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公開番号2024154038
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-30
出願番号2023067631
出願日2023-04-18
発明の名称保持装置
出願人日本特殊陶業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20241023BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】対象物を保持する保持装置において、接着剤層の剥がれや破断を抑制する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】保持装置は、板状に形成される板状部と、板状部を支持し、板状に形成されるベース部と、板状部とベース部との間に配置され、接着剤および無機フィラーを含み、板状部とベース部とを接合する接着剤層と、を備え、接着剤層は、|(γ1-γ0)/γ0|≦0.15を満たす。ここで、γ0は加熱前の接着剤層のせん断ひずみ、γ1は接着剤層を180℃で3000時間加熱した後のせん断ひずみである。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
対象物を保持する保持装置であって、
板状に形成される板状部と、
前記板状部を支持し、板状に形成されるベース部と、
前記板状部と前記ベース部との間に配置され、接着剤および無機フィラーを含み、前記板状部と前記ベース部とを接合する接着剤層と、
を備え、
前記接着剤層は、
｜（γ１－γ０）／γ０｜≦０．１５を満たすことを特徴とする、
保持装置。
ここで、γ０は加熱前の前記接着剤層のせん断ひずみ、γ１は前記接着剤層を１８０℃で３０００時間加熱した後のせん断ひずみである。
続きを表示（約 450 文字）【請求項２】
請求項１に記載の保持装置であって、
前記接着剤層は、
｜（γ２－γ０）／γ０｜≦０．２を満たすことを特徴とする、
保持装置。
ここで、γ０は加熱前の前記接着剤層のせん断ひずみ、γ２は前記接着剤層を２００℃で３０００時間加熱した後のせん断ひずみである。
【請求項３】
請求項１に記載の保持装置であって、
前記接着剤はシリコーン系樹脂であることを特徴とする、
保持装置。
【請求項４】
請求項１に記載の保持装置であって、
前記接着剤層を、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を光源とするＩＣＰ発光分析法により定量分析したリン（Ｐ）の量が１００ｐｐｍ以上であることを特徴とする、
保持装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の保持装置であって、
前記接着剤層が、前記無機フィラーを３０体積％以上含むことを特徴とする、
保持装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、保持装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
対象物を保持する保持装置として、例えば、半導体を製造する際にウェハ等の対象物を保持する静電チャックが知られている。静電チャックは、一般に、対象物が載置される板状部と、板状部を支持するベース部と、板状部とベース部とを接合する接着剤層と、を備える。
【０００３】
静電チャックは、例えば、ウェハの加工の際のように、温度を変化させた環境の下で使用されることが多い。このとき、板状部とベース部との熱膨張係数の差が大きいと、静電チャックに大きな熱応力が加わり、接着剤層が剥離したり、破断するという問題があった。
【０００４】
この問題に対し、接着剤層の伸び率を１００％以上、ショアＡの硬度を７０以下とすることにより、接着剤層の伸縮性及び柔軟性を良好にし、温度変化が繰り返される状況で静電チャックが使用されても、接着剤層が剥離しにくくする技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１４－２０７３７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、静電チャックを、より高出力のプラズマに曝露して用いる場合のように、板状部に対する入熱が大きくなる場合には、特許文献１に記載の技術によっても、接着剤層の剥がれや破断が起きる場合があった。なお、これらの課題は、静電チャックに限定されず、プラズマによるエッチング装置等の半導体製造装置等、種々の保持装置に共通する課題である。
【０００７】
本開示は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、対象物を保持する保持装置において、接着剤層の剥がれや破断を抑制する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、以下の形態として実現することが可能である。
（１）本開示の一形態によれば、対象物を保持する保持装置が提供される。この保持装置は、板状に形成される板状部と、前記板状部を支持し、板状に形成されるベース部と、前記板状部と前記ベース部との間に配置され、接着剤および無機フィラーを含み、前記板状部と前記ベース部とを接合する接着剤層と、を備え、前記接着剤層は、｜（γ１－γ０）／γ０｜≦０．１５を満たす。ここで、γ０は加熱前の前記接着剤層のせん断ひずみ、γ１は前記接着剤層を１８０℃で３０００時間加熱した後のせん断ひずみである。
【０００９】
この形態の保持装置によれば、接着剤層のせん断ひずみが｜（γ１－γ０）／γ０｜≦０．１５を満たすため、接着剤層を高温（１８０℃）で使用した際の劣化が小さい。すなわち、接着剤層の耐熱性が優れている。そのため、保持装置を１８０℃程度の高温で使用した場合にも、接着剤層の剥がれや破断を抑制することができる。
【００１０】
（２）上記形態の保持装置において、前記接着剤層は、｜（γ２－γ０）／γ０｜≦０．２を満たしてもよい。ここで、γ０は加熱前の前記接着剤層のせん断ひずみ、γ２は前記接着剤層を２００℃で３０００時間加熱した後のせん断ひずみである。このような構成にすると、接着剤層を高温（２００℃）で使用した際の劣化も小さくすることができる。接着剤層の耐熱性をさらに向上させることができるため、保持装置を２００℃程度のさらなる高温で使用した場合にも、接着剤層の剥がれや破断を抑制することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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