．３μｍ以上０．７μｍ以下である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
昨今、内部電極と誘電体層とが交互に積層された容量形成部を有するとともに、この容量形成部の側面にサイドマージン部が形成された積層セラミック電子部品が知られている。積層セラミック電子部品は、内部電極間の絶縁性が確保されていなければならず、内部電極間の短絡の発生を抑制するための提案がされている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－１４３３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、内部電極間の絶縁性は、誘電体層を形成している粒子の粒界によって担保されていると考えられる。積層セラミック電子部品は、多積層化が進んでいる。多積層化に伴い内部電極間の誘電体層の厚さが薄くなる。そして、これに伴って誘電体層を形成する粒子の数も減り、内部電極間に存在する粒界の数も減少する。このため、誘電体層の厚さを薄くすると絶縁性の確保が難しくなる。特許文献１の提案は、このような問題に対応するものとはなっておらず、改善の余地があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、内部電極間に配置された誘電体層を形成する粒子の粒界の数にかかわらず内部電極間の絶縁性を確保することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、積層セラミック電子部品は、誘電体層と内部電極とが第１軸方向に沿って交互に積層され、前記第１軸方向に沿って相対する一対の主面と、前記第１軸方向と直交する第２軸方向において相対する一対の側面と、前記第１軸方向と前記第２軸方向とに直交する第３軸方向において相対する一対の端面とを有するセラミック素体と、前記セラミック素体の前記第３軸方向の端部に設けられ、前記セラミック素体の前記第３軸方向の異なる端面に引き出された前記内部電極と導通するように設けられた外部電極と、を備え、前記誘電体層を形成する粒子は、粒界内に前記誘電体層の主成分と異なる希土類元素および／または遷移金属元素を含む偏析部を備える態様とすることができる。
【０００７】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記偏析部は、希土類元素、第１遷移金属元素または第２遷移金属元素から選定された少なくとも１種類以上の元素を含む態様とすることができる。
【０００８】
また、上記構成の積層セラミック電子部品において、前記セラミック素体は前記誘電体層と前記内部電極とが交互に積層されたセラミック積層チップと当該セラミック積層チップを前記第２軸方向から覆うサイドマージン部とを含み、前記偏析部は、前記誘電体層において前記サイドマージン部と隣接する領域内に位置している前記粒子内に形成された態様とすることができる。
【０００９】
前記偏析部は、前記セラミック素体の前記第２軸方向の中心点を含む領域内に位置している前記粒子内に形成された態様とすることができる。
【００１０】
上記構成の積層セラミック電子部品において、前記誘電体層を形成する粒子の粒径は、中央値で０．２μｍ以上０．８μｍ以下である態様とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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