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公開番号2024143786
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-11
出願番号2023056664
出願日2023-03-30
発明の名称複合基板
出願人日本碍子株式会社
代理人弁理士法人サンネクスト国際特許事務所
主分類B32B 9/00 20060101AFI20241003BHJP(積層体)
要約【課題】リン化インジウム基板を用いた複合基板における放熱性の向上を実現する。
【解決手段】複合基板100は、InP材料から構成されたInP基板10と、InP基板10を支持する支持基板30と、を有する。支持基板30の材料は、SiCまたはAlNであり、InP基板10の厚みは、10μm以下である。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
ＩｎＰ材料から構成されたＩｎＰ基板と、
前記ＩｎＰ基板を支持する支持基板と、を有し、
前記支持基板の材料は、ＳｉＣまたはＡｌＮであり、
前記ＩｎＰ基板の厚みは、１０μｍ以下である、複合基板。
続きを表示（約 340 文字）【請求項２】
請求項１に記載の複合基板において、
前記ＩｎＰ基板の厚みは、５μｍ以下である、複合基板。
【請求項３】
請求項２に記載の複合基板において、
前記ＩｎＰ基板の厚みは、１μｍ以下である、複合基板。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の複合基板において、
前記ＩｎＰ基板と前記支持基板とは、直接接合により互いに接合されている、複合基板。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の複合基板において、
前記ＩｎＰ基板と前記支持基板の間に配置された接合層を有し、
前記ＩｎＰ基板と前記支持基板とは、前記接合層を介して互いに接合されている、複合基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合基板に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、光通信において用いられるレーザー光源や光変調器、フォトダイオード、ドライバＩＣ等に好適な半導体材料として、ＩｎＰ（リン化インジウム）が知られている。特許文献１には、リン化インジウム基板と、リン化インジウム基板に直接形成されたバリア層と、シリコン基板と、を有し、バリア層とシリコン基板とは直接接合されており、バリア層とシリコン基板との接合界面にはアモルファス層が形成されている複合基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の複合基板は、シリコン基板を支持基板とし、この支持基板上にリン化インジウム基板が接合されている。しかしながら、リン化インジウム基板とシリコン基板はともに熱伝導率が低く、そのため特許文献１の複合基板では放熱性に課題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、リン化インジウム基板を用いた複合基板における放熱性の向上にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による複合基板は、ＩｎＰ材料から構成されたＩｎＰ基板と、前記ＩｎＰ基板を支持する支持基板と、を有し、前記支持基板の材料は、ＳｉＣまたはＡｌＮであり、前記ＩｎＰ基板の厚みは、１０μｍ以下である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、リン化インジウム基板を用いた複合基板における放熱性の向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の第１の実施形態に係る複合基板の概略構成を示す模式的な断面図である。
本発明の第２の実施形態に係る複合基板の概略構成を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚み、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る複合基板の概略構成を示す模式的な断面図である。本実施形態における複合基板１００は、例えば光トランシーバを構成する各種半導体装置（レーザー光源、光変調器、フォトダイオード、ドライバＩＣ等）に搭載される半導体素子の材料として利用されるものであり、ＩｎＰ基板１０が支持基板３０に接合された構造を有している。
（【００１１】以降は省略されています）

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