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公開番号2024131371
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-30
出願番号2023041589
出願日2023-03-16
発明の名称半導体装置、および半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20240920BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】配線基板に対する装置の接合強度の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、第1端子21と、第1端子21に導通する半導体素子10と、半導体素子10を覆う封止樹脂30と、第1端子21の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層40とを備える。第1端子21は、少なくとも一部が封止樹脂30に覆われた第1インナ部211と、第1インナ部211につながり、かつ封止樹脂30から突出する第1アウタ部212とを有する。保護層40は、第1アウタ部212の少なくとも一部を覆っている。第1アウタ部212は、第1方向xを向く第1端面212Aを有する。保護層40は、第1端面212Aの全体を覆っている。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
第１端子と、
前記第１端子に導通する半導体素子と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１端子の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層と、を備え、
前記第１端子は、少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われた第１インナ部と、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂から突出する第１アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第１アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第１アウタ部は、第１方向を向く第１端面を有し、
前記保護層は、前記第１端面の全体を覆っている、半導体装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記封止樹脂は、前記第１方向を向く第１側面を有し、
前記第１アウタ部は、前記第１側面から突出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子に導通する第２端子をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向く第２側面を有し、
前記第２端子は、前記封止樹脂に覆われた第２インナ部と、前記第２インナ部につながり、かつ前記第２側面から突出する第２アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第２アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第２アウタ部は、前記第１方向において前記第１端面とは反対側を向く第２端面を有し、
前記保護層は、前記第２端面の全体を覆っている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する第２方向において互いに反対側を向く第３側面および第４側面を有し、
前記第１端子および前記第２端子の各々は、前記第３側面および前記第４側面の各々から離れている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向において互いに反対側に位置する第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極は、前記第１インナ部に導電接合されており、
前記第２電極は、前記第２インナ部に導電接合されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記封止樹脂には、前記第３側面から凹む第１凹部が形成されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記封止樹脂には、前記第４側面から凹む第２凹部が形成されており、
前記第２方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１凹部は、前記第１方向において互いに離れた第１部および第２部を含み、
前記第２凹部は、前記第１方向において互いに離れた第３部および第４部を含み、
前記第２方向に視て、前記第１部および前記第３部の各々は、前記第１インナ部に重なっている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
各々が前記封止樹脂に収容された第１支持ピンおよび第２支持ピンをさらに備え、
前記第１支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第３側面から外部に露出しており、
前記第２支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第４側面から外部に露出している、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１端子は、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂に収容された第１吊部を有し、
前記第１吊部は、前記第３側面から外部に露出している、請求項５に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置とその製造方法に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１リードおよび第２リードと、第１リードおよび第２リードに導電接合された半導体素子と、半導体素子を覆う封止樹脂とを具備する半導体装置の一例が開示されている。第２リードは、半導体素子を搭載している。第１リードおよび第２リードの各々の一部は、封止樹脂から露出している。封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分は、外装めっき層により覆われている。外装めっき層は、錫を含む。これにより、当該半導体装置を配線基板に実装する際、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分に対してハンダがなじみやすくなる。これにより、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積の拡大を図ることができる。
【０００３】
しかし、特許文献１に開示されている半導体装置においては、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の第１方向を向く端面は、外装めっき層に覆われていない。このため、当該半導体装置を配線基板に実装する際、第１リードおよび第２リードの各々の端面にハンダが這い上がりにくくなる。したがって、当該半導体装置においては、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積のさらなる拡大を図ることが困難となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１７－１６８５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は先述の事情に鑑み、配線基板に対する装置の接合強度の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１端子と、前記第１端子に導通する半導体素子と、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記第１端子の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層とを備える。前記第１端子は、少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われた第１インナ部と、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂から突出する第１アウタ部とを有する。前記保護層は、前記第１アウタ部の少なくとも一部を覆っている。前記第１アウタ部は、第１方向を向く第１端面を有する。前記保護層は、前記第１端面の全体を覆っている。
【０００７】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、第１方向において互いに離れた第１端子および第２端子と、前記第１端子および前記第２端子の各々を支持する枠体と、を有するリードフレームにおいて、前記第１端子に半導体素子を導電接合する工程と、前記半導体素子に前記第２端子を導電接合する工程と、前記第１端子および前記第２端子の各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程と、前記封止樹脂から露出する前記第１端子および前記第２端子の各々の部分を覆う保護層を形成する工程と、を備える。前記リードフレームは、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記枠体から突出する支持部を有する。前記封止樹脂を形成する工程では、前記支持部を覆うように前記封止樹脂が形成される。前記保護層を形成する工程は、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程の後に行われる。
【発明の効果】
【０００８】
本開示にかかる半導体装置が具備する構成によれば、配線基板に対する当該半導体装置の接合強度の向上を図ることが可能となる。
【０００９】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３は、図１に示す半導体装置の右側面図である。
図４は、図１に示す半導体装置の左側面図である。
図５は、図１に示す半導体装置の正面図である。
図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図９は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
図１０は、図９のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。
図１１は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。
図１３は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。
図１５は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。
図１７は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
図１８は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
図１９は、図１８に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２０は、図１８に示す半導体装置の右側面図である。
図２１は、図１８に示す半導体装置の左側面図である。
図２２は、図１８のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
図２３は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
図２４は、図２３に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２５は、図２３に示す半導体装置の右側面図である。
図２６は、図２３に示す半導体装置の左側面図である。
図２７は、図２３のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
図２８は、図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
図２９は、図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
図３０は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
図３１は、図３０に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３２は、図３０に示す半導体装置の右側面図である。
図３３は、図３０に示す半導体装置の左側面図である。
図３４は、図３０に示す半導体装置の底面図である。
図３５は、図３０のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。
図３６は、図３０のＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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