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公開番号2024145668
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-15
出願番号2023058119
出願日2023-03-31
発明の名称電子部品及び電子部品内蔵基板の製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20241004BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】レーザ照射により形成されるビアホールの深さの不均一さを抑制する電子部品及び電子部品内蔵基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品は、基体と、基体の内部に設けられる内部素子25と、基体に設けられている第1外部電極21と、基体に第1外部電極から離間するように設けられている第2外部電極22と、を備える。第1外部電極及び第2外部電極は、内部素子と電気的に接続される。第1外部電極は、第1外側金属層21aと、第1内側金属層21bと、を有する。第1内側金属層は、第1外側金属層と第1内部素子との間に設けられている。第2外部電極は、第2外側金属層22aと、第2内側金属層22bと、を有する。第2内側金属層は、第2外側金属層と第1内部素子との間に設けられている。第1内側金属層及び第2金属層は、第1外側金属層及び第2外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基体と、
前記基体の内部に設けられる第１内部素子と、
前記基体に設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第１外部電極と、
前記基体に前記第１外部電極から離間するように設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第２外部電極と、
を備え、
前記第１外部電極は、
第１外側金属層と、
前記第１外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第１内側金属層と、
を有し、
前記第２外部電極は、
第２外側金属層と、
前記第２外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第２内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
電子部品。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層と直接接しており、
前記第２内側金属層は、前記第２外側金属層と直接接している、
請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１内側金属層の厚さは、前記第１外側金属層の厚さの０．２倍以上３．０倍以下である、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１外側金属層はＣｕを主成分とし、
前記第１内側金属層はＡｇを主成分とする、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１内側金属層及び前記第２内側金属層はいずれも、前記第１面と接する、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項６】
前記基体の内部に前記第１内部素子から離間して設けられる第２内部素子と、
前記基体に、前記第１外部電極及び前記第２外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第３外部電極と、
前記基体に、前記第１外部電極、前記第２外部電極、及び前記第３外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第４外部電極と、
をさらに備え、
前記第３外部電極は、
第３外側金属層と、
前記第３外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第３内側金属層と、
を有し、
前記第４外部電極は、
第４外側金属層と、
前記第４外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第４内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第３内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第４内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項７】
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１外部電極、前記第２外部電極、前記第３外部電極、及び前記第４外部電極はいずれも、前記第１面のみにおいて前記基体と接する、
請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
絶縁層に形成されたキャビティに、請求項１に記載の電子部品を載置する工程と、
前記電子部品を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記第１外部電極に前記第１外側金属層を貫通する第１ビアホールを形成し、前記第２外部電極に前記第２外側金属層を貫通する第２ビアホールを形成するように、前記第１外部電極及び前記第２外部電極に向かってレーザを照射する工程と、
を備える、
電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１ビアホール内に第１ビア導体を形成し、前記第２ビアホール内に第２ビア導体を形成する工程をさらに備える、
請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、めっき処理により形成される、
請求項９に記載の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書の開示は、主に、電子部品、及び、電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
コンデンサ、インダクタ、抵抗などの電子部品が埋め込まれた電子部品内蔵基板が知られている。電子部品内蔵基板においては、絶縁層に配線パターンが形成されており、この絶縁層に埋め込まれた電子部品の外部電極がビア導体を介して配線パターンと接続される。従来の電子部品内蔵基板は、特開２０１２－０１９２４７号公報（特許文献１）に記載されている。
【０００３】
電子部品内蔵基板の製造工程においては、電子部品が埋め込まれている絶縁層にレーザを照射することにより外部電極を露出させるビアホールを形成し、このビアホールにめっき処理を施すことでビア導体が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１２－０１９２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子部品には複数の外部電極が設けられているため、電子部品内蔵基板の製造時に、絶縁層には複数のビアホールを形成する必要がある。従来の電子部品内蔵基板においては、各外部電極に向かって照射されるレーザの出力の違いや、外部電極間での表面粗さの違い、及び外部電極の密度の違い等の様々な要因に起因して、各ビアホールを深さが均一になるように形成することが難しいという問題がある。ビアホールの深さが不均一だと、深いビアホールにおいてめっき成長が不十分となり、ビア導体と外部電極との間の接続やビア導体と配線パターンとの間の接続が不良になる可能性がある。
【０００６】
本明細書において開示される発明の目的は、上述した問題の少なくとも一部を解決または緩和することである。本明細書に開示される発明のより具体的な目的の一つは、レーザ照射により形成されるビアホールの深さの不均一さを抑制することである。本明細書において開示される様々な発明は、「本発明」と総称されることがある。
【０００７】
本発明の前記以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。本明細書に開示される発明は、「発明を解決しようとする課題」の欄の記載以外から把握される課題を解決するものであってもよい。本明細書に、実施形態の作用効果が記載されている場合には、その作用効果から当該実施形態に対応する発明の課題を把握することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様における電子部品は、基体と、基体の内部に設けられる第１内部素子と、基体に設けられている第１外部電極と、基体に前記第１外部電極から離間するように設けられている第２外部電極と、を備える。第１外部電極及び第２外部電極は、第１内部素子と電気的に接続される。第１外部電極は、第１外側金属層と、第１内側金属層と、を有する。第１内側金属層は、第１外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。第２外部電極は、第２外側金属層と、第２内側金属層と、を有する。第２内側金属層は、第２外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。一態様において、第１内側金属層は、第１外側金属層及び第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い。一態様において、第２内側金属層は、第１外側金属層及び第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い。
【発明の効果】
【０００９】
本明細書に開示されている発明の一態様によれば、レーザ照射により形成されるビアホールの深さの不均一さを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
一実施形態に係る電子部品を模式的に示す斜視図である。
図１の電子部品をＬＴ面に平行な平面で切断した断面の一部を拡大して示す断面図である。
一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
レーザにより穿孔された電子部品の第１外部電極を示す断面図である。
レーザにより穿孔された電子部品の第２外部電極を示す断面図である。
レーザ加工開始からの深さｄ１と深さｄ２の関係を示すグラフである。
別の実施形態に係る電子部品を模式的に示す斜視図である。
図６の電子部品をＩ－Ｉ線で切断した断面の一部を拡大して示す断面図である。
図６の電子部品をＩＩ－ＩＩ線で切断した断面の一部を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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